Пентюш

Номер патента: 805214

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Пентюш, Пуритис, Цескан

МПК: G01R 31/26

Метки: вторичный, полупроводниковыхприборов, пробой

...части близко значению напряжения лавинного пробоя, Напряжение начальной части импульса; увеличивается до появления искажений формы импульса в конечной части, которые свидетельствуют о появлении вторичного пробоя в конце повышенной части. В таком случае в моменте времени при достижении тока вторичного пробоя в начальной части импульса начинается шнурование. Ток в токопроводящем канле (часть Т на фиг. 16) 15 увеличивается, но этот ток ограничивается в моменте времени источником тока. Значение данного тока является неразрушающим для прибора. Существование токопроводящего канала в 3) приборе сильно снижает сопротивление прибора, и поэтому напряжение на приборе имеет очень малое значение, т.е. появляются искажения форма импульса...