G01N 23/225 — с использованием электронного или ионного микроскопа

Номер патента: 1407409

Опубликовано: 30.06.1988

Авторы: Бернар, Жорж, Франсуа

МПК: G01N 23/225

Метки: микроанализа, образца, прибор, твердого, тела

...также экранирующий электрод 39и отрицательный управляющий электродЬ 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 37, Действие фокусирующих электрод втаково, что вторичное ионное изображение Формируется в плоскости диафрагмы 34 (фиг,3), В системе 4 формирования ионного зонда пучок вторичных ионов подвергается воздействиюлинз 29 и 30, которые формируют про. -межуточные изображения. В системе 3осуществляется разделение первичныхположительных ионов с энергией около10 кэВ и отрицательных вторичных ионов с энергией около 5 кэВ. Последние отклоняются на угол 12 . Послеразделения пучок вторичных ионовподвергают противофазному сканированию в системе 16 синхронной динамической коррекции для согласованияего приема масс-спектрометром. Установленный на...

Номер патента: 1409906

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Булеев, Дементьев, Канцель, Раховский

МПК: G01N 23/225

Метки: анализа, диэлектриков

...винтом 11, а горизонтальное перемещение осуществляется винтаии 12, расположенными через 120Устройство дает возможность отводить острие 8 от образца 2 и выбирать произвольное место анализа, азатеи позволяет контактировать ему споверхностью на небольшом расстоянии от эоны действия электронного иионного пучковТаким образом, реализация способа обеспечивает стеканиезаряда из зоны анализа и восстанавливает информативность метода,П р и м е р 1. Диэлектрическийобразец, 2 из ВхО размером 10 х 10 хх 1 мм крепят на держатель 1 прижим 3ными болтами и вставляют в аналитическую камеру, Держатель 1 с образцом2 располагают перед энергоанализато-.ром 5. На экране электронного микроскопа получают изображение исследуемого образца 2, Зону...

Номер патента: 1442861

Опубликовано: 07.12.1988

Авторы: Игнатив, Медюх, Френчко

МПК: G01N 1/28, G01N 23/225

Метки: микроскопии, образцов, препарирования, просвечивающей, электронной

...нерастворимого в электролите материала, например фторопласта.В держателе имеются конусообразные отверстия для двустороннего подвода электролита к утоняемой заготовке, Положительный электрический потенциал на заготовку подается с помощью токо- проводящей проволоки, Вторым электродом служают две пластины, устанавливаемые с обеих сторон заготовки. При этом открытая, доступу электролита часть заготовки утоняется. Утонение заготовкивследствие неоднородности электрического поля происходит нерав" номерно, а именно вблизи краев отверстий шайб заготовка утоняется больше, чем в центральной области., Утонение заготовки продолжают до появления В ней с обеих сторон кольцевой утоненной области 3.Контроль этой области осуществля 55...

Номер патента: 1465739

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Головчанский, Марченко

МПК: G01N 1/28, G01N 23/225

Метки: исследований, кремниевой, микроскопических, нанесенных, образцов, пленок, поверхность, подложки, приготовления, электронно

...комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 3 14657 к мнатной температуре является насыщ иным),При температуре раствора менее Зф С увеличивается продолжительностьо процесса, а использование раствора с температурой более 80 С приводит к растворению,самой отделяемой пленки.В таблице приведены результаты р ализации способа приготовления о разцов при различных параметрах п оведения процесса.П р и м е р. Проводят отделенир пренки ниобия (%) толщиной 1000 А,апыленной на кремниевую подложку (100) в 453-ном растворе КОН при 65 С. Время отделения пленки составет около 5 мин при скорости растрения самой пленки .60-70 А/мин. осле отделения с помощью специальой сетки кусочки пленки помещают в стиллированную воду. Свертыванияки не...

Номер патента: 1518747

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Бернер, Сиделева

МПК: G01N 23/225

Метки: диаметра, микровключения, плоскости, среднего, шлифа, электронно-зондового

...накладывает принципиальное ограничение ца измерение размера микровключений по способу - прототипу.Действительно,не зная размера и формы микронключения, невозможно установить размеры области диффузии электронов. Это приводит к систематическому увеличению измеряемого по способу-прототипу размера по сравнению с истинным, Тдк как при обычных условиях анализа размеры области диффузии электронон составляют несколькомикрометров, то систематические погрешности определения размера микронкпючеция могут достигать нескольких сотен процецтон для частиц субмикронных и микронных размеров.Б предлагаемом способе размеры области диффузии также неизвестны, однако они сохраняются постояннымипри первом и втором измерении, так как измерения...

Номер патента: 1520414

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Беккерман, Джемилев, Ротштейн, Цай

МПК: G01N 23/225

Метки: ионный, микроанализатор

...коррекцию направления пучка и совмещение осей оптических элементов. Образец 8 устанавливается на столике манипулятора 9, имеющем три степени свободы.Основным элементом системы формирования пучка вторицнь 1 х ионов являет" ся иммерсионныи объектив 10 с секционированным вытягиваюцим электродом 11 и квадрупольная отклоняющая система 12. Для анализа вторичных ионов по отношению массы к заряду использован энергомасс-спектрометр, состоящий из статического магнитного анализатора 13 и стигматического энерго анализатора 1 типа трехэлектродного электростатического зеркала.Генераторы 15 и 16 пилообразного напряжения предназначены для развертки луча первицнь 1 х ионов в растр заданного размера на поверхности исследуемого образца....

Номер патента: 1527548

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Бирюкова, Рыбалко

МПК: G01N 23/225, H01J 37/00

Метки: изображения, микроскопе, растровом, тестового, формирования, электронном

...соответстнуетвпадинам устройства, На Фиг, 3 в увеличенном виде показана одна из впадинс силовыми линияьо 3 электрического поля, траекторией 4 первичного зонда итраекторияье 5 вторичных электронов.Кривые 6, 7, 8 и 9 на фиг, 4 полученыэкспериментально для различных соотношений соответственно Ь =0,5; 1,О; 1,5;3,0,Устройство работает следующим образом,При сканировании зубчатой структуры поверхности устройства вторичноэмиссионный сигнал не изменяется, пока зонд облучает хорошо отражающийматериал ныступа и пока расстояниеот точки облучения до границы выступа не станет меньше радиуса областивыхода регистрируемых электронов,Далее, поскольку с боковой поверхности выступа также начинают выходитьэлектроны, то амплитуда видеосигналаначинает...

Номер патента: 1559263

Опубликовано: 23.04.1990

Авторы: Григорьева, Ерофеев

МПК: G01N 1/28, G01N 1/36, G01N 23/225 ...

Метки: исследования, микроскопе, образцов, объектов, порошкообразных, приготовления, просвечивающем, электронном

...частицы порошксоединяют с инертной жидкостью иготавливают суспензию, напримердом перемешивания. Приготовленнуюспекзию продавливают через твердпористый фильтрующий элемент, сттура которого подобна губке. В п неи исследуемыми ча - Л ную часть матрицы ус- лектронно-Аикрсскопи1559263 нейшее препарирование производили по стандартному методу ультратонких срезов. Полученные срезы фильтрующего элемента толщиной 300 А закреплялись на электронно"микроскопической сетке.Из примеров видно, что по предложенному способу образцы могут приготовляться из смеси разнородных материалов, включая металлы, а также из малых примесей, содержащихся в сырье,Формула изобретения Составитель В.ГаврюшинТехред М.Дидык . Корректор М.Самборская Редактор В,Данко Заказ...

Номер патента: 1566273

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Кущук, Тутнов

МПК: G01N 23/225

Метки: высоколегированной, исследования, образца, стали, трещиной

...изобретения является расширение возможности способа за счет определения температуры разрушения вмомент развития трещины, Из зоны вершины трещины вырезают образецготовляют шлиф. Затем с помощьрентгеновского микроа)ализатора получают распределение концентраций марганца и кремния по оси трещины внаправлении от ее вершины, 1 змеряютрасстояние между первыми пиками концентраций марганца и кремния и поранее полученной зависимости температуры от расстояния определяют требуемую температуру, 3 ил,рами по площади Зх обычной технологии тавливают шлиф, По ма линии анализа пр фиг,1, Г 1 о оси распр ны от ее вершины оп рационное распредпл566273 оставитель М.1 елагуровехред М Дидык Редактор С.Патрушева Т Корректор С,Иев Зак Тираж 494 Под Ги с но...

Номер патента: 1589109

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Григоренко, Дорофеева, Кезик, Писарев, Самойленко, Табелев, Таранова, Таяновская, Хорунов, Швачко

МПК: G01N 1/28, G01N 23/225

Метки: исследования, методом, микроскопии, образца, электронной

...тонкиесегменты частиц порошков без нагрева,деФормации и каких-либо изменений всостоянии частиц порошка, связанных сдиффузионными, пограничными, межфазными эффектами, возникающими в процессе заливки порошков жидкими металлическими расплавами, играющими рольсвязки-матрицы,П р и м е р. К небольшим пластинам целлулоида (например 1 О.к 01, 5 мм)крепили держатели из оргстекла путемрастворения мест соединения. ацетоном.Затем на противоположную сторону каждой пластины наносили пипеткой ацетон и выдерживали до тех пор, покаповерхностный слой целлулоида не становился полужидким. После этого в неголегко вдавливали протравленный, смоченный ацетоном порошок припоя системы медь - марганец - никель в . кремниймарки БАКи тщательно высушивали.В...

Номер патента: 1597669

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Гурина, Календин, Климовицкий, Морозова, Северин

МПК: G01N 1/28, G01N 23/225

Метки: виде, градуировки, меры, микроскопов, приготовления, тест-объекта, увеличения, штриховой, электронных

...вешества от точечного источника испаренияпод углом, близким к углу 9 , Этообеспечивается определенным расположением точечного источника, установленного на расстоянии от поверхностирешетки, равном 1 = а . сСдф.При этом на меньшей грани зуба,на которую впоследствии наносится 15оттеняющий слой, обуславливающий качество и периодичность структуры,происходит сглаживание рельефа имикронеровностей кромки зуба, выз"ванных механическими деформациямии повреждениями в процессе нарезания зуба на поверхности стекла.Одновременно нанесенный промежуточныйслой исключает искажение периодичности, связанное с механическими деформациями реплики в процессе ее отделения,20 П р и м е р. На очищенную дифракционную решетку из точечного источЗО ника испарения...

Номер патента: 1608530

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Сапожникова, Чалых

МПК: G01N 23/225

Метки: дефектности, покрытий, степени

...способа к выявлению гетерогенности (величина у в примере 1 включает не только стандартное отклонение, нои дефектность шлифа).П р и м е р 3, Определение дефектностипористого (высокогетерогенного) полимерного материала.В качестве обьекта исследования используют серосодержащий образец искусственной кожи на основе полиамидатолщиной 1 мкм. Величины 1 и 1 р опреде.ляют аналогично описанному в примере 1по Кг. -линии характеристического рентгеновского излучения серы Я) при ускоряющем направлении 0 = 15 кВ и проходящемтоке 1 = 0,5 10 А. Результаты анализа; 1 з =12501 имп / 100 с; 1 р = 19750 имп/100 с;у= 0,633; у = 37 . Найденная величина де 1фектности совпадает с величиной объемнойдоли пор в материале, определенной морфометрически.П р и м...

Номер патента: 1608531

Опубликовано: 23.11.1990

Автор: Филиппов

МПК: G01N 1/36, G01N 23/225

Метки: исследованиях, микроскопе, образцов, растровом, фиксирования, электронном

...в процессе поующие операций. На подготовленный м образом держатель образцов, наблюв оптический микроскоп. размещают кты исследования. Затемдержательобов с установленными объектами поме(55 0 01 К 23/225,1/28(54) СПОСОБ ФИКСИРОВАНИЯ ОБРАЗЦОВ ПРИ ИССЛЕДОВАНИЯХ В РАСТРОВОМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ (57) Изобретение позволяет снизить вероятность загрязнения исследуемой поверхности образца. Для этого слой клеевого состава высушивают после нанесения его на обьектодержатель. Затем на высушенную поверхность устанавливают образец и парами растворителя размягчают клеевой состав. щают в сосуд, на дно которого наливают необходимое количество растворителя, например ацетон, для клея "Суперцемент", и накрывают стеклом. При этом пары растворителя...

Номер патента: 1684615

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Агеев, Блоха, Климовицкий, Милославский, Северин

МПК: G01N 1/28, G01N 23/225

Метки: калибровки, меры, микроскопов, приготовления, увеличения, штриховой, электронных

...2 п зи рогде и - показатель преломления стекла,рь - угол при вершине призмы, Механизм светочувствительности тонких пленок Ао основан на обратимом фото- лизе, в процессе которого под действием интерференционного светового погя происходит, перенос массы из максимумов в минимумы интерференции. При этом другой особенностью этих пленок является то, что помимо голографической решетки образуется самозарождающаяся дополнительная решетка со штрихами, параллельными плоскости падения и периодомб 2=п созуЬПоявление этой решетки связано с взаимодействием падающей волны с поверхностными волнами, рассеянными пленкой. При больших углах падения (уЪ50) инкремент роста дополнительной решетки значительно превышает инкремент для других возможных...

Номер патента: 1688155

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Власенко, Дешин, Климовицкий, Морозова, Северин

МПК: G01N 1/28, G01N 23/225

Метки: микроскопа, приготовления, растрового, тест-объекта, электронного

...частицы золота, Темпе- д,ратура нагрева для плавления пленкизолота составляет порядка 2/3 табличного значения температуры плавлениязолота как вещества. Ограничение наскорость охлаждения обусловлено тем,16881 з 5 Гпособ приготовления тест-объекта золота и последующее охлаждение соскоростью не менее 1000 С/мин,Составитель В, Гаврюшинктор Т. Лошкарева Техред М,Диг 1 ык Корректор Л, Пилипенк Заказ 3705ВНИИПИ Государственного113035,Подпись и открыт аб д, 4 Тиражкомитета ноМосква, Жм при ГКНТ ССС ци о р к.кая оизводствецно-издат:льский комбинат "Патент", г,ужгород, ул, Гагарина,10 чго при медленном охлаждении затвердевающие частицы золота приобретают разнообразцую ограцку, це позволяющую иснользозать их в качестве элемента тест-объекта.П р...

Номер патента: 1693496

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Аксенова, Уманский, Шарнопольская

МПК: G01N 1/28, G01N 23/225

Метки: анализа, двухступенчатых, реплик, углеродных, электронно-микроскопического

...для отделения реплики (лаковой, углеродной) от изучаемой поверхности объекта, т,е, для нарушения целостности системы. В данном случае желатин используют, наоборот, для сохранения целостности системы, для укрепления реплики при растворении первичного отпечатка, что позволяет получить неожиданный эффект - повышение качества реплик, получаемых с рельефных хрупких изломов, Вещество, нанесенное на углеродную реплику для ее укрепления при растворении первичного отпечатка, в дальнейшем растворяют без движения реплики. Так, желатин растворяют помещением объекта на поверхность горячей воды репликой вверх.П р и м е р. Изучают структуру поверхности разрушения образцов из стали 45 Х 1-12 МФАШ в высокопрочном состоянии, Материал первичного...

Номер патента: 1739266

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Божко, Дубровская, Котляр

МПК: G01N 1/28, G01N 23/225

Метки: анализа, порошков, препарирования, сред, ультрадисперсных, электронно-микроскопического

...частиц - агрегатов, размером до 25 мкм.П р и м е р 3, Исследование проводят по примеру 1, но время первого диспергирования 5 мин. Однако превышение времени воздействия более 4 мин вызывает сегрегацию коллоидных частиц и появление агрегатов размером до 5 мкм в количестве до 20 О.Из приведенных примеров следует, что использование предлагаемого способа препарирования по сравнению с известным методом дает повышение производительности в 5-10 раз, при этом исключается окисление дисперсного порошка воздухом, размеры агрегатов до 5 мкм отсутствуют. Кроме того, диспергирование методом УЗК более совер 10 15 20 25 30 шенно, современно и надежно, Предлагаемый способ препарирования предпочтительнее и удобнее с точки зрения культуры...

Номер патента: 1772702

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Асеев, Вырыпаев, Красильников, Латышев

МПК: G01N 23/225

Метки: исследования, микроскоп, молекулярно-лучевой, процессов, электронный, эпитаксии

...содержит систему дифференциальной криогенной откачки, которая представляет собой полый цилиндр 1, установленный по оптической оси микроскопа. Боковые стенки цилиндра выполнены с внутренними каналами 2, которые соединяются с источником хладагента, например жидкого азота. В торцевых крышках цилиндра выполнены осевые отверстия 3 для входа и выхода электронного пучка. Внутри цилиндра размещен образец 4 на объектодержателе 5. В боковой стенке цилиндра напротив образца выполнено отверстие 6. которое в поперечном сечении идентично по форме и размерам оконечной части 7 штока 8 шлюзового устройства 91772702 Составитель В.ГаврюшинТехред М,Моргентал .Корректор Л,Ф актор Заказ 3841 ВНИИПИ Гос Подписноепо изобретениям.и открытия-35, Раушская наб, 4...

Номер патента: 1781728

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Пивоваров, Ченакин, Черепин

МПК: G01N 23/225, H01J 49/26

Метки: анализа, количественного, примеси, твердом, теле

...См, а исходная концен-. трация изотопа М составляет соответственно См, то в состоянии динамического равновесия процессов ион нога внедрения и распыления полная концентрация изотопа М в поверхностном слое с учетом его до- . полнительного внедрения ионным легированием до насыщения будет превосходить исходную концентрацию М в Ю разСм ам См443)м ам ам, аму - природная распространенность, соответственно, изотопов М и Му элемента М;Яр, Мр - средний проецированный пробег первичных ионов изотопа М+ и их 5 страгглинг, соответственно;е - заряд электрона.Физическое обоснование предлагаемдго способа заключается в следующем, При ионной бомбардировке твердого тела пуч ком ионов иозтопа М его концентрация в приповерхностном слое в любой момент ....

Номер патента: 1800338

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Евграфова, Титов

МПК: G01N 23/225

Метки: анализа, диэлектриков

...образца, на котором накапливается положительный заряд. Удаление заряда с поверхности образца осуществляется через электропроводящий порошок, предварительно слрессованный с порошком анализируемого диэлектрика. Отток заряда происходит за счет взаимодействия первичных ионов с электропроводящими участками исследуемого диэлектрика, 2 ил,Пример конкретного исполнения. Диэлектрик в виде порошка смешивали в пропорции 1:1 с порошком свинца и спрессовывали в виде таблетки. Для анализа испольэовали масс-спектрометр типа МСМ, работа которого основана на методе вторичной ионной эмиссии, Бомбардировку осуществляли ионами аргона,На фиг,1 и 2 показаны масс-спектры диэлектрика на основе М 90, полученные без примеси электропроводящего порошка свинца и с...

Номер патента: 1833809

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Молотков, Неверов

МПК: G01N 1/28, G01N 23/225

Метки: исследования, методами, микроскопе, препаратов, приготовления, просвечивающими, электронном

...на 0,1 - 1,5 оборота. Затем давление снимают, образец извлекают и растворяют хлорид натрия в дистиллированной воде. Растворение хлорида натрия представляет зндогенный процесс, вследствие которого 1)5 6 01 М 23/225, 1/2 ОДАМИ В ЭЛЕКТРОНПЕе; в области исследоваими методами электрон- Сущность изобретения: ойный образец со сред- риала препарата, ппастицию образца методом ием, растворение матери- в образца и формировав качестве материала азца выбирают материм створения в зндогеннол 1 ВАЮЩИМИ МЕТ НОМ МИКРОСКО (57) Использовани ний просвечивающ ной микроскопии формируют трехсл ним слоем из мате ческую деформа сдвига под давлен ала внешних слое ние препарата, внешних слоев обр из условия его ра режиме,температура образца понижается. После...

Номер патента: 1521035

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Иммель, Пузыревич, Рябчиков, Шипилов

МПК: G01N 23/225

Метки: вещества, возбуждением, ионным, микроанализа, рентгеноспектрального, состава

СПОСОБ РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНОГО МИКРОАНАЛИЗА СОСТАВА ВЕЩЕСТВА С ИОННЫМ ВОЗБУЖДЕНИЕМ, включающий попеременное облучение потоком ионов образца анализируемого вещества и стандартного образца, изготовленного из материала, отличного по атомному номеру от элементов, содержащихся в анализируемом веществе, регистрацию характеристических рентгеновских излучений определяемых элементов и элемента стандартного образца одним детектором излучения и одним спектрометрическим трактом с формированием единого многоканального спектра, измерение набранных чисел импульсов, обусловленных характеристическими рентгеновскими излучениями определяемых элементов и элемента стандартного образца, по которым судят о содержаниях определяемых элементов, отличающийся тем, что,...

Номер патента: 1319692

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Злобин, Костышева, Кюрегян, Сорокин, Шуман

МПК: G01N 23/225

Метки: анализа, локального, образцов, подготовки, следов, элементов

Способ подготовки образцов для локального анализа следов элементов, находящихся в перенасыщенных твердых растворах с ограниченной растворимостью, включающий выделение преципитатов, отличающийся тем, что, с целью расширения спектра примесей, содержащихся в преципитатах в концентрации, превышающей пороговую чувствительность M используемой методики локального анализа, образцы отжигают после выделения преципитатов при температуре интенсивного распада твердого раствора (0,4 - 0,7) Tпл в течение времени от tмин до 10tмин,где ;D(T) и Vа - коэффициент диффузии и объем атома...