Патенты с меткой «двухступенчатых»

Номер патента: 163701

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C23G 3/04, F23J 3/02, F23L 15/04 ...

Метки: воздухоподогревателей, двухступенчатых, защиты, коррозии, низкотемпературной, сернистой

...без его остановки. чтоьомпчпость работы котлов10 длитсльпого времени. оздухом (в распредеч пи лючает азотир льпого устро П ЛУЧШСТ СТ я п ова стза пукотла производит- обеспечивает зкои печей в т.чепце Подггггсни,г арггтга Лф 71 Известен способ защиты от пизкотсмпературной сернистой коррозии воздухоподогревателей паровых котлов. работающих па мазуте, заключающийся в том. что в дымовые газы вводят аммиак а образ,ющпсся отложения у;.аляот,1)обью.Предлагается применить известный способ для защиты от коррозии котлов, в которых воздухоподогрев атель выполнен двухступенчатым,При вводе аммиака в воздухоподогрсватель с двухступенчатым восход 5 цм двигкепием потока дымовых газов в первой (по ходу воздуха) ступени и нисходящим - во второй па...

Номер патента: 164387

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Кузнецов

МПК: F04B 37/00, F16J 15/40

Метки: вакуумных, давления, двухступенчатых, механических, насосов, остаточного, полного, понижения

...остаточного давления добиваются при помощи масляного уплотнения зазоров в сопряжениях деталей, разделяющих полости всасывания и сжатия. Однако в известных насосах полного разделения трущихся поверхностей достигнуть трудно из-за недостаточного поступления к ним масла, вследствие чего происходит крекинг масла, Продукты крекинга, имеющие высокую упругость паров, увеличивают полное остаточное давление насоса,В предложенном способе ко всем местам трения деталей первой высоковакуумной ступени из маслосистемы, полностью отделенной от маслосистемы второй ступени, непрерывно подводится масло для создания гидродинамического смазывания трущихся поверхностей путем придания им профиля, образующего масляный клин заданного сечения.На фиг. 1 изображен...

Номер патента: 245434

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Государственный, Малинин, Палиашвили

МПК: G01N 33/38

Метки: двухступенчатых, дисперсных, исследования, отпечатков

...микроскопом и может быть использовано для изучения различных суспензий.Известен способ получения двухступенчатых огпечатков для исследования материалов под электронным микроскопом путем нанесения слоя исследуемого материала на первичный отпечаток.Цель изобретения - расширить диапазон исследуемых дисперсных материалов.Достигается это тем, что первичный отпечаток получают нанесением парафиновой пленки на бумагу. Разогретый до температуры 60 - 70 Сфин наносят на бумагу тонкой пленкой0,5 лл). Затем бумагу тут же вынимадержат в вертикальном положении дляния излишка парафина, После эгого нафин наносят исследуемую суспензию иживают ее в течение заданного временлее бумагу с парафином отделяют отдуемого образца и наносят...

Номер патента: 484627

Опубликовано: 15.09.1975

Авторы: Дьяконов, Зиенко

МПК: H03K 4/02

Метки: генератор, двухступенчатых, импульсов, релаксационный

...накопительного конденсатора 3 намного больше величины емкости дополнительного конденсатора 6.В момент времени 10 транзистор включается (фиг. 2), в разрядной цепи появляется ток. К первичной обмотке 4 импульсного трансформатора прикладывается напряжение. Падение напряжения на транзисторе уменьшается, а на зарядном резисторе 2 (нагрузке) возрастает. Взаимная фазировка обмоток импульсного трансформатора такова, что в схеме развивается лавинообразное увеличение коллекторного и базового токов транзистора 1. Второй стабилитрон 9, включенный в цепь обратной связи, оказывается при этом в состоянии пробоя в начале регенеративного процесса. К базе транзистора 1 прикладывается отрицательное напряжение, при этом падение напряжения на зарядном...

Номер патента: 509979

Опубликовано: 05.04.1976

Автор: Зиенко

МПК: H03K 3/00

Метки: двухступенчатых, им-пульсов, формирователь

...кение, После их включения ток в нагрузке 16 определяется транзистором 1; коэффициент трансформации1 Лти й ф (1) поэтому при включенном транзисторе 1 в обмотке 17 трансформатора наводится напряжение, большее напряжения питания. В связи с этим диод.18 закрыт, Ток нагрузки протекает через транзистор 1, кон- Я денсатор 11, диод 13 и сопротивление нагрузки,. приведенное к обмотке 10, Амплитуда первой ступени импульса Ф"т-Е ю здесь Е-напряжение питания).1 О .25Напряжение на обмотке 10 экспонецциально убывает. Как только оно достигает величины Е ", диод 13 закрывается, а диод"118 открывается, На этом заканчивается фор- мирование первой ступени импульса. На эта не формирования второй ступени импульса нагруэочный ток проходит только через...

Номер патента: 511682

Опубликовано: 25.04.1976

Авторы: Дьяконов, Зиенко, Каганов

МПК: H03K 5/01

Метки: двухступенчатых, импульсов, формирователь

...и уменьшить рассеиваемую мощность на лавинном транзисторе.С включением транзистора 1 к коллектору транзистора 2 прикладывается положительное напряжения конденсатора 12. Од- рнако, благодаря разрядному току конденсатора 14, транзистор 2 переходит в состояние насыщения, К первичной обмотке 5трансформатора 6 в первый момент прикладывается все напряжение конденсатора 12, щтак как транзисторы 1 и 2 насьпцены инапряжение на них мало.Амплитуда импульса первой ступени приэтом будет равнаЧ Ч К р (1)и оЖ 7где КР = .- - коэффициент трансфформации трансформатора 6.В процессе формирования импульса амплитуда первой ступени будет уменьшаться во времени, Однако, еслиС 12 К 17 МВ(3)Из работы схемы следует, что длительность первой ступени импульса можно...

Номер патента: 515217

Опубликовано: 25.05.1976

Автор: Зиенко

МПК: H02M 1/08

Метки: двухступенчатых, импульсов, усилитель-формирователь

...приходом отпираюшего импульса заданной длительности и амплитуды транзистор1 входит в насыщение (см, фиг. 2), С егоотпиранием начинаетси разряд конденсатора,5, заряженного в исходном состоянии донапряжения Мо,незначительно отличающего-ся от напряжения пробоя коллекторного перехода Ц ц транзистора 1,Конденсатор 5 разряжается по цепи:насыщенный транзистор 1, эмиттерный переход транзистора 1 и резистор 10,Диод 11 на этапе формирования первойступени импульса закрыт, так как потенциал его катода более положителен относи-,тельно анода.формирование первой ступени заканчивается в тот момент, когда потенциал базытранзистора 2 становится равным напряжению т, источника питания 12, так какпри этом диод 11 отпирается и транзистор2 переходит в...

Номер патента: 729831

Опубликовано: 25.04.1980

Автор: Зиенко

МПК: H03K 5/01

Метки: двухступенчатых, импульсов, формирователь

...и .длительности транзистор 1 открывается ирходит в насьпцение, Последнее приводит к протеканию тока от второго источника через эмиттерный перепад транзистора 7, резистор 6, дроссель 10, насыщенный транзистор 1, Под действием отпирающего эмиттерного тока транзистор 7 открывается и входит в насыщение, к резистору 2 прикладывается практически все напряжение второго источника питания, которое выбирается большим напряжения первого источника питания, благодаря чему диод 3 закрыт, Время пребывания транзистора 7 в открытом состоянии определяет длительность первой ступени импульса, Это время определяется колебательным пер езарядом конденсатора 9, так только ток в цепи базы начнет переходить через нуль, тран зистор 7 закрывается, После запирания...

Номер патента: 773916

Опубликовано: 23.10.1980

Автор: Турченков

МПК: H03K 4/02

Метки: двухступенчатых, импульсов, формирователь

...Так как конденсатор был не заряжен, то на коллекторе транзистора 2 потенциал также равен приблизительно источнику 5. Транзистор 2 заперт, а транзистор 1 насыщен током заряда конденсатора 3 и выходное напряжение равно приблизительно источнику 5. Такое состояние схемы сохраняется до тех пор, пока напряжение на обкладках конденсатора 3 не достигнет величины напряжения источника 5, 26 после чего диод 4 закрывается, так как конденсатор продолжает заряжаться от источника 6 через резистор 9. При этом выходное напряжение уменьшается. Такое состояние схемы будет сохраняться до тех пор,пока напряжение на правой половине конденсатора 3 и эмиттере транзистора 1 не достигнет напряжения пробоя стабилитрона 10, после чего через него и эмиттер...

Номер патента: 985895

Опубликовано: 30.12.1982

Авторы: Мельников, Никонов

МПК: H02M 1/08

Метки: двухступенчатых, импульсов, формирователь

...содержит предварительный усилитель, выполненный натранзисторе 1 типа п-р-п, база которого через резистор 2 соединена свходом 3, эмиттер через резистор 1подключен к общей шине 5, а коллекторчерез резистор 6 соединен с положительным полюсомисточника питаний.Между эмиттером транзистора 1 и общей шиной включен резистор 8.0Коллектор транзистора 1, образующий выход предварительного усилителя,соединен с базой транзистора 9 типар-п-р, на основе которого выполненрелаксационный генератор. Эмиттертранзистора 9 через резистор 10 подключен к положительному полюсу, аколлектор через нагрузочный резистор11 соединен с общей шиной 5. Междуэмиттером транзистора 9 и общей шиной 5 включен накопительный конденсатор 12.Устройство работает следующим...

Номер патента: 1465741

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Аксенова, Уманский, Шарнопольская

МПК: G01N 1/38

Метки: анализа, двухступенчатых, реплик, углеродных, электронно-микроскопического

...полного его растворения. Такое положение отпечатка на последней стадии растворения наилучшим образом обеспечивает сохранностьреплики от механических повреждений,Изучали структуру поверхностиразрушения:, объектов иэ стали45 ХН 2 МФАШ в высокопрочном состоянии. Материал первичного отпечатка - коллодий. Время полного растворенияпервичного отпечатка в ацетоне10 мин, Углеродную реплику осажда 5741 4 ли в вакуумном посте ВУП, толщина составляла - 300-500 А. После осаждения углерода отпечаток с репликой размещали на медной плетеной и прокатанной предметной сеточке репликой вниз и погружали в горизонтальном положении в ацетон. Расстояние до дна сосуда составляло - 3 см. Через 80 с (0,13 времени полного растворения первичного отпечатка) сеточкуо...

Номер патента: 1693496

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Аксенова, Уманский, Шарнопольская

МПК: G01N 1/28, G01N 23/225

Метки: анализа, двухступенчатых, реплик, углеродных, электронно-микроскопического

...для отделения реплики (лаковой, углеродной) от изучаемой поверхности объекта, т,е, для нарушения целостности системы. В данном случае желатин используют, наоборот, для сохранения целостности системы, для укрепления реплики при растворении первичного отпечатка, что позволяет получить неожиданный эффект - повышение качества реплик, получаемых с рельефных хрупких изломов, Вещество, нанесенное на углеродную реплику для ее укрепления при растворении первичного отпечатка, в дальнейшем растворяют без движения реплики. Так, желатин растворяют помещением объекта на поверхность горячей воды репликой вверх.П р и м е р. Изучают структуру поверхности разрушения образцов из стали 45 Х 1-12 МФАШ в высокопрочном состоянии, Материал первичного...