Устройство для формирования тестового изображения в растровом электронном микроскопе
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Изобретение относится к техникеэлектронной микроскопии и может бытьиспользовано для создания тест-объектов, предназначенных для калибровкиразрешающей способности и масштабаувеличения в растровых электронныхмикроскопах,Целью изобретения является повышение контраста формируемого изображения эа счет усиления поглощениявторичных электронов н промежуткахмежду впадинами зубчатой поверхностиустройства.На фиг, 1 показано предлагаемоеустройство, поперечный разрез; нафиг, 2 - форма видеосигнала при сканировании первичного электронногозонда поперек к зубчатой поверхности;на фиг, 3 - линзовая конфигурацияэлектрического поля, возникающая призарядке диэлектрического дна впадины устройства; на фиг. 4 - зависимости отношения величин контраста Кдля предлагаемого устройства и К 25для устройства с проводящим дном впадин от энергии Е електронон зонда,нормированной величиной энергии Ео,соответствующей коэффициенту вторичной эмиссии, равному единица.30Рабочая поверхность устройстваобразована ( фиг, 1) последовательнорасположенными выступами 1 прямоугольног поперечного сечения, которые чередуются с нпадинами 2 шириной Г и глубиной й, 35Выступы и впадины могут быть образованы чередующимися слояьы различныхматериалов, При этом ширина образованных выступов превышает расстояние меж 40ду ними, т,е, размер ь, а дно впадинвыполнено иэ диэлектрика (например,диоксид кремния) с меньшим атомнымвесом по сравнению с материалом, иэкоторого образованы выступы ( например, 45золото), Отношение величин Ь(6 выбирается не менее единицы. В показанной нафиг, 2 форме видеосигнала резкое уменьшение его амплитуды соответстнуетвпадинам устройства, На Фиг, 3 в увеличенном виде показана одна из впадинс силовыми линияьо 3 электрического поля, траекторией 4 первичного зонда итраекторияье 5 вторичных электронов.Кривые 6, 7, 8 и 9 на фиг, 4 полученыэкспериментально для различных соотношений соответственно Ь =0,5; 1,О; 1,5;3,0,Устройство работает следующим образом,При сканировании зубчатой структуры поверхности устройства вторичноэмиссионный сигнал не изменяется, пока зонд облучает хорошо отражающийматериал ныступа и пока расстояниеот точки облучения до границы выступа не станет меньше радиуса областивыхода регистрируемых электронов,Далее, поскольку с боковой поверхности выступа также начинают выходитьэлектроны, то амплитуда видеосигналаначинает возрастать, пока зонд непересечет границы выступа, При этомамплитуда резко уменьшается с однойстороны за счет меныпего коэффициента отражения материала впадины, имеющего меньший атомный вес, а с другойстороны - за счет того, что диэлектрическое дно впадины, заряжаясь приоблучении, создает в совокупности спроводящими бокоными стенками ныступа рассеивающую линзу, силовые линии поля в которой отклоняют вторичные электроны на боковые стенки, Начиная с отношения Ь/С 1 это приводитк дополнительному снижению числа электронов, выходящих из пространства впадины, и более сильному уменьшению амнлитуды видеосигнала, Соответственноувеличивается контраст формируемогоизображения н достаточно широком диапазоне энергиий электронов первичногозонда.Более сильно эффект проявляется вдиапазоне низких энергий,Формула из обр ет ения УстРойство для форьиронания тестового иэображения в растроном электронном микроскопе, выполненное н виде подложки с последовательно расположенными проводящими выступами прямоугольного поперечного сечения, причем ширина выступов превышает расстояние между ниьи, а дно впадин ныполнено иэ диэлектрика с меньшим атомным весом по сравнению с материалом выступон, о т л и ч а ю Щ е е с я тем, что, с целью повышения контраста формируемого иэображения, глубана впадин не меныпе расстояния между выступания,1527548 Корректор Н, Корол оизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужг 101 ул, Гага Составитель В.ГаврюшРедактор И, Грьая Техред М. Дидык Заказ 7505/49 Тираж 789ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям113035, Москва, Ж, Раушскаяна открытиям д, 4/5
СмотретьЗаявка
3898766, 21.05.1985
МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ
БИРЮКОВА ТАТЬЯНА НИКОЛАЕВНА, РЫБАЛКО ВЛАДИМИР ВИТАЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 23/225, H01J 37/00
Метки: изображения, микроскопе, растровом, тестового, формирования, электронном
Опубликовано: 07.12.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-1527548-ustrojjstvo-dlya-formirovaniya-testovogo-izobrazheniya-v-rastrovom-ehlektronnom-mikroskope.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для формирования тестового изображения в растровом электронном микроскопе</a>
Предыдущий патент: Элетроаспиратор
Следующий патент: Образец для оценки прочности материала
Случайный патент: Способ получения диенов