Патенты с меткой «транзистор»

Номер патента: 1223796

Опубликовано: 07.01.1990

Авторы: Голованова, Мазель, Никольский, Стесин

МПК: H01L 29/72

Метки: многоэмиттерный, мощный, планарный, транзистор

...13 1 ряжение,Ск (ПФ) Транзисторы по примеру 1 предлагаемогоизобретенияТранзисторы по примеру 2 предлагаемого изобретенияТранзисторы в соответствии с прототипом 900 40 В 1 2 А 46 4,6 420 4,64,6 420 900 40 В; 2,5 А 500 40 В 2 А 4,7 4,7 540 тора с балластными резисторами согласно изобретению (пример 2),На фиг, 5 изображен разрез по области эмиттера структуры планарногомногоэмиттерного транзистора с балластными резисторами (пример 2),На Фиг, 6 изображен разрез по области базы структуры планарного многоэмиттерного транзистора с балластными резисторами (пример 2),Транзистор содержит полупроводниковыгг кристалл 1, область базы 2,область эмиттера 3, эмиттерный контакт 4, общую базовую контактную площадку 5, диэлектрик б, балластныйрезистор 7,...

Номер патента: 1538222

Опубликовано: 23.01.1990

Автор: Кузьменко

МПК: H03F 3/19

Метки: составной, транзистор

...изобретения Составитель П,Дик Рецактор И.Дербак Техред Л,Сердюкова Корректор Т.ИалецЗаказ 72 Тираж 648 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,101 Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в оконечных каскадах усилителей мощности,Целью изобретения является умень 5 шение напряжения насыщения коллекторэмиттер. На чертеже представлена принципиальная электрическая схема составно" го транзистора.Составной транзистор содержит первый 1, второй 2, третий 3 и четвертый 4 транзисторы.15 Составной транзистор работает следующим образом,Базовый ток...

Номер патента: 1562959

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Шеба, Экснер

МПК: H01L 29/161, H01L 39/22

Метки: квантово-интерференционный, транзистор

...управляющи ми электродами - порядка 1 мкм, То ковводы 3 имеют поперечное сечение соразмерное с поперечным размером контура 2,Транзистор работает следующим образом.При прохождении контакта токовв да с контуром волновая функция эле рона расщепляется на две части. Од на соответствует верхней части кон ра, другая - нижней. Изменение фаз приобретаемое при прохождении элек ронами нижней и верхней частей кон ра, зависит как от Формы ветвей, и от интенсивности полей, создавае мых управляющими электродами. При этом электроны в сверхтонкой квант1562959 2 юМсгп 1 Фиг,Г Составитель В, КремлевЗайцева Техред Л, Сердюкова Корректор М,Паро Редакт Заказ 1067 . Тираж 446 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытия113035, Москва,...

Номер патента: 1039413

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Афонин, Мазель, Стесин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, высоковольтный, транзистор

...При этом в двух образовавшихся зазорах будет падать напряжение примерно по 500 В, а на поверхности, расположенной за второй кольцевой областью, пространственный заряд будет расширяться, но поверхностного пробоя не наступит, так как до этого произойдет объемный пробой при напряжении порядка 1200 3. При снижении поверхностного удельного сопротивления в 5 раз, т.е. до 10 Ом, ширина пространственного заряда,при которой произойдет паверхностньй пробой, снизится до,примерно, 30 мкм,. а напряжение поверхностного пробоя :упадет до 400 В. В соответствии с этим для обеспечения поверхностного пробивного напряжения свьппе объемно" го, т.е. свьппе 1200 В, необходимо вокруг основного перехода создавать не менее 3 кольцевых областей на расстоянии не...

Номер патента: 1621817

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Александер, Владимир, Томас

МПК: H01L 29/78

Метки: затвором, изолированным, мощный, полевой, транзистор

...следовательно, устройство будет работатьв качестве устройства р-канала, а неустройства п-канала,Два истока помещаются на одной итой же поверхности полупроводникового7 6рабатывания способности выдерживать высокое обратное напряжение, и глубину, зависящую от необходимого обратного напряжения для данного устройства. Таким образом, для 400 В-ного устройства нижняя и -область может иметь глубину порядка 35 мкм, в то время как для 90 В-ного устройства она имеет глубину порядка 8 мкм. Другие глубины выбирают в зависимости от требуемого обратного напряжения устрой" ства для обеспечения получения необходимой более толстой области истощения, требуемой для предотвращения пробоя во время состояния подачи об-, ратного напряжения. Более верхнюю...

Номер патента: 1653129

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Богуш, Ткачук

МПК: H03F 3/18

Метки: составной, транзистор

...ктричес ого тра стора. Составно ый транзис ости, э миттером 2 орой тран имости 3 сторы 4,5 эмиттерт пе -ов сяра,им а про- трант вод зи ти имоси подОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТпО изОБРетениям и ОтнРытпРи пннт сссР ОПИСАНИЕ ИЗОБ54) СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТО 7) Изобретение относится к аналогой технике и может быть использовав интегральных схемах, содержащих илительные каскады. Цель изобретеНа чертеже приведена ема предлагаемого состй транзистор содержитор 1 первого типамиттер которого являсоставного транзисзистор 3 первого титретий и четвертыйвторого типа проводкоторых соединены ключены к шине 6 опорного потенциала, база 7 четвертого транзистора 5 и база и коллектор третьего транзистора 4 ;соединены и подключены к базе второго транзистора 3, эмиттер...

Номер патента: 1658374

Опубликовано: 23.06.1991

Автор: Венедиктов

МПК: H03F 3/19

Метки: составной, транзистор

...Т.Малец Редактор В. Данко Заказ 1721 Тираж 472 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж. Рэушская наб 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в различных усилительных и переключательных устройствах,Цель изобретения - уменьшение потребляемой мощности и повышение быстродействия.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предложенного составного транзистора.Составной транзистор содержит первый - пятый транзисторы 1-5, диод 6 и резистор 7,Составной транзистор работает следующим образом.При подаче входного сигнала положительной полярности на базу составного...

Номер патента: 1384120

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Ждан, Омельченко, Рыльков, Шафран

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: заряда, инверсии, каналах, мдп, носителей, свободных, транзистор

...нс с амплитудой 11 В и частотой следования455 кГц от генератора на фоне постоян-ного смещения напряжения. Ток между.истоком и стоком регистрируют с по .мощью осциллографа со стробоскопическим блоком. Время нарастания пере-. 50ходной характеристики определяютвизуально по сигналу на экраие ос-,циллографа, которое составляет 40 нс,Максимальную амплитуду У периодических импульсов определяют поформуле2 1. 1 - ЕсЬУ.ии+макс-18%Ь фйа8 биагде- требуемая точность равнаяв примере 0,45,Г - уровень Ферми;Е - энергия края зоны основсных носителей;- элементарный заряд;. - толщина диэлектрика,1 а ; концентрация легирующейпримеси в подложке;.ЕА - диэлектрические проницаемости полупроводника идиэлектрика соответственно, .При этом параметры...

Номер патента: 1748223

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Баранаускас, Иванов, Юодвалькис

МПК: H01L 27/10, H03F 3/26

Метки: интегральный, мощный, транзистор

...(Ок 4 ). Приняв усилители 5 и 6 за идеальные, из-за отрицательной обратной связи через дополнительный эмиттер дополнительногд транзистора 2 можно считать, что дополнительный транзистор 2 открывается настолько, чтобы падение напряжения Ощ было равно Овз . При этом напряжение Овз из-за отрицательной обратной связи через коллектор дополнительного транзистора 2 устанавливается такой величины, чтобы коллекторный ток этого транзистора был равен току, поступающему на вход устройства. Тогда для устройства в целом можно записать:Об-зо- Об-эд, = Об-эо - Об-эдв (1) ГДЕ Од-эо, Об-зо НаПРЯжЕНИЯ баэз-ОСНОВ- ной эмиттер основного и дополнительного транзисторов 1 и 2;Об-зд Об-зд, - напРЯжениЯ база-допол 15 нительный эмиттер основного и дополнительного...

Номер патента: 1755246

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Быстров, Ломашевич, Семенова

МПК: G02F 3/00, G06E 3/00

Метки: оптический, транзистор

...гистерезисные кривые 51 и 52 (фиг. 5),При подаче входного оптического сигнала интенсивностью , величина которой соответствует такому дополнительному увеличению оптической интенсивности в нелинейном кольцевом резонаторе 2, которое инициирует рассмотренный процесс лавинообразного изменения свойств нелинейного материала в кольцевом резонаторе 2, что в конечном итоге вызывает переход оптического транзистора в состояние, описываемое точкой С (из состояния, описываемого точкой Г), Поскольку каждая элементарная ячейка полосковый волновод 3 - нелинейный кольцевой резонатор 2 является бистабильным элементом с положительной обратной связью, осуществляемой через нелинейный кольцевой резонатор 2, то перекачка энергии света в последний также...

Номер патента: 1787296

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Андреева, Гордеев, Королев

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, мощный, транзистор

...структуры,при этом у нее отсутствуют их недостатки,Структура кристалла обладает таким распределением тока по площади, которое позволяет увеличить устойчивостьтранзистора к прямому вторичному пробою эмиттер, Это достигается тем, что ток эмиттера из-за улучшенного токораспределения меньше стягивается к центру при больших напряжениях коллектор - эмиттер.Для достижения цели в приведенной очегау-конструкции отдельные резистивные эмиттерные области объединяются общей резистивной областью, частично заходящей в область базы, а вдоль всей периферии зубцов эмиттера располагается замкнутая сильнолегированная полоска того же типа проводимости, что и эмиттер. При этом сильнолегированные эмиттерные полоски должны быть удалены друг от друга на...

Номер патента: 1817225

Опубликовано: 23.05.1993

Автор: Юрьев

МПК: H03F 3/19

Метки: составной, транзистор

...транзистора 1 и, как результат этого, уменьшается время запирания всего составного транзистора, что приводит к повышению его быстродействия,Составитель Н.ЮрьевТехред М.Моргентал Редактор Т.Иванова Корректор М.Петрова Заказ 1730 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 3Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может использоваться в генераторных и усилительных устройствах.Целью изобретения является повыше ние быстродействия.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема составного транзистора.Составной транзистор содержит пер вый 1 и второй 2...

Номер патента: 2000631

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Джалилов, Самсоненко, Сорокин

МПК: H01L 29/812

Метки: двухсторонним, канала, транзистор, управлением, шоттки

...Вскрывают окна в 10 г над омическими контактами (для измерений тока насыщения в канале). Наносят слой электронного резистэ ЭЛП. Проводят электронно-лучевую литографию с использованием установки ЕВА. При этом в электронном резисте формируют затворный рисунок в виде ряде дискеетмо расположенных окон. Минимальный размер формируемых окон 0,25 мкм, определяет длину затвора и обусловлен минимальным размером электронного штампа, Расстояние между окнами0,4 мкм.Проводят направленное плэзмохимическое травление 90 г в окнах маски на установке08 ПХОТ. Боковой растрав 310 г мал0,05 мкм, стенки травления практическивертикальны. Проводят имплантацию ионов5 В в открытые области полупроводника наустановке Лада, Доза 1 101 ион/см.Энергия ионов100 кэВ....

Номер патента: 1137966

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Десятов, Родионов

МПК: H01L 23/52

Метки: биполярный, свч, транзистор

СВЧ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий корпус, кристалл с контактными площадками к активным областям и проводники, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных, увеличения отдаваемой мощности и КПД коллектора путем частичной компенсации положительной обратной связи через индуктивность общего электрода, каждая базовая контактная площадка соединена с корпусом дополнительным проводником, длина которого превышает длину основного проводника в 1,5 - 4 раза и расположенным под углом 40 - 80o по отношению к проводникам, соединяющим эмиттерные контактные площадки с корпусом.

Номер патента: 1393264

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Жильцов, Сивак

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, планарный, транзистор

МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, являющуюся коллектором, в которой выполнена область базы с активными и пассивными участками, включающая эмиттерную область, диэлектрическое покрытие, в котором выполнены контактные окна, эмиттерную и базовую металлизации с контактными площадками, расположенные на диэлектрическом покрытии, и дополнительные области, расположенные в приповерхностной области коллектора с типом проводимости, противоположном типу проводимости коллектора, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента усиления по мощности, дополнительные области расположены над контактными площадками эмиттерной и базовой металлизации, имеют глубину не менее глубины пассивной части базовой области и находятся от нее на...

Номер патента: 1005607

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Борисов, Гурфинкель, Сергеев

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку с областями эмиттера первого типа проводимости, включающего высоколегированный и слаболегированный участки, базы второго типа проводимости, включающей высоколегированный пассивный участок, который охватывает слаболегированный активный участок, а также коллектора, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления мощности на частоте свыше 104 Гц, в активном участке области базы сформирована дополнительная высоколегированная зона того же типа проводимости, которая охватывает активный участок базы и примыкает к пассивному участку области базы, при этом проекция слаболегированного участка области базы на поверхность подложки размещена в пределах проекции...

Номер патента: 1662306

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Велигура, Выгловский, Косой

МПК: H01L 29/72

Метки: мощный, свч-многоэмиттерный, транзистор

...тока в цепи эмиттера, а.Выражение, определяющее величину токостабилизирующего сопротивления получено исходя из следующих исходных предпосылок:а) рабочая точка по постоянному току не должна меняться в крайних точках температурного диапазона транзистора, т.е. эо = эЛТб) приложенное напряжение к эмиттерному переходу определяется выражениемФО =Оэб +1 э РэьгДе Оэб - встРоенныйпотенциал Р-и-пеРехода;йэ - сопротивление цепи эмиттер база;4 - ток эмиттера,Температурная зависимость встроенного потенциала определяется выражением.О: О - К Лт,эб эб иогДе Оэб - встРоенный потенЦиал Р - и-перехода при начальной температуре;10К- термический коэффициентиэмиттерного напряжения;15 Л Т - изменение температуры,в) температурная зависимость...

Номер патента: 1409076

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Жильцов, Сивак

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, планарный, транзистор

МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий области эмиттера, базы и коллектора, диффузионные растворы, соединенные с эмиттерной областью, диэлектрическое покрытие с контактными окнами к соответствующим областям и контакты к ним, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем повышения стабильности тока, контакт, соединяющий резистивную область с эмиттерной, снабжен дополнительным участком, расположенным на диэлектрическом покрытии над областью резистора.

Номер патента: 1389610

Опубликовано: 20.01.1995

Автор: Левицкий

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, мощный, транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР, включающий полосковые эмиттерные электроды и двухуровневую эмиттерную и базовую металлизации гребенчатого типа, причем нижние уровни металлизации отделены от верхних изолирующим слоем с контактными окошками для соединения нижнего и верхнего уровней металлизации соответствующих электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и технологичности без ухудшения частотных свойств, зубцы гребенки эмиттерной металлизации расположены над и вдоль эмиттерных полосковых электродов, а зубцы базовой металлизации, проходящие между эмиттерными электродами, расположены под изолирующим слоем.

Номер патента: 1780472

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Соловьев, Соловьева

МПК: H01L 29/73

Метки: высоковольтный, транзистор

1. ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий области эмиттера, базы и коллектора, слой защитного диэлектрика с окнами для контактов к активным областям, при этом в области коллектора расположены кольцевые охранные области противоположного коллектору типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения пробивного напряжения за счет устранения электростатического поля вдоль поверхности защитного слоя, на защитном диэлектрике дополнительно сформирован полевой электрод, расположенный над коллекторной областью вне области пространственного заряда охранных колец и соединенный с контактом к базовой области.2. Транзистор по п.1, отличающийся тем, что над базовой областью вводят второй дополнительный полевой электрод, расположенный между...

Номер патента: 1812898

Опубликовано: 27.03.1995

Автор: Мац

МПК: H01L 29/808

Метки: p-n-переходом, полевой, транзистор, управляющим

...т" к 0 зи.отс,2-Отсо + р- приведенные напряжения отсечки участков с крутизнами 31 и 82 на ВАХ соответственно.40 Таим образом формируется ПТУА, обладающий на ВАХ изломом с О и отсД,2- -2,5) О , ,1. Однако при О,и=О, , 2 ток не стремится к нулю, т.к. остается участок протекания тока через разрыв - 9 во второй 45 замкнутой дискретной области затвора 7.Рассмотрим, что происходит далее в ПТУП при увеличении обратного напряжения Оэи.После перекрытия канала под второй дискретной областью затвора 7 областью про странственного заряда р-и-переходаподложка (нижний затвор) - канал, происходит "смыкание по напряжению" с плавающей областью 7. "Смыкание по напряжению" в трехслойной структуре р -и р+(нижний затвор - канал - верхний затвор7) происходит...

Номер патента: 1831966

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Дворников, Любый

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, интегральный, транзистор

1. ИНТЕГРАЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с изолированными областями второго типа проводимости, в которой сформированы области базы, коллектора и эмиттера с омическими контактами, коммутирующие шины, отличающийся тем, что, с целью обеспечения программируемости параметров для аналоговых схем, эмиттер выполнен в виде (m n + 1) дискретных областей, где m 1,2,3,n 1,2,3, одна из которых расположена в центре, а остальные по n-радиальным направлениям симметрично относительно центра эмиттера, к каждой из которых сформированы омические контакты, и между ними по радиальным направлениям расположено не менее n омических...

Номер патента: 1389611

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Кальфа, Тагер

МПК: H01L 29/76

Метки: легированием, планарным, полевой, транзистор

1. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ПЛАНАРНЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ, содержащий расположенный на подложке активный слой с омическими контактами истока, стока и барьерным контактом затвора, включающий моноатомный слой с примесными атомами, отличающийся тем, что, с целью увеличения крутизны, линейности переходной характеристики и предельных частот усиления по току и по мощности, активный слой выполнен из варизонного полупроводника с шириной запрещенной зоны, монотонно убывающей от границы активного слоя с подложкой к поверхности активного слоя.2. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что активный слой выполнен из нескольких слоев варизонного полупроводника.

Номер патента: 1568825

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Кальфа, Тагер

МПК: H01L 29/73

Метки: резонансно-туннельный, транзистор

РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий между полупроводниковыми слоями эмиттера и базы многослойную квантовую гетероструктуру из материалов с различными значениями ширины запрещенной зоны, включающую слой узкозонного материала, образующего квантовую яму для носителей заряда, ограниченную с двух сторон потенциальными барьерами, образованными слоями широкозонных материалов, отличающийся тем, что с целью повышения быстродействия транзистора, по крайней мере один из потенциальных барьеров, ограничивающих потенциальную яму со стороны базы, выполнен многослойным из полупроводниковых материалов, различающихся значениями скачка потенциалов для основных носителей заряда на гетерограницах между слоями этих материалов и узкозонным слоем,...

Номер патента: 1828339

Опубликовано: 27.02.1996

Автор: Мац

МПК: H01L 29/808

Метки: p-n-переходом, полевой, транзистор, управляющим

...которой формируются активные элементы транзистора. Одновременно с об.лас гью 3 формируются области 4, 9 первого типа проводимости. Стандартными методами в островной области формируют низкоомные области 5, 7 истока и стока. Завершают изготовление ПТУП формированием металлических контактов 8 к области истока, стока, затвора (изолирующей области и/или подложке). Рассмотрен режим работы ПТУП с элементом защиты промежутка затвор-исток. Аналогично работает и элемент защиты в виде области 9 расположенный под центральной частью стока. На фиг,3 представлена конструкция ПТУП с защитой как промежутка затвор-исток, так и затвор-сток,Пример конкретной реализации, ПТУП изготавливают на пластине монокристаллического кремния ориентации 100 ртипа...

Номер патента: 1091783

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку, на которой расположена планарная транзисторная структура с чередующимся типом проводимости, включающая области эмиттера, базы и коллектора, причем область коллектора содержит приповерхностную высоколегированную зону, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулирования коэффициента усиления и расширения функциональных возможностей, в структуре выполнен паз, дно которого расположено в области коллектора, а области эмиттера и базы ограничены одной из стенок паза, на стенках паза сформированы слой диэлектрика и электрод, причем последний является полевым по отношению к области коллектора.

Номер патента: 1827144

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/02

Метки: биполярный, вертикальный, транзистор

1. Вертикальный биполярный транзистор, содержащий в полупроводниковой подложке коллекторную область типа проводимости с канальным ограничителем, базовую область противоположного типа проводимости, эмиттерную область первого типа проводимости и пассивирующее покрытие по крайней мере на части поверхности базовой и коллекторной областей, отличающийся тем, что, с целью уменьшения аномально высокого уровня и дрейфа обратных токов Iкэо и Iкэ транзистора благодаря предотвращению попадания избыточных неосновных носителей заряда базовой области в приповерхностную часть области пространственного заряда коллекторного перехода, базовая область транзистора содержит по крайней мере одну дополнительную область, в которой дефектность...

Номер патента: 1827146

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненной в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы без изменения его временных и электрических параметров за счет изменения ширины и уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и прилегающей к ней области коллектора, ширина активной базы стабилитрона больше ширины активной базы рабочей транзисторной структуры, а степень...

Номер патента: 1827149

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, мощный, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор, имеющий по крайней мере одну эмиттерную область шириной I с постоянной глубиной и степенью легирования и активную базу с переменной степенью легирования, отличающийся тем, что, с целью уменьшения площади его транзисторной структуры с сохранением коэффициента усиления по току и устойчивости к вторичному пробою, ширину W активной базы выбирают из соотношения W Wmin + k I, где 0 К 1, а Wmin - минимальная ширина активной базы.2. Транзистор по п.1, отличающийся тем, что участок активной...

Номер патента: 1827150

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, мощный, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор, содержащий по крайней мере одну эмиттерную область шириной l переменной глубины и степени легирования, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления по току с сохранением устойчивости к вторичному пробою, эмиттерная область состоит по крайней мере из двух симметричных относительно центра эмиттерной области зон, в которых глубину эмиттерной области H выбирают из соотношения H=H0+kl, где а H0 глубина эмиттерной области на внешнем краю зоны.2. Транзистор по п. 1, отличающийся тем, что участку эмиттерной области с максимальной глубиной соответствует максимальная степень легирования, а участку с...