Составной транзистор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1817225
Автор: Юрьев
Текст
ОЮЗ сОВЕТСкИХОЦИАЛИСТИЧЕСКИХЕСПУБЛИК 1817225 Н 03 Гз/1 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТК ДВтоРС 0 МУ СаИДЕТЕЛЬСтВУ.: Радиои вой ия: то- ный ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(57) Использование: в полупроводникаэлектронике, в генераторных и усилитеных устройствах. Сущность изобретенсоставной транзистор содержит транзисры 1 и 2 одинаковой структуры, обратдиод 3 и стабилитрон 4, База первого тран зистора соединена с эмиттером второго транзистора, переход база - эмиттер которого шунтирован обратным диодом. База второго, эмиттер первого и объединенные коллекторы первого и второго транзисторов являются соответственно базой, эмиттером и коллектором составного транзистора. Стабилитрон включен последовательно с диодом, при этом их аноды соединены,в результате чего уменьшается время запирания транзистора 1, что приводит к повышению быстродействия составного транзистора. 1 ил.1817225 и падением напряжения на диоде 3 и стабилитроне 4. В результате такого включения диода и стабилитрона уменьшается время запирания транзистора 1 и, как результат этого, уменьшается время запирания всего составного транзистора, что приводит к повышению его быстродействия,Составитель Н.ЮрьевТехред М.Моргентал Редактор Т.Иванова Корректор М.Петрова Заказ 1730 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 3Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может использоваться в генераторных и усилительных устройствах.Целью изобретения является повыше ние быстродействия.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема составного транзистора.Составной транзистор содержит пер вый 1 и второй 2 транзисторы, обратный. диод 3 и стабилитрон 4,Составной транзистор работает следующим образом.При подаче на базу транзистора 1 атно сительно эмиттера транзистора 2 отрицательного запирающего напряжения к переходу база-эмиттер транзистора 1 прикладывается запирающее напряжение, равное падению напряжения на диоде 3 и 20 стабилитроне 4, а к переходу база - эмит 1 ер транзистора 2 прикладывается разность напряжений между напряжением управления Формула изобретения Составной транзистор, содержащий первый и второй транзисторы одинаковой структуры, база первого транзистора соединена с эмиттером второго транзистора, переход база-эмиттер которого шунтирован обратным диодом, при этом база второго, эмиттер первого и объединенные коллекто- . ры первого и второго транзисторов являются соответственно базой, эмиттером и коллектором составного транзистора, о тлича ющийся тем,что,сцельюповышения быстродействия, последовательно с диодом включен стабилитрон, при этом аноды диода и стабилитрона соединены.
СмотретьЗаявка
4949592, 26.06.1991
Н. Я. Юрьев
ЮРЬЕВ НИКОЛАЙ ЯКОВЛЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03F 3/19
Метки: составной, транзистор
Опубликовано: 23.05.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1817225-sostavnojj-tranzistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Составной транзистор</a>
Предыдущий патент: Исполнительный асинхронный электропривод
Следующий патент: Активный полосовой пьезоэлектрический фильтр
Случайный патент: Ковочный пневматическмй молот