Составной транзистор

, 1658374 Н 5 НОЗ ГЗ 19 ГОСУДАРСТВЕННЫЛ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУаевЪ(57) Изобретение относится к микроэлектронике. Цель изобретения - уменьшение потребляемой мощности и повышениебыстродействия. В составном транзистореиспользуются пять транзисторов 1-5, диод 6и резистор 7. При работе образуются дваканала прохождения сигнала, В первом канале, состоящем из трех последовательновключенных эмиттерных переходов транзисторов 1-3, происходит эффективное усиление сигнала по току, Второй канал,состоящий из двух последовательно включенных эмиттерных переходов транзисторов 1 и 4, вспомогательный и служит для управления состоянием транзистора 5. Второй канал начинает проводить ток при меньшей, чем у первого амплитуде входного сигнала, По этой причине транзистор 3 открывается при закрытом транзисторе 5 и закрывается при открытом транзисторе 5, В результате сокращаются длительности переходных процессов открывания-закрывания мощного транзистора 3. При открывании транзистора 3 происходит запирание диода 6 и тем самым отключение транзисторов 1 и 2 от цепи нагрузки, В результате снижается остаточное напряжение Я составного транзистора, т,е. уменьшаетсяпотребляемая мощность и повышаетсяКПД, 1 ил.1658374 рой транзистор 2 в принципе не может нэходиться в режиме насыщения, т,е. усиленные свойства этих транзисторов изменяются незначительно. Третий транзистор 3 входит в режим насыщения и его остаточное напряжение составляет 0,1- 0,3 В, т.е, на коллекторе составного транзистора остаточное напряжение такое же, кэк у обычных импульсных транзисторов,Это обеспечивает уменьшение потребляемой мощности и повышает КПД устройств, Кроме того, запирание третьего (мощного) транзистора 3 происходит при насыщенном пятом транзисторе 5, а его отпирание - при закрытом пятом транзисторе 5. В результате сокращается длительность переходных процессов в режиме переключения,5 10 15 Формула изобретения 20 25 30 35 40 45 Составитель В. СероеТехред М.Моргентал Корректор Т.Малец Редактор В. Данко Заказ 1721 Тираж 472 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж. Рэушская наб 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в различных усилительных и переключательных устройствах,Цель изобретения - уменьшение потребляемой мощности и повышение быстродействия.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предложенного составного транзистора.Составной транзистор содержит первый - пятый транзисторы 1-5, диод 6 и резистор 7,Составной транзистор работает следующим образом.При подаче входного сигнала положительной полярности на базу составного транзистора происходит его разделение на два канала. В первом канале, состоящем из трех последовательно включенных эмиттерных переходов первого-третьего транзисторов 1-3, происходит эффективное усиление сигнала, так как первые два транзистора представляют собой составной транзистор с большим интегральным коэффициентом усиления и большим остаточным напряжением между коллектором и эмиттером.Во втором канале, состоящем из двух последовательно включенных эмиттерных переходов первого 1 и четвертого 4 транзисторов, также происходит эффективное усиление входного сигнала с переворотом его фазы на 180 О, что приводит к возможности эапирания пятого транзистора 5,Так как второй канал состоит из двух последовательно соединенных эмиттерн ых переходов, а первый канал - иэ трех, то второй канал начинает проводить ток при меньшей амплитуде входного сигнала, чем первый. Это приводит к тому, что первый канал начинает проводить ток, когда уже закроется пятый транзистор 5. При насыщении третьего транзистора 3 происходит запирание диода 6, что удерживает первый транзистор 1 от режима насыщения, а втоСоставной транзистор, содержащий первый, второй и третий транзисторы, а также диод, включенный между коллекторами второго и третьего транзисторов, причем коллектор первого транзистора подключен к коллектору второго транзистора, эмиттер первого транзистора - к базе второго транзистора, эмиттер которого подключен к базе третьего транзистора, база первого транзистора, коллектор и эмиттер третьего транзистора являются соответственно базой, коллектором и эмиттером составного трайзистора, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и повышения быстродействия, введены четвертый и пятый транзисторы и резистор, включенный между шиной питания и базой пятого транзистора, коллектор и эмиттер которого соединены с базой и змиттером третьего транзистора, база, коллектор и эмиттер четвертого транзистора подключены соответственно к эмиттеру первого транзистора, к базе и эмиттеру пятого транзистора