Составной транзистор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1538222
Автор: Кузьменко
Текст
. 3/ ИЯ А ВТОРСКОМУ С ТЕЛЬСТВ ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ П 1 НТ СССР(56) Агаханян Т.М. Интегральные микросхемы: Учеб. пособие для вузов. М.: Энергоатомиздат, 1983, с.75, рис.3.7.Патент Великобритании Н 1399530, кл. Н 3 Т, Н 03 Г 3/19, опублик,1972. (54) СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР (57) Изобретение относится к полупроводниковой электронике им.б. использовано в оконечных каскадах уси" лителей мощности. Цель изобретения " уменьшение напряжения насыщения кол" лектор " эмиттер. Поставленная цель достигается тем, что в составнойтранзистор, содержащий транзисторы1-3, введен транзистор 4, структуракоторого совпадает со структуройтранзистора 1. Базовый ток составного транзистора перераспределяетсямежду базами транзисторов 1 и 4 взависимости от коэффициентов передачи тока базы транзисторов 2 и 3. Напряжение насыщения составного транзистора определяется соответствующими параметрами транзисторов 1 и 4,которые могут быть укреплены на общемрадиаторе без изолирующих прокладок,что способствует облегчению теплового режима составного транзистора иувеличению максимальной рассеиваемоймощности, 1 ил.1538222 определяется соответствующими параметрами одиночных транзисторов 1 и 4,Первый 1 и четвертый 4 транзисторы могут быть укреплены на общем радиаторе без изолирующих прокладок,цто способствует облегчению теплового режима составного транзистора иувеличению максимальной рассеивамоймощности,формула изобретения Составитель П,Дик Рецактор И.Дербак Техред Л,Сердюкова Корректор Т.ИалецЗаказ 72 Тираж 648 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,101 Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в оконечных каскадах усилителей мощности,Целью изобретения является умень 5 шение напряжения насыщения коллекторэмиттер. На чертеже представлена принципиальная электрическая схема составно" го транзистора.Составной транзистор содержит первый 1, второй 2, третий 3 и четвертый 4 транзисторы.15 Составной транзистор работает следующим образом,Базовый ток составного транзистораперераспределяется между базами первого 1 и четвертого 4 транзисторовв зависимости от коэффициентов передачи тока базы второго 2 и третьего3 транзисторов. Если эти коэффициенты близки друг . другу и много больше 25единицы, то базовые токи первого 1 ичетвертого 4 транзисторов практическиодинаковы, независимо от степени согласования этих транзисторов по входным характеристикам, Бсли коэффициенты передачи тока базы первого 1 ичетвертого 4 транзисторов одинаковы,то эти транзисторы работают пример-но в равных условиях, т.е. рассеивают одинаковую мощность. Напряжениенасыщения составного транзистора 0 оставной транзистор, содержащий первый и второй транзисторы одной структуры и третий транзистор другой структуры, при этом коллектор и эмиттер первого транзистора являются коллектором и эмиттером составного транзистора соответственно, эмиттер второго транзистора соединен с базой первого транзистора, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, цто, с целью уменьшения напряжения насыщения коллекторэмиттер, введен четвертый транзистор, структура которого совпадает со структурой первого транзистора, коллектор и эмиттер четвертого транзистора соединены соответственно с коллектором и эмиттером первого транзистора, а база - с коллектором третьего транзистора, база которого соединена с базой, а эмиттер - с коллектором второго транзистора, причем эмиттер третьего транзистора является базой составного транзистора.
СмотретьЗаявка
4250706, 27.05.1987
В. Л. Кузьменко
КУЗЬМЕНКО ВЛАДИМИР ЛЕОНИДОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03F 3/19
Метки: составной, транзистор
Опубликовано: 23.01.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1538222-sostavnojj-tranzistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Составной транзистор</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения флуктуаций свч-колебаний
Следующий патент: Усилитель мощности класса д
Случайный патент: 1сесоюзная