Патенты с меткой «транзистор»

Номер патента: 1827151

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненный в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы, за счет изменения конструкции активной базы стабилитрона, активная база стабилитрона выполнена в виде областей-ячеек, в которых ширина и степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры, окруженных...

Номер патента: 1827152

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор

Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненный в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, причем ширина и/или степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и/или степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы, при сохранении временных и электрических параметров транзистора за счет уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и...

Номер патента: 1549419

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Ильичев, Полторацкий, Савченко

МПК: H01L 29/80

Метки: интерференционный, квантовый, полевой, транзистор

Квантовый интерференционный полевой транзистор, содержащий подложку из арсенида галлия с кристаллографической ориентацией (001) с последовательно расположенными на ней каналами в виде слоев арсенида галлия n-типа проводимости с барьерным слоем GaAlAs между ними и сформированные на подложке контакты стока, истока и затвора, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции, барьерный слой выполнен в виде совокупности кластеров, образующих в кристаллографических направлениях (110) и (001) регулярную структуру с периодом, равным 1 3 длинам волн де Бройля, и имеющую толщину а каналы ориентированы вдоль кристаллографического направления (110).

Номер патента: 1828340

Опубликовано: 27.07.1996

Автор: Мац

МПК: H01L 29/808

Метки: p-n-переходом, полевой, транзистор, управляющим

...1 1 3 1 Ззи отс 2В настоящем решении выполняются основные требования, предъявляемые к ПТУП - входным транзистором электрометрического усилителя: обеспечение на выходной ВАХ линейного участка при изменении в широком диапазоне напряжения сток-исток: минимизация токов утечки затвора.1.В настоящем решении 11,о, связано с (.1 зо, соотношением (2) У = 4 +у - (Б +р )р ) (2) зиотс 1 зиотс 2 к зиотс 1 к оВ настоящем решении 1)зо, = (2,2 2,5) 1)так как 11,и о, определяет только одна область затвора, а Б,определяет как область второго затвора, так и подложка. При любом изменении значения 11 1),всегда в (2,2 - 2,5) раз будет больше, т.е. ПТУП 1- основной транзистор всегда будет работать на линейном участке выход1828340 б ной ВАХ, И реализуется...

Номер патента: 1031379

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Дмитриев, Дубровская, Нечаев, Павлов, Смолкин, Филатов

МПК: H01L 29/772

Метки: полевой, транзистор

Полевой транзистор со встроенным каналом, содержащий электрод затвора и расположенные вдоль него контактные площадки, соединенные с электродом затвора посредством соединительной металлизации, причем контактные площадки и участки соединительной металлизации до канала расположены на высокорезистивном слое, отличающийся тем, что, с целью улучшения шумовых характеристик, под соединительной металлизацией в канале выполнен высокорезистивный слой, ширина которого удовлетворяет следующему неравенству:где D ширина соединительной металлизации в области канала;Wк ширина канала;n количество контактных площадок.

Номер патента: 1482479

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Овчинников, Павельев

МПК: H01L 29/812

Метки: вертикальный, полевой, транзистор

Полевой вертикальный транзистор, содержащий подложку, двуслойную мезаструктуру, верхний слой которой выполнен из полупроводника n-типа, а нижний из полупроводника n++-типа, а также электроды истока, стока и затвора, расположенные по одну сторону подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения предельной частоты генерации транзистора, на верхнем слое мезаструктуры по краям ее боковых граней сформированы снабженные балочными выводами барьерные контакты, расположенные симметрично относительно мезаструктуры выше границы раздела ее слоев и отделенные от подложки воздушным зазором, при этом один из барьерных контактов служит затвором, а другой - стоком, омический контакт истока сформирован на подложке и снабжен балочным выводом, а...

Номер патента: 1424656

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Захаров, Левицкий, Левкович, Синкевич, Шелчков, Шибанов, Щиголь

МПК: H01L 29/73

Метки: высокочастотный, мощный, транзистор

Мощный высокочастотный транзистор, сформированный в корпусе с выводами эмиттера, базы и коллектора и содержащий ряд параллельно включенных транзисторных структур с электродами эмиттера, базы и коллектора и балластными резисторами в эмиттерной цепи, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических параметров транзистора путем обеспечения равномерного распределения тока между отдельными структурами, в корпусе транзистора на его эмиттерном выводе напротив каждой транзисторной структуры установлены полупроводниковые кристаллы, на каждом из которых сформированы RC-цепочки, представляющие собой параллельно соединенные балластный резистор и конденсатор, при этом один конец каждой RC-цепочки соединен проводником с эмиттерным электродом, а...

Номер патента: 1582926

Опубликовано: 27.02.1997

Авторы: Верников, Левицкий

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, транзистор

Биполярный транзистор, включающий эмиттерные области в виде параллельно расположенных полосков, нижний и верхний уровень металлизации с изолирующим слоем между ними, контактными окошками в изолирующем слое для электрического соединения нижнего и верхнего уровней металлизации, причем контактные окошки расположены вдоль эмиттерных областей, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности за счет снижения перегрева центральных областей транзистора, каждая эмиттерная область снабжена двумя эмиттерными контактными зонами, каждая из которых состоит по крайней мере из одного контактного окошка в изолирующем слое, а расстояние между контактными окошками, принадлежащими одной зоне, меньше промежутка между зонами, причем этот промежуток...

Номер патента: 1577633

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Касумов, Кононенко, Копецкий, Матвеев

МПК: H01L 29/80

Метки: баллистический, транзистор

Баллистический транзистор, содержащий последовательно расположенные эмиттер, металлическую базу, коллектор и затвор, расположенный между эмиттером и коллектором, отличающийся тем, что, с целью снижения рабочих напряжений, база выполнена из сверхчистого металлического кристалла, эмиттер и коллектор выполнены в виде микроконтактов к базе, а затвор - в виде проводящей микрошины, расположенной от эмиттера на расстоянии 0,1 - 5 мкм.

Номер патента: 1322934

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Богомяков, Дученко, Матанов, Потапчук

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, транзистор

Мощный транзистор, содержащий базу, коллектор с электродами, профилированный по глубине эмиттер с расположенной над ним металлизацией и выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочего тока коллектора, быстродействия и устойчивости к вторичному пробою, эмиттер состоит из чередующихся между собой участков разной глубины, причем участки большей глубины по крайней мере частично охвачены участками меньшей глубины.

Номер патента: 1225438

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Канищев, Куксо, Пекуров, Румак, Тишкевич

МПК: H01L 29/784

Метки: полевой, транзистор

Полевой транзистор с изолированным затвором, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в которой сформированы области стока и истока второго типа проводимости, затвор, подзатворный диэлектрик, к которому сформированы два контакта, расположенные по обе стороны от затвора, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования сопротивления и повышения стабильности, в подзатворном диэлектрике сформирована дополнительная область, примыкающая к двум контактам и содержащая катионные примеси концентрацией 1011 - 10-3 см-3, отношение толщины дополнительной области к толщине подзатворного диэлектрика составляет 0,2-0,5, при этом...