Биполярный мощный транзистор

Номер патента: 1389610

Формула

БИПОЛЯРНЫЙ МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР, включающий полосковые эмиттерные электроды и двухуровневую эмиттерную и базовую металлизации гребенчатого типа, причем нижние уровни металлизации отделены от верхних изолирующим слоем с контактными окошками для соединения нижнего и верхнего уровней металлизации соответствующих электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и технологичности без ухудшения частотных свойств, зубцы гребенки эмиттерной металлизации расположены над и вдоль эмиттерных полосковых электродов, а зубцы базовой металлизации, проходящие между эмиттерными электродами, расположены под изолирующим слоем.

Описание

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструированию мощных биполярных транзисторов.
Цель изобретения - повышение надежности и технологичности транзистора без ухудшения частотных свойств.
На фиг. 1 показан разрез структуры биполярного мощного транзистора в направлении, перпендикулярном зубцам эмиттерной металлизации; на фиг.2 - детали конструкции транзистора с верхним уровнем металлизации (случай контактирования одного зубца гребенки эмиттерной гребенчатой металлизации с одним эмиттерным полосковым электродом).
Транзисторная структура мощного транзистора изготовлена на базе кремниевого кристалла 1, который имеет низкоомный n⁺-слой 2 с удельным сопротивлением p = 0,01 ом

см высокоомный n-слой 3 с p = =0,75 ом

см. Транзисторная структура включает базовую область 4 p-типа, в которой располагается эмиттерная область n⁺-типа, состоящая из множества дискретных полосковых эмиттерных электродов 5 шириной 1,2-1,5 мкм и контактных окошек 6 в слое 7 двуокиси кремния толщиной 0,3 мкм. Ширина контактных окошек 6 на 0,2-0,3 мкм меньше ширины эмиттерных полосковых электродов 5. В промежутках между эмиттерными полосковыми электродами 5 параллельно им расположены продолговатые окошки 8 шириной 1-1,5 мкм в слое 7 двуокиси кремния для контакта металлизации с базовой областью 4 транзисторной структуры. Окошки 6 и 8 в слое 7 двуокиси кремния покрыты металлическими полосками 9 и 10, изготовленными из молибдена толщиной 0,2 мкм и p = 0,75 ом

см. Металлические полоски 9 над эмиттерным полосковым электродом 5 могут быть заменены легированным поликремнием или вообще отсутствовать, если ширина эмиттерного полоскового электрода 5 позволяет протравить в нем контактное окошко меньше его ширины. В данном случае металлическая полоска или полоска из поликремния над эмиттерным полосковым электродом 5 имеет чисто технологическое значение. Они предотвращают разрушение слоя 7 двуокиси кремния над эмиттерным переходом во время травления окошек 11 в слое 12 двуокиси кремния, изолирующего нижний уровень металлизации от верхнего. Окошки 11 расположены непосредственно над эмиттерными электродами 5. Верхний уровень металлизации эмиттерной области выполнен из алюминия толщиной 1 мкм в виде гребенки, зубцы 13 которой имеют ширину 4 мкм и расположены над и вдоль полосковых эмиттерных электродов. В основании зубцов эмиттерной металлизации расположены уравнивающие сопротивления 14, выполненные из нихрома с поверхностным сопротивлением 10 Ом/ . Основание 15 гребенки эмиттерной металлизации верхнего уровня совмещено с контактной площадкой для присоединения вывода.
Базовая металлизация транзисторной структуры гребенчатого типа, зубцами которой являются молибденовые полоски 10 шириной 2,5 мкм, расположена под окислом, изолирующим нижний уровень металлизации от верхнего, а основание базовой гребенки 16 расположено сверху указанного изолирующего окисла и сообщается с зубцами через окошки 17 в изолирующем слое 12 двуокиси кремния. Предлагаемая конструкция была изготовлена с использованием известных технологических процессов.
Технико-экономическая эффективность изобретения по сравнению с известным заключается в существенном увеличении долговечности транзистора, улучшении его устойчивости к вторичному пробою и технологичности его изготовления.
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Целью изобретения является повышение надежности и технологичности без ухудшения его частотных свойств, в транзисторе, содержащем двухуровневую систему металлизации гребенчатого типа, зубцы гребенки эмиттерной металлизации, проходящие поверх слоя изолирующего нижний уровень металлизации от верхнего, расположены над и вдоль эмиттерных электродов, а зубцы гребенки базовой металлизации, проходящие между эмиттерными электродами, расположены под вышеуказанным изолирующим слоем. 2 ил.

Рисунки

Заявка

4087246/25, 09.07.1986

Левицкий К. Б

МПК / Метки

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, мощный, транзистор

Опубликовано: 20.01.1995

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1389610-bipolyarnyjj-moshhnyjj-tranzistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Биполярный мощный транзистор</a>

Похожие патенты

Способ получения двуокиси кремния, легированной двуокисью титана

Номер патента: 715459

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Анисимова, Кузнецова, Нирша, Слесарева

МПК: C01B 33/12

Метки: двуокиси, двуокисью, кремния, легированной, титана

...М.Недолуженко Техред З,Фанта Корректор Н, Зацерновская Заказ 9610/3 Тираж 565 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРяо делам изобретений й открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5ФилиЪл ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Ф 1ным холодильником в течение 2 ч до55"С. (скорость нагрева 0,2 С/мий),: При"этом реакционная масса загусте вает в"продукт желто-зеленого цвета,Далее реакционную массу йагреваютдо температуры 120 С в теченйе,12 мин .(скорость нагрева 6 С/мин).Получают твердофазный продукт белогоцвета, который прокаливают на возду-хев трубчатой кварцевой печи йри450 фс до полученияцелевого продукта.Ссдержание двуокиси титана в конечном продукте по анализу 10,8 весВыход продукта 99,4,П р и м е р 2. К 28,6...

Электрод для реактора с псевдоожиженным слоем

Номер патента: 683799

Опубликовано: 05.09.1979

Авторы: Богомолов, Кожан, Сукачев

МПК: B01J 8/42

Метки: псевдоожиженным, реактора, слоем, электрод

...и рабочую часть - насадку 3, Последняя представляет собой полый тонкостенный цилиндр, в верхней части которого выполнены отверстия 4, а в нижней - зубчатые вырезы 5 высотой 0,1-0,2 от высоты цилиндрической части, Цн.линдрическая часть насадки соединена с токо.подводящим кабелем через днище 6.Для уменьшения плотности тока, проходящего через псевдоожиженный слой 7, диаметр насадки должен быть равен 0,4 - 0,6 от внутрен него диаметра реактора 8, Прн таком испол.пении плотность тока уменьшается в несколь683799 ЦНИИПИ Заказ 5182/6, Тираж 877 Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,ко раз по сравнению со стержневыми электро. дами, у которых диаметр рабочей части равен или меньше диаметра токоподводящей части.Более равномерное...

Рентгеночувствительный экран

Номер патента: 1115110

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Евстишенкова, Коржова, Кудрявцева, Лавут

МПК: G21K 4/00

Метки: рентгеночувствительный, экран

...Многократного обжига экрана. 30Цель изобретения - повышение чувствительности и упрощение технологии изготовления.Поставленная цель достигается тем, 1что в рентгеночувствительном экране, выполненном в виде конденсаторной структуры, содержащей нанесенные на металлическую подложку слои выполненного из стекла диэлектрика, люминофора и прозрачного электрода, в стекло диэлектрика введена двуокись титана в количестве 40-603 по массе,Рентгеночувствительный экран содержит нанесенные на металлическую подложку первый слой диэлектрика, 45 состоящий из стекла марки Р(состав стекла, мас,7: Я 10- 15,0; ТО,0; В 0 - 40,0; ЯЬ 05 0,2; Сао 4,0; СаГ - 4,0; 2 по - 17,0; Ь 10 - 2,0; Наго - 8,0; Кдо - 8,0)и 40-607. по массе двуокиси титана (Т 10 д),...

Светоклапанный индикатор

Номер патента: 1534497

Опубликовано: 07.01.1990

Автор: Джавадов

МПК: G09F 9/00

Метки: индикатор, светоклапанный

...расхождении света, проходящего через него, а само 15 оуправление рассеиванием основано на обратимом изменении состояния остаточной поляризации сегнетокерамики под действием вектора напряженности Е внешнего возбуждаю щего электрического поля. Домены кристалликов сегнетокерамики активного слоя 3 предварительно поляризуются во внешнем постоянном электрическом поле с напряженностью порядка 20 кВ/см, т. е. векторы поляризации доменов переводятся в исходное 1.-состояние, при котором они лежат в плоскости индикатора и направлены преимуш,ественно от нижней грани индикатора к верхней или наоборот. В этом случае и при отсутствии внешнего возбуждения (Е=0) светопропускание активного слоя 3 максимально и тем больше, чем меньше разница...

Способ изготовления копии дифракционной решетки

Номер патента: 1297624

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Барачевский, Бурменко, Гвоздовский, Гудзере, Задонцев, Камардин, Карнаух, Кислица, Козенков, Маслакова, Нерозник, Осташкова, Передереева, Санчугова, Стрежнев

МПК: G03F 7/004

Метки: дифракционной, копии, решетки

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОПИИ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКИ, включающий последовательное нанесение на стеклянную матрицу маннита, алюминия, моноокиси кремния и олигомерной композиции, содержащей олигомер, стирол и фотоинициатор, наложение на слой олигомерной композиции стеклянной подложки, обработанной метакрилоксиметилтриэтоксисиланом, отверждение композиции ультрафиолетовым светом и отделение подложки, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени изготовления копии решетки и повышения ее климатической устойчивости, в качестве олигомера используют олигоуретанакрилат формулы(CH2= CH- -O-CH2-

Предыдущий патент: Устройство для рефлексотерапии

Следующий патент: Устройство для гидрораспора валков прокатной клети

Случайный патент: Измельчитель растений

В верх страницы