Квантово-интерференционный транзистор

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК ЕТЕНИЯ ЕЛЬСТВ Иф 17нститут ядерных Павел Экснер а 1 РЬепо цаяе ТЬ Со, Ащз о спол нике. Цел Фицие Наь изоб овышени хематич о ения та модуляции тоФиг, приведеноажение транзистозависимости прт интенсивности кое ф" Ж а; нафиводимо сэлек три изо ског тк ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕК АВТОРСКОМУ Сви(56) 1.апсйогс 1 О,Е. Сп.гасщепа. Капдоп Бузеещз апд .Сгачев. ИоггЬ-Но 11 апд РцЪ 1,4 ащ, 1986, р.1-85.Багга 3. ег а 1, Арр 1 ЯЬуз. 1.е47, 1986, р.487-489.(57) Изобретение относится к выч бретение относится к полупроовым приборам и может бытьзовано в вычислительной техполя,Транзистор включает подложку 1,на которой расположен интерференционный контур 2 с токовводами 3 и управляющими электродами 4, Интерференционный контур выполнен из монокристаллического полупроводникового материала (например, арсенида галлия ввиде квантовой проволоки). Размерпоперечного сечения полупроводника ЯО 69(51) 5 Н 01 1 29/161 39/2 лительнои технике и решает задачуповышения коэффициента модуляции амплитуды тока, Целью изобретения является повышение коэффициента модуляциитока, Транзистор представляет собойзамкнутый контур, выполненный на ос.нове монокристаплической пленки 1,.например, из арсенида галия), к которомус двух противоположных сторон подведены два токоввода, Замкнутый контурс токовводами лежит между двумяуправляющими электродами. Длина контурамежду токовводами меньше длины свободного пробега электронов, Контур,токовводы и управляющие электродылежат в одной плоскости и расположены на изолирующей подложке, 2 ил. при этом составляет величину поряд ка 100-200 А. Расстояние между кон тактами 0,4 мкм, а между управляющи ми электродами - порядка 1 мкм, То ковводы 3 имеют поперечное сечение соразмерное с поперечным размером контура 2,Транзистор работает следующим образом.При прохождении контакта токовв да с контуром волновая функция эле рона расщепляется на две части. Од на соответствует верхней части кон ра, другая - нижней. Изменение фаз приобретаемое при прохождении элек ронами нижней и верхней частей кон ра, зависит как от Формы ветвей, и от интенсивности полей, создавае мых управляющими электродами. При этом электроны в сверхтонкой квант1562959 2 юМсгп 1 Фиг,Г Составитель В, КремлевЗайцева Техред Л, Сердюкова Корректор М,Паро Редакт Заказ 1067 . Тираж 446 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытия113035, Москва, Ж, Раушская иаб., д. 4/5 при ГКНТ СССР Патент", г.ужгоро ул. Гагарина,О 1 вой проволоке ведут себя как "одномерные".После прохождения различных частей контура в контакте второго токоввода,с контуром происходит ин 5 терференция электронов с различными фазами. Так как разница фаэ зависит от интенсивности поля, создаваемого управляющими электродами, то меняя последнюю, можно изменять вероятность 1 О прохождения электрона через контур.Эта вероятность определяет проводимость контура по формуле Ландауера. Таким образом, при определенном напряжении на управляющих электродах 4 15 можно блокировать ток, проходящий через контур 2, В зависимости от напряжения на электродах 4 меняются усло - вия интерференции и устанавливаются различные уровни токов в токовводах 3,20 Отношение величины максимального и минимального тока сквозь петлю (коэффициент модуляции) составляет 1000:1 (теоретически), причем для блокирования (деблокирования) петли 25 роиэводственно-издательский комбииа надо изменить управляющее напряжениена несколько мВ. Подбором формы контура 2 можно выбирать форму зависимости проводимости контура от интенсивности управляющего поля (напряжение на электродах 4). Формула изобретения Квантово-интерференционный транзистор, включающий изолирующую подложку, замкнутый интерференционный контур, размеры которого меньше длинысвободного пробега электрона, токовводы, присоединенные с двух .сторонк контуру, и управляющие электроды,расположенные по обе стороны от контура, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения коэффициента .модуляции тока, интерференционный контур выполнен из квантовой проволокии расположен вместе с управляющимиэлектродами в горизонтальной плоскости,