Мощный планарный многоэмиттерный транзистор

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 1223 51)5 Н 0 9/72 ЗЫБИ",11:,РЦЮ 121 -И Б., БД 1;(; - г,БРЕТЕН ластей тоготера, типав области бэмиттернойдый из резишей области области эмити, расположены же, что роводимо зы под оплощадкой торов уд эмиттера онт ак при этом кажен от ближайа расстояние ой ширины обмаксималь ее заряда облаазы.и максиространстезистора в ласти простран сти эмиттера в мальной ширины венного заряда области базы. твенног области области области ли" у обй резис ная эмитлас ер т н суммы максималь пространственно и ширинь заряда азы и м простра истора менее ласти об- областтера т ласти кси- ствени ширины областиаряда области ребазы. альн обог ла сится к по а именнопромощранодниИзобретение от водниковой техник ным планарным мно м сог- вид пр м с баллас На фиг. 3асти базы с ен разрез по об-.1 1 планарного мно-,изображ руктур транз ами (п изображ огоэмигоэмиттерног ными резистоНа фиг. 4 стора с балласимер 1),ена структуратерного транзи планарного ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР СПИ САНИ Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ 1(56) Отказы Вч-транзисторов, которых не должно быть. Электроника, 1977, 10, с. 99-101Патент Великобритании Р 1280948, кл. Н 01 К, 1972.(54)(57) 1. МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ 1 БОГОЭМИТТЕРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковый кристалл, включающий области эмиттеров, базы и коллектора, балластные эмиттерные резис торы, гальванически изолированные друг от друга, каждый из которых гальванически связан с соответствующей областью эмиттера, общую контакт ную эмиттерную площадку, о т л и - ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности и расширения частотного диапазона в сторону высогких частот, балластные резисторы выполнены в виде полупроводниковых обковыми резисторами.Целью изобретения является повьппе ние надежности и частотного диапазона в стороны высоких частот.На фиг, 1 изображен разрез по области эмиттера структуры планарного многоэмиттерного транзистора с балластными резисторами (пример 1). 2, Транзистор.по п, 1, о т ч а ю щ и й с я тем, что меж ластями эмиттеров и областями сформирована дополнител ь того же, что и област типа проводимости, удал х областей на расстояни На фиг. 2 изображена структурпланарного многоэмиттерного транора с балластными резисторамигсно изобретению (пример 1),верху.РазмеркристалЕмкостьк оллектора,Пробивное напОбластьмаксимальИаксимальный ток коллектора, 1,(А) ных режимов, 13 1 ряжение,Ск (ПФ) Транзисторы по примеру 1 предлагаемогоизобретенияТранзисторы по примеру 2 предлагаемого изобретенияТранзисторы в соответствии с прототипом 900 40 В 1 2 А 46 4,6 420 4,64,6 420 900 40 В; 2,5 А 500 40 В 2 А 4,7 4,7 540 тора с балластными резисторами согласно изобретению (пример 2),На фиг, 5 изображен разрез по области эмиттера структуры планарногомногоэмиттерного транзистора с балластными резисторами (пример 2),На Фиг, 6 изображен разрез по области базы структуры планарного многоэмиттерного транзистора с балластными резисторами (пример 2),Транзистор содержит полупроводниковыгг кристалл 1, область базы 2,область эмиттера 3, эмиттерный контакт 4, общую базовую контактную площадку 5, диэлектрик б, балластныйрезистор 7, контакты к балластномурезистору 8, 9, контактные окна 10,базовый контакт 11, общую контактнуюплощадку 12 области эмиттера, дополнительную область 13.Были изготовлены опытные образцытранзисторов.На исходную эпитаксиальную структуру 801(ЗФ 40 методом термического окисления при 1100 С нанесли слой двуокиси кремния толщиной 0,8 мк. Далее в слое двуокиси кремния методом фотолитографии вскрыли окна, в которые затем провели диффузию бора при 900 С в течение 30 мин. Затем провели перераспределение бора и окисление при 1200 С в течение 6 ч, В выращенном таким образом слое двуокиси кремния толщиной 1 мк методом фотолитографии вскрыли 24 окна для диффузии эмиттера размером 1,2 х х 0,16 мм. Одновременно вскрыли 24 окна размером 0,2 х 0,04 мм для диффузии в области резисторов. Размер окна выбрали исходя из того, что резистор должен иметь номинал около7-15 ом, а поверхностное сопротивле 5ние после диффузии в эмиттер составляет примерно 20 м/П, После фотолитографии произвели диффузию Фосфорав эмиттер и резистор одновременно.Затем методом термического окислениянанесли слой двуокиси кремния, в котором методом Фотолитографии вскрыликонтактные окна к базе, эмиттерам ирезисторам, Затем методом вакуумногонапыления нанесли алюминиевую металлизацию толщиной 3 мк. Далее кремниевую пластину разрезали на кристаллы,которые затем собрали в корпус дляконтроля электрических параметров.Был изготовлен еще один транзистор,20 все технологические операции при изготовлении которого аналогичны выггеописанному, за исключением Фотолитографии для вскрытия окон для дифФузии эмиттера и резисторов, В про 25 цессе фотолитографии в слое двуокисикремния вскрывают окно для диффузиив дополнительную область между областями эмиттера и резисторов. Всепоследующие операции также аналогич 30 ны описанным,Были также изготовлены транзисторы в соответствии с прототипом, снихромовыми резисторами, Результатыизмерения параметров транзисторовприведены в таблице,Из таблицы видно, что транзисторы согласно изобретению (примерыи 2) имеют улучшенные электрическиехарактеристики и уменьшенные размерыкристалла по сравнению с транзистором-прототипом.1223796 ко Сос едактор А.Юрчикова Техорректор С.Шекма Тираж 44 Подписное енного комитета по иэобретениям 13035, Москва, Ж, Раушская н иэводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул, Гагарина, 101 Закаэ 150 ВНИИПИ Госуд итель Н.Ло М,Дидыкоткрытиям при ГКНТ ССС д. 4/5