Патенты с меткой «типа»

Номер патента: 716315

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Ильин, Камарьян, Коляскин, Мазанько, Максимов, Моисеев, Шур

МПК: C25B 1/46, C25B 9/00

Метки: биполярный, диафрагменного, камерный, типа, электролизер

Камерный биполярный электролизер диафрагменного типа для получения хлора, водорода и щелочи, включающий корпус, концевые монополярные электроды, один или несколько биполярных электродов, токораспределительную основу, отличающийся тем, что, с целью сокращения расхода электроэнергии и увеличения выхода по току, электролизер снабжен устройством для сборки и центрирования электродов, содержащим бобышку, закрепленную на катодной стороне токораспределительной основы, упорный выступ из фторопласта, имеющий коническую внутреннюю полость и соединенный с бобышкой, и упорную втулку с коническим изолятором из фторпласта, расположенную на анодной стороне токораспределительной основы соседнего электрода.

Номер патента: 717930

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Камарьян, Попова

МПК: C25B 1/46, C25B 9/00

Метки: водного, металла, раствора, типа, фильтр-прессного, хлорида, щелочного, электролиза, электролизер

1. Электролизер фильтр-прессного типа для электролиза водного раствора хлорида щелочного металла, содержащий электродные блоки, выполненные в виде плоских полых металлических коробок с закрепленными электродными элементами, составляющими рабочую поверхность электродного блока, ионообменные мембраны, расположенные между электродными блоками и стянутые вместе с блоками в единый комплект через герметизирующие и электроизолирующие прокладки, и устройство для подачи электролита и вывода продуктов электролиза, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности электролизера и снижения расхода электроэнергии, коробка снабжена герметичной перегородкой, расположенной параллельно рабочей поверхности...

Номер патента: 1603588

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Батухтина, Борзенко, Кулаков, Мухачев, Плотникова

МПК: B07C 5/342

Метки: алмазов, отбора, типа

1. Способ отбора алмазов типа Па, включающий возбуждение люминесценции импульсами рентгеновского излучения с длительностью, достаточной для разгорания длительной компоненты рентгенолюминесценции, измерение интенсивности люминесценции, определение величины критерия разделения, сравнение его с пороговым значением и последующее разделение, отличающийся тем, что, с целью увеличения селективности разделения, измеряют интенсивность длительной и короткой компонент рентгенолюминесценции, а в качестве критерия разделения берут отношение уровней этих интенсивностей.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что длительность возбуждающего импульса выбирают 0,4 - 0,6 мс, измеряют уровни интенсивности...

Номер патента: 1443672

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Ковалев, Кольчугин, Фукс

МПК: H01J 25/00

Метки: моды, обратную, ответственной, релятивистском, свч-генераторе, связь, типа, черенковского

1. Способ определения моды, ответственной за обратную связь, в релятивистском СВЧ-генераторе черенковского типа с фокусировкой трубчатого электронного пучка продольным магнитным полем, включающий регистрацию интенсивности выходного излучения на рабочей частоте, отличающийся тем, что, с целью повышения точности за счет определения моды непосредственно в пространстве взаимодействия, выходное излучение регистрируют при различных радиусах электронного пучка, при этом для каждого радиуса пучка увеличивают магнитное поле от значения H = k (H - напряженность магнитного поля в кЭ, k = 2

Номер патента: 1140523

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Бирюков, Кузьмин

МПК: F03G 6/00, F24J 2/42

Метки: башенного, солнечная, станция, типа, энергетическая

1. Солнечная энергетическая станция башенного типа, содержащая связанные между собой по рабочему телу гидравлическим трактом приемник излучения в виде барабанного котла и пароперегревателя, турбину и подключенный к тракту между последней и выходом пароперегревателя аккумулятор рабочего тела, снабженный запорным элементом, отличающаяся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности путем предотвращения пережога пароперегревателя, аккумулятор через дополнительный запорный элемент подключен к входу пароперегревателя.2. Станция по п.1, отличающаяся тем, что аккумулятор дополнительно подключен к пароперегревателю по меньшей мере в одной промежуточной точке.

Номер патента: 597259

Опубликовано: 20.09.1999

Авторы: Наумов, Поздняков, Чубов

МПК: F42B 3/18

Метки: мостиковый, предохранительного, типа, электродетонатор

Мостиковый электродетонатор предохранительного типа, содержащий гильзу с герметизирующей пробкой и токовводами в ней, воспламенительную головку с мостиком накаливания, заряды инициирующего и вторичного взрывчатых веществ, встроенный в гильзу узел индивидуальной защиты, отличающийся тем, что, с целью повышения безопасности, в нем узел защиты выполнен в виде залитой легкоплавким диэлектрическим заполнителем замкнутой камеры под герметизирующей пробкой с фиксированными в заполнителе двумя нормально разомкнутыми с контактными элементами мостика упругими контактами на концах токовводов, соединенными разрушаемым импульсом тока после плавления диэлектрического заполнителя омическим нагревателем.

Номер патента: 1316444

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Гузанова, Куклин, Нестеров, Токарев

МПК: G21C 15/18

Метки: кипящего, реактор, типа, ядерный

Ядерный реактор кипящего типа, содержащий расположенный в корпусе трубопровод отвода теплоносителя, патрубок прохода которого через корпус расположен выше уровня теплоносителя, а отверстие для забора теплоносителя - ниже уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения безопасности эксплуатации и снижения потерь теплоносителя при аварии, реактор снабжен сообщенным с паровым пространством гидрозатвором, установленным внутри корпуса и подключенным к трубопроводу отвода теплоносителя в точке, расположенной выше уровня теплоносителя, при этом нижняя часть гидрозатвора помещена ниже минимально допустимого уровня, а его геометрические размеры выбраны из условия обеспечения сопротивления при...

Номер патента: 1058225

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Гонышев, Ионе, Романников

МПК: B01J 29/40, C01B 39/20

Метки: гранулированного, катализатора, основе, типа, цеолита

Способ получения гранулированного катализатора на основе цеолита типа ZSM, включающий смешение алюмината натрия, гидроокиси тетрапропиламмония и силиказоля и кристаллизацию полученного силикаалюмозоля, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, смешение исходных компонентов проводят при мольных соотношениях гидроокись тетрапропиламмония: силиказоль, равном 0,07-0,15, гидроокись тетрапропиламмония: сумма гидроокиси тетрапропиламмония и алюмината натрия, равном 0,92-0,99, и SiO2/Al2О3, равном 60-80, а кристаллизацию силикаалюмозоля ведут в присутствии гранул силикагеля или окиси алюминия.

Номер патента: 1167788

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Бобкова, Смирнов, Флуер

МПК: A61K 35/74

Метки: стафилококкового, типа, энтеротоксина

Способ получения стафилококкового энтеротоксина типа А, включающий выращивание микроорганизмов в питательной среде, отделение биомассы от жидкой фазы центрифугированием, концентрирование супернатанта, очистку диализом и изоэлектрическим фокусированием с использованием амфолитов, отличающийся тем, что, с целью ускорения способа, концентрирование и диализ проводят одновременно путем пропускания супернатанта через полые волокна под давлением 0,7 - 1,0 атм со скоростью 600 - 1000 мл/мин, а изоэлектрическое фокусирование осуществляют в изоэлектрической точке при рН 4,5 - 5,5.

Номер патента: 797459

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/302

Метки: aiiibv, полупроводниковых, селективного, соединений, типа, травления

Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа AIII BV, включающий нанесение металла на поверхность полупроводникового соединения с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью упрощения селективного травления и увеличения глубины травления, металл, преимущественно индий или галлий, наносят в виде пленки толщиной 0,1-10 мкм на участки полупроводника, подлежащие травлению а термообработку проводят при температуре, превышающей температуру диссоциации полупроводника на 20-200oC в потоке инертного газа.

Номер патента: 673083

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Аграфенина

МПК: H01L 21/48

Метки: aiiibv, полупроводниковых, соединений, типа, травитель

Травитель для полупроводниковых соединений типа AIIIBV, преимущественно для антимонида индия, содержащий водорастворимые органические кислоты, преимущественно винную и этилендиаминтетрауксусную, окислитель и воду, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладкой поверхности травления при малых толщинах съема материала и улучшения эксплуатационных свойств травления, он дополнительно содержит соляную кислоту и кислородхлорсодержащий окислитель, преимущественно хлорноватистую кислоту, при следующем соотношении компонентов мас.%:Водорастворимые органические кислоты, преимущественно винная и этилендиаминтетрауксусная - 0,4 - 0,5Соляная кислота (37%) -...

Номер патента: 990016

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных p-n-структур соединений типа AIIIBV, включающий соединение пакета эпитаксиальных структур в монолитный блок при нагревании, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур и упрощения технологии их получения, пакет эпитаксиальных структур сжимают давлением 10-20 кг/см2 и перемещают в градиенте температур вдоль оси пакета 300-600 град/см в направлении уменьшения температуры со скоростью 5 10-4-10-3 см/с, причем температура составляет 850-1000 К.

Номер патента: 686542

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/22

Метки: легирования, полупроводниковых, соединений, типа

Способ легирования полупроводниковых соединений типа AIII BV, преимущественно арсенида галлия и фосфида галлия, основанный на диффузии из жидкой фазы, содержащей легирующий элемент, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диффузионных слоев и упрощения процесса, диффузию проводят из насыщенного относительно материала подложки раствора-расплава арсенида - фосфида галлия.

Номер патента: 1094511

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, соединений, структур, типа

Способ получения p-n-структур соединений типа AIIIBV эпитаксией из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава, содержащего галлий, висмут, мышьяк, амфотерную примесь IV группы, контактирование его с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия электролюминесцентных приборов в основе структур GaAs и GaAlAs, повышения их квантовой эффективности при низких температурах и смещения максимума излучения в длинноволновую область, в состав раствора-расплава вводят 65 - 90 ат.% висмута, 10-35 ат.% галлия и 0,5 - 5 ат.% германия.

Номер патента: 762636

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко, Якушева

МПК: H01L 21/20

Метки: iiibv, основе, полупроводников, приборов, типа

Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа AIIIBV путем жидкостной эпитаксии из двух насыщенных растворов-расплавов, одним из которых, составленным на основе бинарной системы с низкоактивным компонентом и добавкой амфотерной примеси, покрывают подложку, а другой, составленный на основе трехкомпонентной системы, приводят в контакт с первым через систему отверстии, перемещающихся относительно подложки, отличающийся тем, что, с целью получения многоэлементных приборов, повышения квантовой эффективности и расширения спектрального диапазона приборов, периодически изменяют температуру проведения процесса на 15 - 30o от номинального значения за...

Номер патента: 826887

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Коваленко, Лисовенко, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных структур на основе соединений типа AIIIBV, включающий принудительное охлаждение раствора-расплава содержащего компоненты соединения, амфотерную примесь и дополнительно индий, с постоянной скоростью до температуры ниже температуры инверсии амфотерной примеси, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества и упрощения технологии изготовления четырехслойных структур, в расплав добавляют 10-60 ат.% индия, насыщенного элементом V группы при температуре ниже температуры инверсии амфотерной примеси в исходном расплаве, но выше температуры инверсии амфотерной примеси в индийсодержащем расплаве.

Номер патента: 782605

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: aiiibv, выращивания, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа A IIIBV с использованием химических газотранспортных реакций, включающий загрузку в реактор источника элемента третьей группы, подложек, подачу газовой смеси, содержащей галогенид пятой группы и пары воды, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества структур в источник элемента третьей группы добавляют кремний в количестве, превышающем предел растворимости, а концентрацию паров воды изменяют в интервале 10 - 500 ррт.

Номер патента: 786699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: iiibv, наращивания, полупроводников, типа, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа AIII BV на жидкой фазе в процессе принудительного охлаждения раствора-расплава, включающий создание постоянных зон температур, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции обработки подложек и эпитаксиального наращивания, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества эпитаксиальных слоев и повышения экономичности производства, в первой зоне устанавливают положительный градиент температур 2 - 10oC/см и при температуре T1, превышающей температуру насыщенного расплава на 5 -...

Номер патента: 1140643

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Гуров, Колотилин, Сафонов, Шеретов

МПК: H01J 49/42

Метки: гиперболоидного, датчик, ловушки, масс-спектрометра, типа, трехмерной

1. Датчик гиперболоидного масс-спектрометра типа трехмерной ловушки, содержащий подключенные к источникам постоянного и высокочастотного напряжения два торцевых и один кольцевой полеобразующие электроды при этом рабочая поверхность кольцевого электрода образована осесимметричным гиперболоидом вращения, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и повышения надежности за счет снижения требований к стабильности отношения амплитуды высокочастотного напряжения к величине постоянного напряжения, рабочая поверхность по крайней мере одного из торцовых электродов выполнена конусной с вершиной, совпадающей с точкой пересечения плоскостей симметрии электродной системы, а образующая...

Номер патента: 776336

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Бесков, Корляков, Охлопков

МПК: G21C 3/322

Метки: кипящего, реактора, сборка, тепловыделяющая, типа, ядерного

1. Тепловыделяющая сборка ядерного реактора кипящего типа, содержащая кожух с расположенными в нем тепловыделяющими элементами, соединенный с головкой сборки и нижней концевой деталью, и устройство для обеспечения стабильного расхода теплоносителя через сборку, например, в виде шайбы, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности путем повышения устойчивости потока теплоносителя, в верхней части тепловыделяющей сборки выполнена паросборная камера, соединенная верхним торцем с головкой сборки, а снизу - с кожухом сборки при помощи ребер.2. Тепловыделяющая сборка по п.1, отличающаяся тем, что паросборная камера имеет цилиндрическую форму и расположена соосно кожуху.3....

Номер патента: 1736310

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Воробьев, Карачевцева, Страхов, Яременко

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод, типа, торцового

Светодиод торцового типа, содержащий двойную гетероструктуру, расположенную на непоглощающей подложке, контакты к поверхности подложки и эмиттерному слою гетероструктуры, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности излучения и его внешнего квантового выхода, поверхность подложки с контактом выполнена под углом ( ) к плоскости излучающего торца, а величина угла удовлетворяет условиюгде D - максимальная толщина подложки;L - длина светодиода в направлении выхода...

Номер патента: 733314

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Леонтьева, Муравьев, Онуфриев, Пронин, Чепуркин, Шоршнев

МПК: C12N 15/00, C12N 7/00

Метки: вакцины, вируса, иммуногенности, используемый, оценки, противоящурной, с-65-67-м, типа, штамм, ящура

Штамм вируса типа С-65-67-М, используемый для оценки иммуногенности противоящурной вакцины. Хранится в музее штаммов Всесоюзного научно-исследовательского ящурного института под С-65/67-М. Морфологические признаки. Структура, типичная для вируса ящура. Антигенная структура. В реакции связывания комплемента сохранены антигенные свойства исходного вируса. В перекрестной реакции нейтрализации нейтрализуется антисывороткой, полученной на вирус ящура С-65/67.Патогенность. Патогенен для взрослых белых мышей любых весовых категорий и вызывает их гибель; патогенен для морских свинок, афты не образуются, характеризуется миотропностью и вызывает гибель 40-60% зараженных животных; слабо...

Номер патента: 1149623

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Леонтьева, Муравьев, Онуфриев, Пронин, Чепуркин, Шоршнев

МПК: A61K 39/135, C12N 7/00

Метки: вакцины, вируса, иммуногенности, оценки, противоящурной, с-пол-м, типа, штамм, ящура

Штамм вируса ящура типа С-пол-М (коллекция микроорганизмов Всесоюзного научно-исследовательского ящурного института) для оценки иммуногенности противоящурной вакцины.

Номер патента: 698355

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Дежин, Израилевский, Кузнецова, Левин, Морозов, Ривкин, Степченко, Федоров, Харитонов, Чуйкин

МПК: F16J 15/18

Метки: сальникового, типа, уплотнение

Уплотнение сальникового типа с размещенной в сальниковой коробке и поджатой крышкой нажимного элемента набивкой из мелкозернистого не смачиваемого уплотнительной средой материала, отличающееся тем, что, с целью повышения равномерности обжатия набивки при одновременном облегчении разборки узла после снятия нагрузки, нажимной элемент частично совмещен с сальниковой коробкой, боковая стенка которой для этого выполнена в виде плоской спиральной пружины со скошенными торцами витков и установлена в конические расточки, предусмотренные в крышке нажимного элемента и стенке уплотняемой полости.

Номер патента: 1739559

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Егорова, Кременчугская, Салажов, Спирин, Сюсюкин, Фомина, Шажко

МПК: A61K 39/135

Метки: aphtae, epizooticae, антигенных, вируса, диагностических, используемый, препаратов, сывороток, типа, штамм

Штамм вируса Aphtae epizooticae типа О ВГНКИ 1182/83, используемый для изготовления диагностических сывороток и антигенных препаратов.

Номер патента: 1403862

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Борисенков, Комарченко, Лопатин, Матвеев, Плотников, Щекин

МПК: G06F 15/00

Метки: динамического, запоминающим, микроэвм, типа, устройством

МикроЭВМ с запоминающим устройством динамического типа, содержащая процессор, устройство сопряжения, устройство управления синхронизацией и оперативное запоминающее устройство, причем устройство управления синхронизацией содержит JK-триггер, два мультиплексора и три элемента И-НЕ, выход первого элемента И-НЕ соединен с первым входом второго элемента И-НЕ, стробирующий вход первого и с первого по третий разряды первого информационного входа второго мультиплексоров подключены к шине нулевого потенциала микроЭВМ, вход установки в "0", синхровход и K-вход JK-триггера соединены соответственно с выходом установки ответа ошибки, выходом внутренней фазы и выходом счетного режима устройства...

Номер патента: 489455

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Кравченко, Марончук, Шерстяков

МПК: H05B 33/24

Метки: матричного, типа, экран, электролюминесцентный

Электролюминесцентный экран матричного типа на прозрачной подложке с металлизированной областью, образующей общий контакт, выполненный на основе полупроводниковых материалов и их твердых растворов и излучающий свет в видимой области спектра, отличающийся тем, что, с целью получения многоцветного изображения информации, элемент светодиодной матрицы состоит из набора p-n-переходов, расположенных на различной глубине в пленке твердого раствора с переменной шириной запрещенной зоны, а для подвода напряжения служат общий контакт и жгут изолированных один от другого металлических проводников, прижатый торцом к металлизированным областям пленки твердого раствора.

Номер патента: 1577604

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Баранцева, Козлов, Русаков

МПК: H01J 1/20

Метки: катодный, косвенного, накала, типа, торцового, узел

1. Катодный узел косвенного накала торцового типа, содержащий размещенные в корпусе металлопористый эмиттер и подогревательный узел, а также прикатодный фокусирующий электрод с отверстием, отличающийся тем, что, с целью улучшения фокусировки электродного пучка, он снабжен экраном с закраинами, образующими отверстие, диаметр которого превышает отверстие в фокусирующем электроде, размещенным между корпусом и металлопористым эмиттером, при этом прикатодный фокусирующий электрод установлен на торце металлопористого эмиттера и сварен с корпусом катода и экраном с закраинами.2. Узел по п.1, отличающийся тем, что прикатодный фокусирующий электрод выполнен из антиэмиссионного материала.

Номер патента: 639366

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Кудрявцев, Куликов

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсона, контакт, типа, точечного

Контакт Джозефсона точечного типа, содержащий сверхпроводящий электрод с острием, соосно с ним расположенный сверхпроводящий электрод с плоской контактной поверхностью и привод их взаимного перемещения в виде соединяющей электроды втулки из материала с пьезоэлектрическими свойствами, отличающийся тем, что, с целью повышения его надежности и увеличения срока эксплуатации, посредством создания возможности автоматического размыкания сверхпроводящих электродов в неохлажденном состоянии, они размещены в соосно с ними расположенной заполненной газообразным гелием герметичной камере, выполненной в виде тонкостенного цилиндра с поперечно гофрированной боковой поверхностью и жестко скреплены с...

Номер патента: 1340476

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Грипас, Локтаев, Марквичева, Насекан, Нисневич, Павлынив

МПК: H01L 21/225

Метки: n+pnpp+, многослойных, структур, типа

1. Способ изготовления многослойных структур n+-p-n-p-p+ типа силовых тиристоров, включающий создание на p-n-p-структуре маскирующей пленки, локальной со стороны катода и сплошной со стороны анода, загонку донорной примеси, полное удаление маскирующей пленки, осаждение на анодную сторону раствора, содержащего соединения бора, складывание пластин в стопку и разгонку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров тиристора за счет повышения однородности подлегирования бором шунтов и управляющего электрода со стороны катода и создания неоднородного распределения времени жизни неосновных носителей заряда в n-базе, на анодную сторону осаждают раствор,...