Патенты с меткой «осаждения»

Номер патента: 1202299

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Барабошкин, Дмитриев, Есина, Молчанов, Салтыкова, Тимофеев

МПК: C25D 3/66

Метки: группы, металлов, осаждения, платиновой, электролит

Электролит для осаждения металлов платиновой группы, преимущественно платины и палладия, содержащий хлорид металла платиновой группы и хлорид щелочного металла, отличающийся тем, что, с целью получения сплошных покрытий с пониженной пористостью, он дополнительно содержит хлорид алюминия при следующем соотношении компонентов, мол.%:Хлорид металла платиновой группы - 0,05 - 1,0Хлорид алюминия - 40 - 70Хлорид щелочного металла - Остальное

Номер патента: 1441837

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Барабошкин, Есина, Тарасова

МПК: C25D 3/66

Метки: вольфрамовых, монокристаллических, осаждения, покрытий, расплав, электрохимического, эпитаксиальных

Расплав для электрохимического осаждения эпитаксиальных монокристаллических вольфрамовых покрытий, содержащий вольфрамат натрия и трехокись вольфрама, отличающийся тем, что, с целью получения гладких бездефектных покрытий, он дополнительно содержит вольфрамат калия при следующем соотношении компонентов, мас.%:Трехокись вольфрама - 8 - 16Вольфрамат калия - 9 - 40Вольфрамат натрия - Остальное

Номер патента: 468522

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Варенцов, Гусарь, Мальцев, Сапрыгин, Успенская, Хан

МПК: C22B 58/00

Метки: индия, нейтрализацией, осаждения, растворов, сульфатных

1. Способ осаждения индия из сульфатных растворов нейтрализацией в присутствии одновалентных ионов щелочных металлов или аммония, включающий предварительное восстановление железа до двухвалентного, отличающийся тем, что, с целью повышения степени извлечения индия и получения кристаллического легкофильтруемого осадка, осаждение проводят при pH 2,5 - 3 и температуре 85 - 95oC.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение проводят при молярном отношении сульфатов индия и одновалентных ионов щелочных металлов или аммония не более 3,0.

Номер патента: 1225431

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Могильников, Репинский

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, нитрида, осаждения, пленок

Способ осаждения пленок нитрида кремния, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование и подачу в зону осаждения парогазовой смеси тетрахлорида кремния и аммиака при пониженном давлении, отличающийся тем, что, с целью безотходного использования реагентов, исключения загрязнений атмосферы и исключения использования инертного газа-носителя, парогазовую смесь формируют, подавая пары тетрахлорида кремния в возвратно-циркулирующий поток аммиака, причем общее давление в зоне осаждения поддерживают постоянным подачей в нее аммиака.

Номер патента: 1607640

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Бальвинский, Копецкий, Маликов, Нисельсон, Шаповал

МПК: H01L 21/00

Метки: металлов, осаждения, слоев, тугоплавких

1. Способ осаждения слоев тугоплавких металлов, включающий гетерогенное активированное плазмой восстановление водородом летучих галогенидов металлов на подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения качества слоев при снижении температуры подложки, плазму пространственно отделяют от подложки, для активации водорода используют плазму СВЧ-разряда в условиях электронного циклотронного резонанса, а летучий галогенид металла подают непосредственно к подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плазму пространственно отделяют от подложки, удерживая ее магнитным полем.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что плазму отделяют от подложки с помощью электростатических сеток.

Номер патента: 1266246

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Гаврилин, Иванова, Наумов, Ходкевич, Якименко

МПК: C25D 3/56

Метки: никель, осаждения, основе, платина, покрытий, сплавов, электролит

Электролит для осаждения покрытий на основе сплавов платина-никель, содержащий цис-динитродиаминплатину, соли никеля и аммония, отличающийся тем, что, с целью повышения коррозионной стойкости покрытий за счет образования тройного сплава платина-никель-кобальт, он дополнительно содержит гексааминокарбонат кобальта, а в качестве солей никеля и аммония - гексааминокарбонат никеля и нитрат аммония, при следующем соотношении компонентов, г/л:цис-Динитродиаминплатина ( на металл) - 2-20Гексааминокарбонат никеля (на металл) - 2-20Гексааминокарбонат кабальта ( на металл) - 0,1-0,3Нитрат аммония - 100-120

Номер патента: 1127483

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Колоскова, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/316

Метки: алюмосиликатного, осаждения, пленок, раствор, стекла

Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла, содержащий растворитель - этиловый спирт 96o, тетраэтоксисилан, катализатор и азотнокислый алюминий(гидрат) с концентрацией в растворителе более 0,15 г/см3, отличающийся тем, что, с целью увеличения маскирующей способности пленки при диффузии бора и фосфора с поверхностной концентрацией более 1019см-3, отношение массы азотнокислого алюминия к массе тетраэтоксисилана берут равным 1,5 - 4,0, а компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%:Этиловый спирт 96o - 60 - 80Азотнокислый алюминий, гидрат - 15 - 32Тетраэтоксисилан - 5 - 10.

Номер патента: 1369598

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Зайцев, Пинчук, Рюмшин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактного, кремниевые, никелевого, осаждения, покрытия, полупроводниковые, раствор, структуры, химического

Раствор для химического осаждения никелевого контактного покрытия на кремниевые полупроводниковые структуры, содержащий никель сульфаминовокислый, натрий гипофосфат и воду, отличающийся тем, что, с целью уменьшения переходного сопротивления контакта к кремнию р-типа проводимости с поверхностной концентрацией основных носителей ниже 5 1018 см-2 при сохранении стабильной скорости осаждения, он дополнительно содержит гидразинсодержащую соль при следующем соотношении ингредиентов, г/л:Никель сульфаминовокислый - 30 - 70Натрий гипофосфит - 5 - 35Гидразинсодержащая соль - 0,4 - 1,45Вода...

Номер патента: 1207152

Опубликовано: 27.01.2001

Авторы: Буров, Гертман, Ивакин, Коган, Халезов, Хворостова

МПК: C22B 3/00

Метки: металлов, осаждения, цветных

Способ осаждения цветных металлов из кислых растворов, включающий обработку их раствором серы в гидроокиси кальция, отличающийся тем, что, с целью снижения расхода осадителя и повышения степени осаждения металлов, обработку ведут совместно с сульфидами щелочных металлов при массовом соотношении сульфидной серы в сульфидах щелочных металлов и раствора серы в гидроокиси кальция и кальция в гидроокиси кальция 1 : 0,1 - 1,0 соответственно.

Номер патента: 1817930

Опубликовано: 27.01.2001

Авторы: Волков, Комарова, Максимова, Мусин, Янюк

МПК: G01N 27/27

Метки: осаждения, процессом

Способ управления процессом осаждения сульфидов путем введения в контролируемый кислый раствор, содержащий сульфиды и гидросульфид натрия, электродов, отличающийся тем, что, с целью обеспечения непрерывности, повышения экспрессности и точности, управление осуществляют поддержанием разности потенциалов 200 - 350 мВ между сульфидсеребряными электродами, один из которых расположен до ввода осадителя, а другой на расстоянии полного его перемешивания с раствором, причем разность потенциалов поддерживают регулированием количества вводимого гидросульфида натрия.

Номер патента: 1487619

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Милешко, Никитенко, Сорокин

МПК: G01B 7/04

Метки: диэлектрических, осаждения, подложках, покрытий, процессе, толщины

Способ измерения толщины диэлектрических покрытий на подложках в процессе осаждения, заключающийся в том, что строят анодную поляризационную кривую контролируемой структуры в электролите при заданной скорости увеличения потенциала подложки, находят пороговое напряжение, соответствующее началу линейного участка на указанной кривой, по которому определяют толщину слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, построение анодной поляризационной кривой проводят при скорости увеличения потенциала подложки от 0,2 до 12 В/с в электролите с электропроводностью от 50 до 400 мкСм/см.

Номер патента: 1568798

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Красницкий, Лесникова, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение при пониженном давлении на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 10-20 нм из газовой фазы, содержащей моносилан, проведение отжига в азоте при температуре выращивания подслоя в течение 10-30 мин и доращивание кремния до заданной толщины при 600-650°C, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок поликристаллического кремния путем повышения стабильности кристаллической структуры подслоя кремния, подслой осаждают из газовой фазы, дополнительно содержащей моногерман, при парциальных давлениях моносилана и моногермана 12-40 и 1-3 Па соответственно при температуре 600-650°C.

Номер патента: 1780461

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Кастрицкий, Козлов, Красницкий, Лесникова, Наливайко, Турцевич

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, легированных, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при 560-580°С пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па, доращивание слоя кремния при температуре осаждения подслоя при пониженном давлении из парогазовой смеси, содержащей фосфин и моносилан при соотношении ингредиентов 0,0008-0,0035, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном снижении удельного сопротивления пленок путем ускорения осаждения и улучшения структуры пленки,...

Номер патента: 1651698

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Вискуп, Кастрицкий, Красницкий, Петрашкевич, Турцевич, Шкуть

МПК: H01L 21/316

Метки: осаждения, пленки, стекла, фосфоросиликатного

Способ осаждения пленки фосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 350-450°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реакционную зону реактора смеси моносилана с фосфином и кислорода и наращивание пленки фосфоросиликатного стекла при давлении 26,6-46,6 Па и соотношениях ингредиентов фосфинмоносилан с фосфином 0,03-0,25, кислород-моносилан 0,8-4,0, при температуре нагрева реактора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества фосфоросиликатного стекла путем увеличения электрической прочности и снижения дефектности осаждаемых пленок, после наращивания пленки толщиной 0,1-0,3 мкм прекращают...

Номер патента: 1484193

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Красницкий, Крищенко, Лесникова, Турцевич, Шкуть

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, подложку, поликристаллического, полупроводниковую

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40,0-100,0 нм разложением моносилана при температуре 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига в течение 5-20 мин при температуре осаждения и доращивание пленки до требуемой толщины при температуре осаждения подслоя, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем повышения их термостабильности и увеличения дисперсности, доращивание пленки до требуемой толщины проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя, составляющей 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя операции...

Номер патента: 1584641

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Гранько, Кабаков, Красницкий, Лесникова, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40-100 нм на полупроводниковую подложку разложением моносилана на 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига при температуре осаждения и давлении не более 13,3 Па, доращивание пленки при температуре осаждения подслоя до требуемой толщины послойно с толщиной каждого отдельного слоя 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя осаждение и отжиг, а отжиг каждого последующего слоя проводят при давлении не более 13,3 Па, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемых пленок поликристаллического кремния путем подавления...

Номер патента: 1588202

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Красницкий, Лесникова, Семенов, Турцевич, Шкуть

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, легированных, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку слоя аморфного кремния при 560-580°С при давлении 33,7-66,5 Па из парогазовой смеси, содержащей моносилан и фосфин при соотношении ингредиентов в смеси 0,0008-0,007, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемой пленки путем снижения уровня механических напряжений, перед осаждением аморфного слоя на подложку наносят подслой поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при температуре осаждения аморфного слоя пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па.

Номер патента: 1597019

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Гранько, Лесникова, Семенов, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 30-50 нм пиролитическим разложением моносилана при температуре 550-600°С, последующее доращивание подслоя до получения пленки поликристаллического кремния при температуре 600-650°С до заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем снижения в них уровня механических напряжений при одновременном снижении трудоемкости, подслой осаждают при давлении 2,66-13,3 Па.

Номер патента: 1568581

Опубликовано: 20.04.2012

Авторы: Галкин, Гречина, Дугельный, Дьяков, Зарубицкий, Мелехин, Новопашин, Омельчук, Подафа, Чихачева

МПК: C25D 3/58

Метки: индий, медь, осаждения, сплава, электролит

Электролит для осаждения сплава медь - индий, содержащий сульфаты меди и индия и битартрат натрия, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода по току, повышения декоративных свойств покрытий за счет снижения скорости потускнения, он дополнительно содержит гликокол и гидроксид натрия при молярном соотношении битартрата натрия и сульфата меди 10-15:1 и следующем содержании компонентов, г/л: Сульфат меди5-8 Сульфат индия 2,5-5 Битартрат натрия 40-60