Панеш

Номер патента: 1407302

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Герчиков, Панеш, Плешивцев

МПК: G21B 1/00

Метки: изменения, свойств, сорбционных, углеситалла

...Параметры бомбардировки следующие: знергил ионов :,Не+ 500-600 з 13, температура поверхности 1293-600 К, доза облучения не менее 1017 11 е+/см, Новый углесодержащий материал углеситалл УСБобладает мелкозернистой неупорлдоченной структурой с разме,рами зерен примерно 50 нм, которые определяются атомами бора, являющимися це трами образованил микросфер, Под действием ионной бомбардировки структура углеситалла необратимо изменяется вследствие радиационно-стимулированной Ф о р мул а и зоб роте и илСПОСОБ ИЗМЕНЕНИЯ СОРБЦИОННЫХ СВОЙСТВ УГЛЕСИТАЛЛА посредством бомбардировки его поверхности иона+ми Не, отличающийся тем, что, с целью необратимого повышения коэффициента диффузии атомов бора к поверхностным дефектам, В результате...

Номер патента: 1597963

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Герчиков, Кузьминов, Панеш, Симонов

МПК: H01J 49/26

Метки: 1-го, диагностики, монокристаллах, переходов, рода, фазовых

...зависимости зй,/а 1=(Т), температура максимума которого (820 К) соответствует температуре перехода типа жидкость в кристалл в аргоновых пузырьках.Эксперименты, проведенные на % (100), показали, что при В+)6 10 ион/см- на кривых зависимости эН,/а 1=(Т) появляется один пик (пик В), температура максимума которого (840 К) равна температуре перехода жидкость - кристалл в пузырьках аргона, размещенных в решетке никеля. Пик А на И не наблюдается, что связано с отсутствием ФП 1-го рода в Л в исследуемом интервале температур.Хплга 7 лю т,гобд=бли Юб бремя, Т, К (ставитель В. КащеевА. Кравчук Кор99 Под по изобретениям и отк - 35, Раушская наб. инат Патент, г. Ужг Редактор И. ШуллаЗаказ 3060 Техред Типаж ектор С. Шевкунисноеытиям при ГКНТ СССРд....

Номер патента: 1334244

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Биляр, Малиночка, Панеш, Туркин

МПК: H02G 1/18

Метки: кабеля, намотки, размотки

...полости 9 барабана 8 фиксируется с помощью прижимной планки 13, соединенной с помощью шарнира 14 одним концом и с помощью защелки 15 другим с барабаном 8. На прижимной планке. 13 закреплена вторая полуось 16, взаимодействующая с подшипником 7, установленнымна поворотной стойке 3 рамы 1, удерживающая барабан 8 от перекоса.Кабель 1.7, намотанный на барабан 8,подключается одним концом к электротехническому устройству 10.Рама 1 имеет с одной стороны углубления 18, с другой - штыри 19 дляштабелирования.Устройство работает следующим 50образом. 35 Подготовленный к намотке барабан 8 с заФиксированным в полости 9 электротехническим устройством 10 с помощью прижимной планки 13 с защелкой 15 устанавливается в раме 1 с по;.мощью полуоси 12 и...

Номер патента: 739761

Опубликовано: 05.06.1980

Авторы: Биляр, Лазарев, Панеш

МПК: H05K 7/14

Метки: крепления, приборов

...крепления,Цель достигается тем, что в устройств крепления приборов на панели шита,вып но в виде 8.образного прижима, один З.образного прижима жестко закреплен пусе.прибора, а другой выполнен с возмФового Красного Знамени заводных приборов "ЗИП" . ностью упругого взаипанелью щита.На фиг, 1 показано крепление прибора к щиту с помощью предлагаемого устройства; на фиг. 2 - 8-образный прижим; на фиг.3 - вид А на фиг, 2,Устройство для крепления приборов на па. нели щита содержит выполненный из пружиня. щего материала прижим 1 8-образной формы с изгибом 2 одного конца 3 и изгибом 4 другого конца 5, ширина которого не иревьшвет ширины фланца 6, причем радиус изгиба 4 больше радтуса изгиба 2. Поскольку высота прижима 1 больше высоты прибора, то...

Номер патента: 645227

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Биляр, Лазарев, Панеш

МПК: H01R 13/40

Метки: соединитель, электрический

...технологичности конструкции. Поставленная цель достигается тем, что каждая деталь основания выполнена в виде прямоугольной пластины с пазами, расположенными на ее противоположных торцах со смещением на расстояние, большее ширины паза, причем пазы одноименных торцов разных пластин смещены относительно друг друга.На чертеже показан предложенный соединитель,Соединитель содержит диэлектрическое основание, образованное из двух идентичных друг другу пластин 1 и 2, каждая из них на двух противоположных торцах снабжена пазами 3,4 и 5,6, смещенными относительно друг друга на расстояние, большее ширины паза.Число пазов каждой пластины при необходимости может быть больше двух, Контактные элементы также идентичны друг другу. Каждый контактный...

Номер патента: 627406

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Бердичевский, Датченко, Лазарев, Панеш

МПК: G01R 1/16

Метки: измерительный, магнитоэлектрический, механизм, униполярный

...ограниченно подвижнойдля подбора оптимального распределения магнитного потока 2,Недостаток такого решения - сложность конструкции, заключающаяся втом, что для ограниченно подвижногозакрепления требуется усложненнаяформа полюсной накладки, наличие специальных деталей крепления ее к маг.ниту и элементов жесткого крепления25укаэанных деталей после специальнойоперации регулирования взаимного положения элементов для получения оптимального распределения магнитного позотока. ль изобретения - упрощение кон ции и процесса сборки, а также альное распределение магнитног На фиг, 1 представлен и Разрез измерительного меха фиг. 2 - полюсная накладка сердечник с охватывающей е Магнитоэлектрический ун измерительный механизм сод тоянный магнит 1 с...

Номер патента: 392772

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Панеш, Сников

МПК: G01T 1/24

Метки: вакууме, детектирования, ионов

...газов, попадаясть тонкого окислительногоческого слоя, изменяют концлей тока в этом слое, что обуесение их примесного сопроти пленккн в- 10Ио на по- поликринтрацию ловливаления. верхно сталли носите ет нан бретения дм ет в вакууме, повышения роцесса деа используго поликрина кварцеСпособ детектировотличающийся тем, ччувствительности и утектирования, в качеют полупроводник всталлического слоя,вую подложку. ания ионовто, с цельюпрощениястве детектовиде окиснонанесенного лагаемого способа среднем 10 - 10 е, прилегающем к поон ОСОБ ДЕ 1 ЕК 1 ИРОВАН Известен масс-спектрометрический способ детектирования ионов.Цель изобретения - повышение чувствительности н упрощение процесса детектирования ионов в вакууме.Это достигается тем, что в качестве...