Способ определения типа дислокаций в монокристаллах

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 1260 09) Ы 23 22 РЕТЕНИЯ ИЗ на р оды прямого набМ.: Мирт 1968,.В ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТ ВТОРСКОМУСВИ(71) Киевский ордена Ленина, ордеОктябрьской Революции государственный университет им. Т.Г. Шевченко(56) Осипьян Ю.А. и др. Эксперименталвное исследование подвижностидислокаций в 1 пБЬ ФТТ, т. 11, У 4(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТИПА ДИСЛОКАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ(57) Изобретение относится к способам определения типа дислокаций вмонокристаллах и может быть использовано для исследования кристалловсо структурой сфалерита. Цель изобретения - повышение информативности. Для достижения поставленной цели исследуемый образец облучаютсканирующим пучком электронов. Индуцированный ток визуализируют на экране осциллографа в зависимости оттекущей координаты пучка на поверхности образца. Так как винтовые Ы - и-дислокации обладают различной электрической активностью в кристаллахсо структурой сфалерита, то это:позволяет по величине диаметра изображения, полученного на осциллографе, установить тип дислокации. 1 ил.Изобретение относится к физическим методам исследования материалов, в частности к способам изучения реальной структуры кристаллов.Цель изобретения - повышение информативности способа при исследовании дефектов в кристаллах со структурой сфалерита.На чертеже представлена схематически блок-схема устройства, позволяющего реализовать предложенный способ.Способ основан на различной электрической активности винтовых, М - и -дислокаций в кристаллах со структурой сфалерита, а именно на различии диаметров области пространственного заряда вокруг ядра дислокации,Оно может, быть реализовано на растровом электронном микроскопе и содержит источник электронов 1, блок развертки 2, усилитель 3, регистрирующее устройство 4, вакуумную колонну 5, держатель образца 6Определение типа дислокаций в кристаллах со структурой сфалерита проводят с помощью метода тока, индуцированного электронным зондом. Спбсоб заключается в следующем. Сканирующим электронным лучом 1 облучают монокристалл 6, в котором при этом генерируются электронно-дырочные пары, создающие ток. Полученный сигнал подается на операционный усилитель 3, после чего регистрируется, например, на оспиллоскопе, На усилитель 3 подается ток неравновесных носителей заряда, разделенных полем барьерной структуры, существующей вокруг ядра дислокаций.В качестве примера может служить определение типа дислокаций в образцах СаАз Сг 7 кристаллы которых имеют структуру сфалерита с преднамеренно введенными винтовыми о-, 15-дислокациями. Методика введения винтовых К-,-дислокаций включала нанесение царапины на грань крис Формула изобретения Способ определения типа дислокаций в монокристаллах, включающий облучение объекта пучком электронов и получение изображения структуры объекта, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения информативности способа при исследовании дефектов в кристаллах со структурой сфалерита, сканируют лучом поверхность монокристалла, визуализируют индуцированный ток в зависимости от текущей координаты пучка поверхности объекта, получая изображение структуры, и устанавливают тип дислокаций по величине диаметра их изображения35 40 45 талла подходящей ориентации и удаление зоны сильных нарушений структу-ры посредством травления. Измеренияосуществляют на растровом электрол ном микроскопе-микроанализатореФ"СашеЬах" при ускоряющем напряжении20 кВ, и токе пучка около 10 А. Наосциллограммах, полученных при сканировании электронным пучком поверх О ности монокристалла, наблюдают светящиеся точки, соответствующие вннтовым М - и-дислокациям. Диаметрсветящихся точек, соответствующихместам выхода дислокаций на поверх ность монокристалла, равен дляЫ-дислокаций - (3,8+0,5), для 5=дислокаций (2,2+0,5), для винтовыхдислокаций-(1,4+0,5) мкм. Полученные значения усреднены не менее, 20 чем по 100 точкам.Использование предлагаемого спо"соба определения типа. дислокацийв кристаллах со структурой сфалерита обеспечивает выявление и разли чие винтовых Ы -, 5 -дислокаций,возможность исследования их эволюции, а также проведение контроляструктурного совершенства материалав процессе производства полупроводЗб никовых приборов.1260785 Заказ 5220/41 Под ВНИИПИ комитета СССР по де и открытий 113035, ушская наб д.