Патенты с меткой «контактов»

Номер патента: 757048

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Золотухин, Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/28

Метки: балочных, выводов, контактов, металлических, омических, покрытий, полупроводниковым, структурам

Способ изготовления металлических покрытий, балочных выводов и омических контактов в полупроводниковым структурам, включающий нанесение расплавленного контактного металла на поверхность полупроводниковых структур и последующее вплавление, отличающийся тем, что, с целью увеличения однородности покрытий, структуры собирают в пакет с зазором 0,2 - 1 мм, который заполняют расплавом контактного металла при температуре на 10 - 20oC меньше температуры вплавления, после вплавления охлаждают до температуры не ниже температуры плавления контактного металла и удаляют излишний металл из зазора.

Номер патента: 1459538

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Васильев, Герасименко, Мойзеш

МПК: H01L 21/268

Метки: арсениде, галлия, контактов, омических, формирования

Способ формирования омических контактов на арсениде галлия, включающий нанесение на полупроводниковую подложку проводящего покрытия и термообработку ее СВЧ-излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контактов и повышения процента выхода годных за счет уменьшения контактного сопротивления с одновременным устранением опасности разрушения подложки в процессе СВЧ-обработки, термообработку СВЧ-излучением проводят с частотой 0,95 - 10 ГГц при времени обработки 30 - 300 с при нерастающей плотности мощности излучения от (2 - 10) до (10 - 200) Вт/см2 в течение времени, равного 10 - 50% времени обработки.

Номер патента: 596097

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Теплова

МПК: H01L 21/24

Метки: контактов, материал, омических

Материал для омических контактов к арсениду галлия n-типа на основе олова, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры и времени его выжигания, он содержит дополнительно галлий и медь при следующем соотношении компонентов, мас.%:Олово - 54 - 55Галлий - 36 - 36,5Медь - 9 - 9,5

Номер патента: 1586011

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Белкин, Голубев, Тихомиров, Червоненкис, Юрков

МПК: B22F 3/26

Метки: контактов, электрических

Способ изготовления электрических контактов, включающий прессование формовки из порошка металла группы железа, прессование пропиточного брикета из материала, содержащего висмут, размещение пропиточного брикета на формовке, расплавление пропиточного брикета, пропитку в защитной атмосфере и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контактов, формовку прессуют с одной стороны, материал пропиточного брикета дополнительно содержит медь при следующем содержании компонентов, мас.%:Медь - 85 - 95Висмут - 5 - 15размещают пропиточный брикет над более плотной частью формовки, а охлаждают со скоростью не более 4 град/мин.

Номер патента: 1746846

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Зенцов, Козлов, Кузьмин, Уверская

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремниевых, омических, сплав, структур

Сплав для омических контактов кремниевых структур, содержащий кремний, никель, фосфор, алюминий, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода выпрямительных элементов на основе кремниевых структур на операции сплавления путем повышения технологической пластичности при одновременном снижении максимальной величины локального отклонения пиков вплавления относительно плоскости фронта вплавления силумина в кремний, он содержит указанные компоненты в следующем соотношении, мас.%:Кремний - 15 - 22Никель - 0,025 - 0,2Фосфор - 0,0022 - 0,02Алюминий - Остальное

Номер патента: 919235

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Белкин, Волкова, Горяев, Зуев, Корнеев, Манохин, Мелентьев, Рабинович, Родионов, Скурихин, Ушаков, Шишханов

МПК: B22F 3/16

Метки: контактов, меди, основе, хрома, электрических

1. Способ изготовления электрических контактов на основе хрома и меди, включающий приготовление шихты, прессование и спекание, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности изделий и упрощения технологии, шихту готовят из смеси порошков меди и сплава хрома, содержащего кальций в количестве 0,02 - 0,2 вес.%, спекание проводят при температуре 1100 - 1250oC в атмосфере остроосушенного водорода, причем нагрев под спекание проводят в среде водорода с выдержкой при температуре 250 - 400oC, а после спекания изделия подвергают дополнительному нагреву до температуры 300 - 700oC в атмосфере водорода и осадке в закрытом штампе.2. Способ по п.1, отличающийся...

Номер патента: 1176774

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Венков, Манжа, Патюков, Шурчков

МПК: H01L 21/18

Метки: диффузионных, контактов, ним, областей, формирования

1. Способ формирования диффузионных областей и контактов к ним, включающий нанесение диэлектрической пленки на кремниевую подложку, осаждение первого слоя поликремния, вскрытие окон в поликремнии и диэлектрике, осаждение второго слоя поликремния, термообработку, формирование поликремниевой разводки и металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки диффузионных областей и повышения процента выхода годных структур, после осаждения первого слоя поликремния легируют его примесью типа, противоположного типу проводимости подложки, после вскрытия окон в поликремнии и диэлектрике подтравливают диэлектрическую пленку под поликремнием, а термообработку проводят с...

Номер патента: 1766208

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Довнар, Красницкий, Турцевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, контактов, схем

Способ изготовления контактов интегральных схем, включающий создание на поверхности кремниевой пластины изолирующей пленки, формирование на ее поверхности фоторезистивной маски с конфигурацией контактных окон, вскрытие контактных окон, удаление маски, селективное осаждение в контактных окнах вольфрама, формирование разводки из алюминия или его сплавов, отличающийся тем, что, с целью снижения тока утечки, повышения стабильности контактного сопротивления за счет снижения бокового распространения и потребления кремния в области контакта, после вскрытия контактных окон проводят имплантацию ионов вольфрама или молибдена с энергией 5-30 кэВ и дозой не менее 1012 см-2.

Номер патента: 795321

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Кунашкевич, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/28, H01L 21/285

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию р-типа проводимости, включающий нанесение молибдена на кремниевую подложку катодным распылением, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности омического контакта, катодное распыление молибдена проводят путем создания в рабочей камере вакуума (1,3-6,7)10 -4 Па, введения фторосодержащего газа, BF3, до создания вакуума (2,7-3,2)10-2 Па, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В.

Номер патента: 1709864

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Баранов, Воробьев, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию p-типа проводимости, включающий катодное распыление молибдена на кремниевую подложку путем создания в рабочей камере предварительного вакуума (1,3-6,7)10-4 Па, введения фторсодержащего газа BF 3, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества омических контактов, в рабочую камеру дополнительно к BF3 вводят четырехфтористый углерод и водород при следующем соотношении компонентов в газовой среде состава, об.%: Четырехфтористый углерод

Номер патента: 1292628

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Принцев, Снитовский, Шепурёв

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремнию, омических, формирования

Способ формирования омических контактов к кремнию, включающий нанесение молибдена на поверхность кремниевой подложки катодным распылением в тлеющем разряде в газовой среде, содержащей трехфтористый бор, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества контактов и повышения производительности способа, катодное распыление осуществляют в газовой среде состава, об.%: Водород15-30 Трехфтористый борОстальное при давлении 5·10 -2-8·10-2 Па и плотности мощности разряда...

Номер патента: 1241938

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данкевич, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/283

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию, включающий обработку кремниевой пластины с активными областями в растворе плавиковой кислоты и нанесение молибдена, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контакта путем снижения контактного сопротивления, перед обработкой в плавиковой кислоте дополнительно проводят обработку в перекисно-аммиачном растворе, после чего пластину выдерживают 30-50 мин в вакууме от 4·10-3 до 1·10-4 Па при 220-350°С и повторно обрабатывают в перекисно-аммиачном растворе.

Номер патента: 1688743

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Пилипенко, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, омических, создания

Способ создания омических контактов, включающий обработку кремниевой пластины с активными областями в растворе плавиковой кислоты и нанесение металла, отличающийся тем, что, с целью снижения контактного сопротивления путем перевода диоксида кремния в квазиаморфную структуру типа кварца, перед обработкой в плавиковой кислоте пластину подвергают импульсной фотонной обработке с плотностью энергии 0,8-1,2 МДж/м2 при длительности импульса 0,03-10 с.

Номер патента: 1025287

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Гурский, Зеленин, Кисляк, Конюшенко

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, полупроводниковых, приборов

Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов, включающий нанесение алюминия в места формирования контактов, создание контактных площадок и присоединение золотого вывода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов путем исключения образования интерметаллических соединений, на слой алюминия дополнительно наносят пленку алюминия с добавлением сурьмы в количестве 0,1-0,5 вес.% и после присоединения вывода контакты обрабатывают в среде водорода при температуре 623-723 K в течение 0,25-4,0 ч.

Номер патента: 1683449

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/265

Метки: контактов, шоттки

Способ изготовления контактов Шоттки, включающий нанесение на полупроводниковую подложку с высокоомным эпитаксиальным слоем пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава и дополнительной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет снижения токов утечки и повышения термополевой стабильности, нанесение пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава осуществляют ионно-лучевым методом в два этапа, причем на первом этапе наносят слой толщиной 25-35 нм при плотности мощности разряда 5-7×104Вт/м2, а на втором этапе доращивают слой до 60-90 нм при плотности мощности разряда (1,0-1,5)·105...

Номер патента: 1163765

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Войтик, Гурский

МПК: H01L 21/265

Метки: контактов, омических

Способ изготовления омических контактов, включающий легирование кремниевой подложки для создания мелкозалегающего p-n-перехода, нанесение барьерного слоя переходного металла, облучение его потоком ионов, нанесение токопроводящего слоя, термообработку в вакууме при температуре 673-1073 K, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, легирование кремния проводят до получения поверхностной концентрации 8·10 23 - 8·1024 м-3, а в качестве барьерного слоя используют пленку тантала или вольфрама.