Патенты с меткой «контактов»

Номер патента: 1820964

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Зорин, Киянко, Кравченко, Степанова, Шубин, Шубина

МПК: H01R 13/40

Метки: «зебра», контактов, многослойных, типа, эластичных

...контакты размером 25 - 300 мм наустановке ДРМЗ, 104.014,В табл.2 представлены эксплуатационные характеристики многослойных эластичных контактов с толстой двусторонней боковой изоляцией, полученных по примерам 1-5, в сравнении с прототипом. Из табл.2 видно. что изготовленные многослойные эластичные контакты типа "Зебра" с толстой боковой изоляцией методом горячего прессования по примерам 1 - 3 значительно превосходят по.длине контактов и толщине боковой изоляции в сравнении с прототипом, а по эксплуатационным характеристикам находятся на его уровне при нормальных климатических условиях (НКУ).Сопротивление проводящих, изоляционных слоев и боковой изоляции контактов сохраняют свои свойства также после воздействия влаги и...

Номер патента: 1823052

Опубликовано: 23.06.1993

Автор: Ормотоев

МПК: H01R 43/00

Метки: гнезда, забивки, колодки, контактов, ориентации, разъема

...выступа расположена заподлицо с плоскостью крепления вертикальной планки 14 к узлу 9). Высота выступа должна быть меньше половины высоты узла 9, В противном случае контакты будут задевать выступ. Рычаг 19 закреплен к вертикальной планке на оси 21.Позицией 22 обозначены контакты, 23 - колодка разъема, 24 - основание для колодки.оУстройство работает следующим образом, Засыпанные навалом е бункер 5 контакты 23 под действием вибрации от 5 10 15 20 25 30 35 электромагнита 2 совершают движение в горизонтальном положении, ориентируют" ся в осевом направлении в пазах 8 и под действием ограничителя-сбрасывателя 12 равномерно распределгнотся вдоль ручьев горизонтального многоручьевого лотка, Все другие контакты (лишние, сцепленные,...

Номер патента: 1823872

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Авдеева, Догановская, Куликова, Михайлова, Науменко-Живая, Продавцова, Шалаева, Шамкова

МПК: C04B 41/88

Метки: керамических, композиция, контактов, монолитных, торцевых, чип-конденсаторов

...конденсаторов и качества торцевых контактов сведены в таблицу.Как следует из данных, наружные торцевые контакты конденсаторов, изготовленных с использованием изобретения (пп,1-5таблицы) не растворяются в припое и допускают в отличие от торцевых контактов конденсаторов, изготовленных с использованием Затем было приготовлено соответственно 12 партий пасты на основеорганического связующего следующего состава, мас,ф,; Экомпозиции-прототипе (п.п.12) таблицывторичную пайку. При этом значения электрических параметров (Сфакт., 9 д, Йиэ.) конденсаторов, торцевые контакты которыхизготовлены с использованием изобретения (п.п.1-5 таблицы), превосходят нормативные значения и значения электрическихпараметров конденсаторов,...

Номер патента: 1833932

Опубликовано: 15.08.1993

Автор: Долгин

МПК: H01R 13/02

Метки: введения, контактов, нулевым, соединитель, усилием, электрический

...из которых содержит корпус с 10контактными элементами, а одна из частейтакже и прижимной элемент, взаимодействующий с контактным элементом, снабженовозвратной пружиной, нажимным и ограничительным элементами, выполненными в 15виде выступов и установленными соответственно на корпусах подвижной и неподвижной части, э прижимной элемент выполненв виде рычага, один конец которого установлен с возможностью поворота на корпусе 20неподвижной части, и опорного элемента, .шарнирно установленного на свободномконце рычага, при этом укаэанные, выступыи возвратная пружина взаимодействует суказанным рычагом, 25 Подвижную часть 2 по направляющей 13 придвигают к стенке неподвижной части 4. При взаимодействии нажимного выступа 8 с рычагом 5 последний...

Номер патента: 1833964

Опубликовано: 15.08.1993

Автор: Тунев

МПК: G06F 3/02, H03K 5/153

Метки: дребезга, защиты, контактов

...установится уровень логическогонуля (см, фиг. 2 а), что свидетельствует о нажатии клавиши, на выходе первого одновиб 183396410 20 25 30 40 45 50 55 ратора 1 вырабатывается положительный перепад сигнала (см, фиг 2 в), который не. меняет состояние второго триггера 5, заблокированного по установочному входу(см. фиг, 2 е, 2 а), По положительному перепаду сигнала на выходе второго одновибратора 2 (см, фиг. 2 б) и поступлению его на синхровход первого триггера 4 (см. фиг. 2 п), первый триггер 4 устанавливается в единичное состояние (см, фиг. 2 о), т.к, на его информационном входе (см. фиг, 2 е) - уровень логической единицы. Положительный перепад сигнала на выходе первого триггера 4 используют для запоминания кода нажатой клавиши.Если при...

Номер патента: 1836741

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Костяновский, Курноскин, Макаров, Прусов, Рождественский, Тулаев, Флеров

МПК: H01H 1/02

Метки: контактов, металлизации, переключающих, устройств

...ПООкончании процесса проводиться промывкадеталей и сушка сжатым воздухом.Определение удельного сопротивленияМ-В покрытий проводилось на медных проводниках, сформированных методом вакуумного напыления на поликоровые основыи изготовленных в г.Киеве.НПО "Матурн" по ГОСТ 9.302-79, Измерение переходного сопротивления проводили по ГОСТ 9.302-79 при нагрузке 0,5 Н.Анализ на содержание бора в никелевомпокрытии проводили по методике, описанной Вальсюнене Я.ИНоркус П,К., Определение бора в М и Со покрытиях) Труды АНЛит ССР, 1972 - Сер.Б.Т. 1/68), - С.93 - 96,Адгезия золотого покрытия измерялиметодом отрыва по методике ОСТ4 ГО 054,238,П р и м е р 1. Приготавливают растворхимического никелирования следующегосостава, г/л:Никель сернокислый...

Номер патента: 2005031

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Баренберг, Медведев

МПК: B23K 31/02, B23K 9/12

Метки: автомат, контактов, приварки

...проволокой и конусом втулки 13 постоянно выбираются пружиной 15 за счет перемещения ползуна 16). Подача контактного материала, зажато- го в ползуне 16, осуществляется перемещением втулки 13 рычагом 19 (см.фиг,2) от исходного положения втузки 13 (см.фиг,2) до крайнего положения рычага 19, Величина подачи контактного материала изменяется эа счет изменения исходного положения втулки 13 перемещением упорного винта 18.Привод подпружиненного пружиной 20 (см.фиг.2) рычага 19 осуществляется кулачком 21 (см.фиг.З), расположенным на кулачковом валу 22 сварочной головки 3(см,фиг,1), На кулачковом валу 22 (см.фиг.3) установлен кулачок 23 привода верхнего электрода 24 и кулачок 25 привода ножа 26 отрезки контактной проволоки, Кулачок 23...

Номер патента: 1262972

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Артамонова, Козлов, Корнева, Красинская, Певзнер, Поляк, Соминская, Фридман, Шлейникова

МПК: C22C 5/04

Метки: контактов, основе, палладия, сплав, электрических

СПЛАВ НА ОСНОВЕ ПАЛЛАДИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ, содержащий рений, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности контактного сопротивления, увеличения микротвердости и износоустойчивости, снижения коэффициента трения, он дополнительно содержит никель при следующем соотношении компонентов, мас. % :Рений 10,0 - 20,0Никель 12,0 - 22,0Палладий Остальное

Номер патента: 1225416

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Альтман, Бродов, Володина, Мелашенко, Новиченко

МПК: H01H 1/02

Метки: композиционный, контактов, материал, электрических

КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ на основе серебра, включающий никель, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости и экономии серебра, он содержит дополнительно окись олова при следующем соотношении ингредиентов, мас. % :Окись олова 1 - 13Никель 39,5 - 40,5Серебро Остальное

Номер патента: 651587

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Альтман, Беляков, Бродов, Быстрова

МПК: C22C 19/03, H01H 1/02, H01H 1/10 ...

Метки: контактов, материал, никеля, основе, подслоя, электрических

МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПОДСЛОЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ НА ОСНОВЕ НИКЕЛЯ, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности крепления контактов к контактодержателям, он дополнительно содержит олово при следующем соотношении компонентов, мас. % :Олово 0,1 - 10,0Никель Остальное

Номер патента: 1487289

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Афонин, Егоров, Зубрицкий, Малинина, Правоверов

МПК: B22F 7/02, C22C 9/00, H01H 1/02 ...

Метки: биметаллический, контактов, материал, металлокерамический, электрических

БИМЕТАЛЛИЧЕСКИЙ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ, содержащий рабочий слой из композиции на основе серебра, содержащей оксид кадмия в количестве 12 17 мас. и технологический слой из сплава, содержащего серебро, отличающийся тем, что, с целью снижения стоимости материала при сохранении срока службы контактов, сплав дополнительно содержит медь при следующем соотношении компонентов, мас.Серебро 26 34Медь 66 74

Номер патента: 1198969

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Афонин, Маховский, Правоверов, Трибунская, Турова, Фадеева, Юрков

МПК: C22C 5/06

Метки: контактов, материал, основе, серебра, спеченный, электрических

СПЕЧЕННЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ СЕРЕБРА ДЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ, содержащий оксид кадмия, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости контактов против сваривания при сохранении высокой эрозионной стойкости, он дополнительно содержит сложный оксид кадмия и индия состава Cd In2 O4 при следующем соотношении компонентов, мас.Оксид кадмия 8 13Сложный оксид кадмия и индия состава Cd In2 O4 0,4 1,2Серебро Остальное

Номер патента: 1208821

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Афонин, Веселова, Маховский, Правоверов, Турова, Фадеева, Юрков

МПК: C22C 32/00, C22C 5/06, H01H 1/02 ...

Метки: контактов, материал, основе, серебра, электрических

МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ НА ОСНОВЕ СЕРЕБРА, содержащий оксид кадмия и оксид висмута, отличающийся тем, что, с целью повышения эрозионной стойкости при сохранении уровня контактного сопротивления и стойкости против сваривания, он дополнительно содержит сложный оксид висмута и олова состава Bi2 Sn2 O7 при следующем соотношении компонентов, мас.Оксид кадмия 8 12Оксид висмута 0,5 3,0Сложный оксид висмута и олова состава Bi2 Sn O7 0,3 1,5Серебро Остальное

Номер патента: 1632255

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Дуксина, Правоверов

МПК: B22F 3/10, H01H 1/02

Метки: контактов, основе, серебра, электрических

...восстанавливают при 650 С, При повторном смешивании к порошку сплава, Ац - Ме добавляют 5/, ЯпОг. Контакты окисляют при 750 С в течение 1 ч в атмосфере Исходная смесь Ац - МеО имела состав,одинаковый с приведенным в примере 1, иготовилась по той же технологии. При повторном смешивании к восстановленномупорошку сплава Ац - Ме добавляют 5% смеси оксидов олова и меди в соотношении 1:1(95% Ац - Ме+2.5% ЯпОг+ 2,5% СцО). Далееконтакты готовят по режимам из примера 1,П р и м е р 4. Состав готовых контактов10 и технология их изготовления совпадают сприведенным в примере 2, Отличие заключается в том, что в качестве исходного сырьядля изготовления контактов используют углекислое серебро.15 П р и м е р 5, Для выявления влияниямеди, равномерно...

Номер патента: 1695693

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Дорожкин, Дуксина, Егоров, Ефимова, Зубрицкий, Калихман, Кочетков, Правоверов

МПК: C22C 1/04, H01H 1/02

Метки: кадмия, контактов, оксидом, основе, производства, серебра, электрических

СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ НА ОСНОВЕ СЕРЕБРА С ОКСИДОМ КАДМИЯ, включающий прессование из порошка сплава серебро-кадмий пористой заготовки, внутреннее окисление, допрессовку, спекание, калибровку и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения коммутационной стойкости контактов и устранение межполюсных перекрытий, прессование осуществляют из порошков с размерами частиц 2 7 мкм, а внутреннее окисление осуществляют в засыпке из оксида или нитрида алюминия, при этом заготовки размещают на поддоне в один слой.

Номер патента: 1415970

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Афонин, Голубничий, Колонин, Куранов, Правоверов, Творогова, Тимофеев, Хаяк

МПК: H01H 1/02

Метки: биметаллический, контактов, материал, металлокерамический, электрических

БИМЕТАЛЛИЧЕСКИЙ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ, содержащий рабочий слой из композиции серебро окись кадмия с содержанием окиси кадмия 8 25 мас. и технологический слой, отличающийся тем, что, с целью экономии серебра и повышения срока службы контакта, технологический слой выполнен из сплава серебро кадмий при следующем соотношении компонентов, мас.Кадмий 4 20Серебро Остальное

Номер патента: 1354738

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Бабкин, Дуксина, Егоров, Зубрицкий, Калихман, Юрков

МПК: C22C 5/06, H01H 1/02

Метки: контактов, материал, основе, серебра, спеченный, электрических

СПЕЧЕННЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ СЕРЕБРА ДЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ, содержащий оксид кадмия, отличающийся тем, что, с целью повышения эрозионной стойкости контактов, он дополнительно содержит интерметаллическое соединение никеля с индием при следующем соотношении компонентов, мас.Оксид кадмия 10 30Интерметаллическое соединение никеля с индием 0,1 2,2Серебро Остальное

Номер патента: 1822591

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Барковский, Волков, Пискун, Правоверов

МПК: C22C 32/00, C22C 5/06, H01H 1/02 ...

Метки: контактов, материал, основе, серебра, спеченный, электрических

СПЕЧЕННЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ НА ОСНОВЕ СЕРЕБРА, содержащий железо, никель и оксид марганца, отличающийся тем, что в качестве оксида марганца, он содержит оксид марганца состава MnO при следующем соотношении компонентов, мас.Железо 8 30Никель 1 5Оксид марганца состава MnO 1 7Серебро Остальное

Номер патента: 1827119

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Барковский, Волков, Шабатин

МПК: C22C 32/00, C22C 5/06, H01H 1/02 ...

Метки: контактов, материал, основе, серебра, электрических

1. Материал для электрических контактов на основе серебра, содержащий оксид марганца, отличающийся тем, что в качестве оксида марганца он содержит оксид марганца состава MnO при следующем соотношении компонентов, мас.Оксид марганца состава MnO 0,3 10,0Серебро Остальное2. Способ изготовления материала для электрических контактов на основе серебра, включающий получение шихты из порошков серебра и оксида марганца, прессование шихты и спекание, отличающийся тем, что получение шихты осуществляют соосаждением гидрооксидов серебра и марганца из смеси водных растворов азотнокислых солей серебра и марганца, сушкой и прокалкой, а спекание проводят в восстановительной атмосфере.3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что в...

Номер патента: 1829769

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Володин, Костюкевич, Смертенко, Ханов, Ханова

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, моносульфиду, омических, самария

...через маску так, что оставался чувствительный элемент 45 из ЯаЯ размером 2 х 1 мм, а с двух сторон егобыли образованы контактные площадки 1 х 1 мм, Сначала через такую маску напылялся титан в течение 35 - 330 с со скоростью 5 - 60 оА/с, а затем никель в течение 130 - 670 с со 50оскоростью 6 - 30 А/с. Напыление металлов проводилось при температуре 80 - 240 С.Вольт-амперная характеристика структуры (И 1+Т)-Игпи представлена на черте1829769 Таблица 1 Сопротивление макетов тензорезисторов с контактами (Т+М) при различных режимах напыления Т 1; Тпод.=150 С; режим напыления гЛ: время напыления 1 м=350 с, скорость напыоления Чю=15 А/с. отклонения от омического закона, для которого а= 1.Из зависимости на чертеже следует, что диапазон...

Номер патента: 1272909

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Афанасьев, Афонин, Гладченко, Гнатовский, Дорожкин, Дуксина, Калихман, Маховский, Мильшин, Новиченко, Правоверов, Семенов, Фадеева, Фатнев, Юрков

МПК: H01H 1/02

Метки: биметаллический, контактов, материал, металлокерамический, электрических

БИМЕТАЛЛИЧЕСКИЙ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ, содержащий рабочий слой из серебрографитовой композиции и технологический слой из сплава меди и титана, отличающийся тем, что, с целью экономии серебра за счет повышения эрозионной стойкости, рабочий слой выполнен из композиции серебро 1,6-3,7 мас. графита 8-32 мас. никеля, а технологический слой дополнительно содержит олово при следующем соотношении компонентов, мас.Олово 3-8Титан 0,1-2,0Медь Остальное

Номер патента: 1602279

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Абрамян, Мелкумян, Мкртчян, Петросян

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремниевой, подложке

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТОВ К КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий вакуумное напыление алюминиевой пленки, формирование контактной площадки и термокомпрессионную сварку золотого микропровода с контактной площадкой, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов, после напыления алюминия, не нарушая вакуума, на поверхность алюминиевого слоя напыляют слой меди толщиной 500 3000 .

Номер патента: 1321313

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Минеева, Миронов

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, омических, п-типа, полупроводниковым, соединениям

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СОЕДИНЕНИЯМ A3B5 P-ТИПА, включающий химическую обработку полупроводника, его нагрев, напыление слоя ванадия и основного контактного металла, отличающийся тем, что, с целью экономии драгоценных металлов при сохранении качества омических контактов, в качестве основного контактного металла используют никель или алюминий и нагревают полупроводник от 150 до 250oС.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве основного контактного металла используют двухслойную композицию из никеля и алюминия.

Номер патента: 1440296

Опубликовано: 10.12.1995

Автор: Минеева

МПК: H01L 21/28

Метки: арсениду, галлия, контактов, омических, проводимости, типа

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К АРСЕНИДУ ГАЛЛИЯ n-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ, включающий химическую очистку пластины, нанесение германия и палладия, нагрев в инертной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности контактов путем снижения переходного сопротивления, на пластину после химической очистки наносят химическим путем палладий, толщиной нагревают структуру до 200 300oС, германий наносят толщиной после чего наносят никель или алюминий, толщиной

Номер патента: 1556505

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Абрамов, Капля

МПК: H03K 5/153

Метки: адаптивное, дребезга, защиты, контактов, логической

1. АДАПТИВНОЕ УСТРОЙСТВО ЛОГИЧЕСКОЙ ЗАЩИТЫ ОТ ДРЕБЕЗГА КОНТАКТОВ, содержащее триггер, одновибратор, первые входную и выходную шины, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет формирования сигналов до коммутации и измерения длительности первого импульса дребезга, в него введены элементы ИЛИ-НЕ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ и селектор импульсов по длительности, причем информационный вход триггера соединен с первым входом элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ и входной шиной устройства, инверсивный выход триггера соединен с вторым входом элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ и второй выходной шиной устройства, при этом выход элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ соединен с первыми входами элемента ИЛИ-НЕ и селектора импульсов, выход элемента ИЛИ-НЕ подключен...

Номер патента: 1505247

Опубликовано: 20.03.1996

Автор: Кисляков

МПК: G05B 23/02

Метки: зависания, зоны, контактов, микровыключателя

1. Способ измерения зоны зависания контактов микровыключателя, заключающийся в перемещении его приводного элемента в прямом направлении с форсированной скоростью V1 до срабатывания и последующего перемещения с той же скоростью в обратном направлении до исходного состояния контактов, повторного перемещения приводного элемента в прямом направлении с меньшей скоростью V2, в процессе которого измеряют время T1 разомкнутого состояния контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения точности при увеличении производительности измерений, в процессе перемещения приводного элемента со скоростью V1 измеряют время T2 разомкнутого состояния контактов, а величину X зоны зависания...

Номер патента: 865065

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Минеева, Миронов, Филипченко

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, омических, полупроводниковым, приборам

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПРИБОРАМ на основе соединений AIIIBV, включающий химическую обработку, нагрев подложки, напыление металла и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества приборов, после химической обработки на подложку дополнительно осаждают слой палладия толщиной 150 - 200 и проводят термообработку при температуре 450 - 500oС в течение 0,5 - 20 мин.

Номер патента: 1823709

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Астахова, Бондарь, Стрельцов

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, омических

...контактов к кремнию методом РСД.П р и м е р 1, Берут кремниевую пластину, например, типа КЭФ,5 с открытыми окнами в двуокиси кремния под омический контакт с мел козалегаюшему диффузионному слою и+, помещают ее на катоде устройства плазмы тлеющего разряда и при плотности тока разряда плазмы 0,082мА/см в течение 2 мин проводят очистку поверхности кремния в открытых окнах, затем наносят пленку алюминия толщиной 0,3 - 0,5 мкм методом магнетронного распыления либо термическим испарением в вакууме. После осуществления фотолитографии по алюминию, снова располагают подложку кремния на катоде газоразрядного устройства и осуществляют РСД алюминия в кремний в плазме тлеющего разряда в течение 2 мин при плотности тока разряда плазмы 0.08 мЛ/см ....

Номер патента: 1450665

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: n-p-переходов, контактов, мелких, ним, создания

Способ создания мелких n-p-переходов и контактов к ним, включающий операции ионного легирования, термообработки и нанесения покрытия из силицидообразующего металла, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет устранения опасности проплавления n-слоя при уменьшении его толщины, в качестве силицидообразующего используют металл, обладающий величиной электроотрицательности, Хм, удовлетворяющей условию: Хм > Хпр > Xgi, где Хпр - электроотрицательный легирующей примеси, Xgi - электроотрицательность кремния, а термообработку проводят после нанесения покрытия из силицидообразующего металла при 550-1100 К в...

Номер патента: 1424638

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Калинин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремния, легированных, мелких, ним, слоев

Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним, включающий ионную имплантацию примеси и кремний, постимплантационный отжиг, нанесение пленки силицидообразующего металла и термический нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств n-p-переходов за счет формирования мелких n-p-переходов в бездефектной области кремния, пленку силицидообразующего металла наносят толщиной от где Rp - проецированная длина пробега ионов примеси; Rp - рассеяние величины проецированного пробега ионов примеси;...