Источник электронов

Номер патента: 971022

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Абдуллин, Баженов, Ерохин, Ладыженский

МПК: H01J 1/30

Метки: взрывным, источник, катодом, электронов

...и выполнение его обращенным эмиттирующей поверхностью к вспомогательному электроду исключает флуктуации эмиссионной способности плазменной поверхности как за счет предотвращения прямого выхода плазменных сгустков к границе эмиссии плазмы, так и за счет жесткой фиксации потенциала электрода, непосредственно примыкающего к границе эмиссии. Выполнение катодного электрода из материала с высокой прозрачностью для молекул газа исключает накопление в межэлектродном промежутке десорбированного газа и в то же время исключает возможность выхода плазмы за пределы полости катодного электрода.Благодаря тому что плазма за пределы полости катодного электрода не выходит, площадь эмиссионной поверхности катодной плазмы возможно ограничить по периметру и...

Номер патента: 728573

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Лозовой, Никитинский

МПК: H01J 3/02

Метки: источник, плазменный, электронов

1. ПЛАЗМЕННЫЙ ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОНОВ на основе дугового контрагированного разряда с катодным пятном, перемещаемым магнитным полем по рабочей поверхности катода, содержащий анод, промежуточный электрод с контрагирующим отверстием, катод и экстрактор, отличающийся тем, что, с целью повышения энергетической экономичности источника путем снижения уровня низкочастотных колебаний в разряде, катод выполнен в виде стакана, закрытого диафрагмой с отверстием не менее, чем на порядок превышающим диаметр контрагирующего отверстия в промежуточном электроде, причем ширина кольцевой щели, образованной стаканом и диафрагмой, равна глубине стакана.2. Источник электронов по п.1, отличающийся тем, что стакан выполнен из материала с работой выхода ниже...

Номер патента: 730184

Опубликовано: 07.01.1981

Авторы: Бугаев, Кошелев

МПК: H01J 29/48

Метки: источник, электронов

...основаниями равномерно по периметру пластины, оси острий лежат в плоскости пластины, вершины острий удалены нв равныерасстояния от анода, Измеения величиныд lх многоострийного катода при расстоянии между вершинами соседних острий У3 мм показывают, что начинаяс о " 1 см величина д (1для многоострийного катоца меньше, чем для сплошного катода. Последующее увеличение опривоцит к дальнейшему уменьшениюдик по сравнению со сплошным катодом и при 8 й 10 д величина д/кдля многоострийного катода достигает, минимальной величины, равной Й /кдля одиночного острия, которая в 2-3раза меньше чем для сплошного катода. С целью получения однородного трубчатого электронного пучка, катоц выполнен из набора, насаженных на общую ось, 5 7301 круглых...

Номер патента: 791103

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Гольдфарб, Каплан, Кулешов, Лозовой, Никитинский, Пширков, Соколов, Соломенцев, Строганов

МПК: H01J 37/077

Метки: источник, плазменный, электронов

Плазменный источник электронов, содержащий катод, промежуточный электрод с контрагирующим отверстием, анод, управляющий и ускоряющий электроды, отличающийся тем, что, с целью стабилизации тока пучка электронов и повышения электрической прочности ускоряющего промежутка, на поверхности промежуточного электрода, обращенной к катоду, выполнен кольцевой выступ, при этом промежуточный электрод отделен от катода пластиной, поперечный размер которой превосходит диаметры как катода, так и выступа, а расстояние между пластиной и промежуточным электродом, равное внутреннему диаметру кольцевого выступа, на порядок величины больше диаметра контрагирующего отверстия.

Номер патента: 340360

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Башкин, Белов, Борисов, Грызлов, Соловьев

МПК: H05H 7/12

Метки: импульсного, источника, питания, электронов

...из,ряда стандартных элементов, та5 кцх как делительно-хгножительные устройства, измерители временных интервалов, соединенных любым образом, достаточным для того чтобы в интервале времени от импульса1 Ф10 к импульсу следящего устройства 12 решать залачу 1Ц:К-.:и цО 15 гле К - константа,т - необхолцмая ллительность импульса источника электронов в предстоящем срабатывании, 201 о - эталонная длительность импульсапри заданном среднем токе источника электронов,Т - измеренное значение периода работы схемы, 25Т, - заданное срвлцее значение периодаработы схемы.Система импульсного .питания источникаэлектронов работает следующим ооразом.Накопитель 4 заряжают резонансным спо- Зосооом от источника, питания 1 через лроссель2 ц диод 8 ло...