Патенты с меткой «эмиттеров»

Номер патента: 112600

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Тютиков

МПК: H01J 43/10, H01J 9/12

Метки: активировки, бериллиевой, бронзы, эмиттеров

...специальном держателе и поме 1 цдют в 1 шкуумную печь. После получения в системе вакуума - 1.10 лл рт. ст. и; 11 индют прогрев. При истсчсцш часа после достижения температуры 840 - 850 при вакууме около 2.10 "лл рт. ст. перекрывают кран диффузионного насоса и производят напуск кислорода до ддвлешя 1 - 5.10 - -л.11 рт. ст. После поглощения к 1 слородд поверяостями эти гтсров, о чем судят по умецьшсц 11 ю ддвлсшя до величины 10 10 - 1 лл рт. ст., производят новый ндпуск кислорода. Операцшо повторяют 10 - 15 раз, после чего открывшот кран диффузионного пасоса и через 5 - 10 м цут ток ц 1 кдлд пеи сиикают до вели шцы, при которой устанавливается температура 500 - 650, При этой тсмпсрдгм 1 зе эмиттеры Выдерживаются о 0 - 30 зингт и вновь...

Номер патента: 190499

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Айнбунд, Дунаевска, Тагер, Юхвидин

МПК: H01J 9/12

Метки: активировки, вторичных, эмиттеров

...в атмосфере остаточных газов (в присутствии аквадага), отличающийся тем, что, сцелью проведения процесса активировкп в от 15 паянных цезиевых атомнолучевых трубках впроцессе их технологического прогрева вовремя откачки, активировку производят в течение 30 - б 0 час при температуре порядка400 С и давлении остаточных газов порядка20 10 - з мм. рт. ст. при подъеме температуры втечение 5 - 7 час,Известен способ активировки вторичных эмиттеров, выполненных на основе сплавов меди с бериллием, алюминием и магнием,путем их кратковременного прогрева в атмосфере остаточных газов при б 00 - 800 С, давлении газов неболееб10 змм рт. ст. и быстром подъеме температуры,Особенностью предложенного способа является то, что активировку производят 30 -...

Номер патента: 320851

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Жданов, Звонецкий, Коржавый, Роо, Тихонов, Файфер

МПК: H01J 1/32

Метки: втбричмбэлёктрбнных, материал, эмиттеров

...основы и бериллатов щеЛочйоземельных металлов прийбдйт к перехо ду бериллатов в новое активированное со.стояние. Это состояние является метастабиль.ным и определяется динамическим равнойе сием процесса диссоциации бериллатов с Образованием в приповерхностном слое сплава атомов бериллия и щелочноземельного металла и процесса удаления этих атомов за счет термического испарения;и диффузии в метал лическую основу сплавов и взаимодействияс последней,Лктивированная таким образом окиснаяфаза обладает высокой устойчивостью к воз действию потока электронов высокой энергиии плотности, что значительно повышает стабильность вторичноэмиссионных свойств сплава, содержащего диспергированные бериллаты щелочноземельных металлов. Метал...

Номер патента: 436033

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Бабанина, Гречаник, Суздалева

МПК: C03C 3/07, C03C 3/105

Метки: каналовых, стекло, эмиттеров

...слоем, включающее Я 10 з,РЬО, В 1 зОз, ХазО,Цель изобретения - обеспечение удельногоэлектрического сопротивления вторично-эмиссионного слоя в диапазоне 10 - 10" ом/см. 1Это достигается тем, что стекло дополнительно содержит А 1 зОз при следующем соотношении указанных компонентов, мол %:ЗтОз 27 - 75РЬО+В 1 гОз 10 - 55 15А 1 зОз+ХазО 2 - 30Соотношение А 1 зОз. МазО составляет от 1:1до 1:2.Стекло варят в сосудах из кварцевого стекла при температуре 1250 - 1450 С с выдержкой при максимальной температуре 2 - 3 часа.Отжиг стекла проводят при температуре350 - 550 С, а его термообработку при температуре 340 - 460 С в течение 4 час в атмосфере водорода. При этом на поверхности стекла 25образуется...

Номер патента: 438061

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Иофис, Пароль, Шарапова

МПК: H01J 1/30, H01J 9/02

Метки: горячих, электронов, эмиттеров

...10 олова пропусканием электрического тока на воздухе. При этом в месте повышенного сопротивления происходит разогрев пленки олова, ее пережог с одновременным окислением. В месте пережога образуется формо вочная пленка, способная эмиттировать электроны.Цель изобретения - упрощение технологии изготовления,Для этого по предгреву подвергаютолова.Получение пленок металлического олова значительно проще, чем получение пленок ЗпОз. При получении пленок ЯпО; методом 2 гидролиза (именно этот метод применяется для получения ненакаливаемых эмиттеров) процесс ведется в реактивной среде паров НС 1, что вредно для обслуживающего персонала и требует использования специального оборудования.В качестве эмиттера работает узкая отформованная область пленки...

Номер патента: 286793

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Комяк, Павлов, Рабинович, Шредник

МПК: H01J 1/304

Метки: игольчатых, холодных, эмиттеров

...в качестве автоэмиттера.Для данной пары сред, режима травления, материала и диаметра проволок заготовки итоговая форма острия оказываетсяв высокой степени стандартной. В качестве40инертной среды используют жидкость, несмешивающуюся с травяшей жидкостью.На фиг. 1 изображена проволочная заготовка, присоединенная к проводящейоснове, погружениая в травильную двух45слойную ванну (травящая жидкость при этомрасположена ниже инертной). На фиг. 2 такая же заготовка погружена в двухслойную ванну, где травящая жидкость расположена выше инертной.К проводящей основе 1, находящейсяв инертной жидкости 2, несмешивающейсяс травяшей жидкостью, прикреплены проволочки 3, проходящие через границу раздела 4 травящей 5 и инертной жидкостей.Предлагаемый способ...

Номер патента: 293515

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Комяк, Павлов, Рабинович, Шредник

МПК: H01J 1/304, H01J 35/06

Метки: игольчатых, холодных, эмиттеров

...погруже-нием в травильную ванну боковую поверхность проволочной заготовки покрываютвеществом (например. лаком, канифолью),хорошо растворимым в нетравяшей, инертной жидкости и нерастворимым в травяшейжидкости, В таком случае травление проис,ходит в предельно тонком слое вблизи границы раздела двух упомянутых жидкостей.В результате этого после перетравлениязаготовки получается короткая коническаячасть для острий образующихся как на закрепленной, так и йа отделившейся частизаготовки,Предлагаемый способ осушествляетсяследующим образом,На чертеже изображено приспособлениедля осуществления предлагаемого способа.Заготовка 1, покрытая слоем лака 2,погружена в травильную ванну, где травяшая жидкость 3 размещена в верхнем слое,Выше границы...

Номер патента: 528631

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Бузников, Дрель, Лещенко, Линник, Майзель, Якубов

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автоэлектронных, многоострийных, эмиттеров

...с прототипом расширить диапазон материалов, используемых для изготовления ос 25 трий, поэтому наличие пленки двуокиси олована подложке в качестве маскирующего покрытия позволяет получать геометрическую однородность матрицы острий и, следовательно,стабильность параметров и надежность в ра 30 боте, так как пленка двуокиси олова образуетЗаказ 2352/12 Изд. Лгз 1623 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, )К, Раугиская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 ся не за счет монокристалла подложки, и те пература ее образования слишком низка для создания на границе подложка - двуокись олова механических напряжений.Способ, согласно изобретению, описывается следующей...

Номер патента: 611263

Опубликовано: 15.06.1978

Авторы: Дунаевская, Масленков, Подоксина, Стучинский

МПК: H01J 39/00

Метки: активировки, вторично-электронных, меди, основе, сплавных, эмиттеров

...эа счет глубокого окислприводит к образомнию на поверхности эмитеров диэлектрических пленок, соэдаюшихнестабильность анодного тока эмиттеров иухудщаюших световую характеристику прибора в целом,Бель изобретения - повышение стабильности анодного токе, улучшение световойхарактеристики и сокращение времени вхождения прибора в режим,Цель достигаетс по предлагаемому способу после в отдельномвакуумном объеме проводят распылениеСоставитель Ю, КутенинРедактор И. Шубина Техред Н. Бабрука Корректор В, Сердюк Заказ 3164/42 Тираж 960 ПодписноеЦНИИПИ. Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская набд, 4/5 филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 щелочного металла, а окисление в...

Номер патента: 643991

Опубликовано: 25.01.1979

Автор: Звонецкий

МПК: H01J 1/32

Метки: вторичноэлектронных, материал, эмиттеров

...СВЧ. Для получения матеготавливались три спщим содержанием ингре1 Ва 2 Везов - 10никеля - 88.2. ВаВе Ов, 1 лкеля - 84,3. ВавВе О - 10( Вникеля - 80.Вторично-эмиссионнвов сведены в таблицу643991 Формула изобретения Составитель Г. Жукова1 ехред СМигай Корректор Л. Веселовская Редактор Е. ГончарЗаказ 8036/50 Тираж 922 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий13035, Москвар Ж 35 у Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Оптимальный состав сплава с наилуч" шими вторично-эмиссионными характеристиками: Ва Ве О - 10 об.ЬгВеОЗ6 об., никель 84.обИсходными веществами для полученияматериала для вторично-электронныхэмиттеров, например, состава М+10 об.8Ва Ве,О+ 6 об. Й Ве Оз...

Номер патента: 725115

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Есаулов, Жданов, Ильин, Казаков, Мясников, Редега, Файфер

МПК: H01J 1/32

Метки: вторичноэлектронных, материал, эмиттеров

...(до 60 в 1 тА/см),725115 Максимальный КВЭЭ при Т, С Содержание окислов, вес. %Основа 100 400 200 600 2,7 3,1 3,0 2,3 Медь 3 6 10 12 2,02,052,051,95 2,2 2,5 2,4 2,0 2,6 3,0 2,9 2,2 Формула изобретения Составитель, Т. Лакомкина Техред В. Серякова Редактор Н. Коляда Корректор В. Дод Заказ 148/16 Изд.216 Тираж 857 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 ют высокими и стабильными вторично-эмиссионными свойствами при температурах от100 до 600 С и плотности тока бомбардирующих электронов до 100 мА/см. Сплавы, содержащие окисной фазы больше 10% вес, имеют значение КВЭЭ ниже, чем сплавы с меньшим содержанием, по-видимому, за счет...

Номер патента: 1056304

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Нешпор, Соколов, Стефановская, Федоринов

МПК: H01J 9/04

Метки: термоэлектронных, эмиттеров

...термоэмиссиис поверхности этих электродов,Бомбардировка металлического основания ионами таких высоких энергий, как100-150 кэВ, неизбежно должна приводить к его распылению,11 елью изобретения является повышениестабильности эмиссии и снижение работывыхода,Поставленная цель достигается тем,что согласно способу изготовления термоэлектронных эми ттеров, включающемуобработку материала эмиттера ионамищелочных металлов и нагрев, в качествематериала гермоэлектронного эми ттераиспользуют нитриды переходных металлов1 УА группы стехиометрического состава,а облучение осуществляют ионами щелоч-,ных металлов с энергией 200-400 эВ содновременным нагревом при 1400-1500К в течение времени, достаточного дляполучения минимальной работы...