Патенты с меткой «автоэлектронных»

Номер патента: 439028

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Давыдова, Карпенко, Шишкин

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автоэлектронных, катодов

...1 скандия и их миграции в области грани (100).Миграция окисных комплексов сопровождает ся изменением напряженности поля и уменьшением работы выхода тр в область грани (100), вследствие чего яркость этих областей резко возрастает.Предложвнный способ локализации был 15 опробован при нанесении на поверхностывольфрамовых острий пленок скандия и иттрия.При соблюдении режимов нанесения и термической обработки слоев этих металлов эмиссионные свойства покрытия воспроизводятся 20 с большой точностью, Покрытия из окисныхкомплексов скандия и иттрия снижают расхождение электронного пучка до 12 - 15, Использование для эмитторов вольфрамовой проволоки, ориентированной вдоль оси (100) по аволит еще более сузить угол автоэмиссии.Исследование...

Номер патента: 464238

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Павлов, Рабинович, Шредник

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автоэлектронных, катодов, острийных

...получить соответственно форму отжига или конечную форму испарения полем острия с радиусом,меньшим исходного.Термополевая обработка в режимах полевой эрозии обычно сопровождается появлением на поверхности острия микровыступов, размеры которых очень малы по сравнению с размерами макронаростов и, с радиусом острия, Количество микровыступовзависит от режима термополевой обработки,Для режимов, обеспечивающих уменьшениерадиуса острия, характерно появление одного или нескольких микровыступов на поверхности острия, Микровыступы наблюдаются визуально в автоэлектронном или автоионном микроскопе или легко обнаруживаются по резкому изменению автоэмиссионных вольтамперных характеристик, и поэтому их удобно использовать для контролярежимов...

Номер патента: 528631

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Бузников, Дрель, Лещенко, Линник, Майзель, Якубов

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автоэлектронных, многоострийных, эмиттеров

...с прототипом расширить диапазон материалов, используемых для изготовления ос 25 трий, поэтому наличие пленки двуокиси олована подложке в качестве маскирующего покрытия позволяет получать геометрическую однородность матрицы острий и, следовательно,стабильность параметров и надежность в ра 30 боте, так как пленка двуокиси олова образуетЗаказ 2352/12 Изд. Лгз 1623 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, )К, Раугиская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 ся не за счет монокристалла подложки, и те пература ее образования слишком низка для создания на границе подложка - двуокись олова механических напряжений.Способ, согласно изобретению, описывается следующей...

Номер патента: 997128

Опубликовано: 15.02.1983

Автор: Дранова

МПК: H01J 1/304, H01J 9/02

Метки: автоэлектронных, катодов

...исследова ния материала приповерхностных облас. тей катода, в результате облучения атомно-чистой и сглаженной поверхности катода ионами инертного газа ( чапример, гелия ). ОДавление инертного газа не должно превышать значения 810торр,выше которого в межэлектродном промежутке развивается разряд, разрушающий катод, С понижением давления инертного газа ниже 510 з торр становитсясущественной ионная компонента остаточных газов в потоке бомбардирующих катод ионов, что приводит к снижению стабильности эмиссии обработанно-го облучением катода.При облучении атомно-сглаженных поверхностей автоэлектронных катодов до различных доз экспериментально обнаружено, что стабильность эмиссии эффективно повьыается пои облучении до дозы...