Размагничивающее устройство

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ п 1) 438063 Союз Советских Социалистимеских Республик(51) М. Кл. Н 01129/06 Государственный комитеСовета Министров Спо делам изобретени открытий 32) итет публиковано 30,07.74. Бюллетень28 ата опубликования описания 08.01.75(71) Заявите АГНИЧИВАЮ СТРОЙСТВ технике экранироагничивающим экься в технике цвет- в телевизорах или вах.щие устройства, соапример стальной, тной кинескоп от катушки размагнии этого экрана, пименты переменным шающейся амплитуОднако известные размагничивающие устройства характеризуются низкой эффективностью работы, так как напряженность размагничивающего поля низка, имеет нерациональное направление и ее недостаточно для размагничивания всего объема материала экрана и деталей кинескопа. Кроме того, для известных размагничивающих устройств необходим большой расход материала, особенно меди, при изготовлении катушек размагничивания, а большие трудоемкости намотки, изолирования, их укладки и изготовления металлического экрана значительно удорожают известные размагничивающие устройства.Целью изобретения является повышение качества размагничивания. Изобретение относится к вания, в частности к разм ранам, и может использоват ного телевидения, например видеоконтрольных устройстИзвестны размагничиваю держащие металлический, экран, защищающий цве внешних магнитных полей, чивания, уложенные вблиз таемые в определенные мо током с постепенно умень дой Это достигается в предлагаемом устройствевыполнением целого стального экрана из двух не перекрывающих друг друга частей, между которыми помещены сердечники сосредоточен ных индуктивностей, например катушек индуктивности с П-образным стальным сердечником, которые вместе с частями металлического экрана составляют квазиортогональные взаимосвязанные пары магнитных контуров, 10 причем одна или несколько из упомянутых парподключены к источнику размагничивающих полей - сосредоточенной индуктивности с переменным размагничивающим напряжением.Для увеличения напряженности размагни чивающего магнитного поля и оптимальногораспределения магнитного потока, создаваемого источниками размагничивающих полей в элементах квазиортогональных контуров, например в составляющих магнитный контур - 20 магнитных сопротивлениях, части металлического экрана в непосредственной близости от сердечников размагничивающих индуктивностей содержат дополнительные пластины из ферромагнитного материала, а в поверхностях 25 металлического экрана образованы магнитныесопротивления в виде выполненных параллельных щелей с изменяющейся геометрией и регулирующих магнитные сопротивления. В качестве составных частей контуров экрана могут ЗО быть использованы элементы конструкции, на15 го 25 Зо 35 40 45 50 55 60 65 пример бандаж взрывозащиты или крепления кинескопа.На фиг. 1 показана конструкция магнитного экрана с установленными на нем источниками м.д.с. (магнитодвижущих сил); на фиг. 2 - эквивалентная схема магнитных контуров экрана.Размагничивающее устройство содержит бандаж 1, магнитный экран, состоящий из частей 2 и 3, источники м.д.с. 4 и 5, Части 2 и 3 магнитного экрана соединяются между собой с помощью П-образных сердечников источников м.д.с. 4 и 5. Катушки индуктивностей источников м.д.с. 4 и 5 подключены в определенные моменты времени к источнику 6 переменного тока уменьшающейся амплитуды. Магнитный контакт, определяющий переходное магнитное сопротивление между полюсными сердечниками источников м.д,с. 4 и 5 и частями 2 и 3 магнитного экрана, а также между частями 2 и 3 магнитного экрана и бандажом 1, должен быть плотным. В поверхности магнитного экрана могут быть выполнены щели 7, регулирующие магнитное сопротивление по пути магнитных потоков, В местах с ослабленным сечением магнитопроводов, например под полюсами сердечников источников м.д.с. 4 и 5, может быть применено искусственное увеличение толщины материала с помощью накладок 8,Для создания достаточной напряженности магнитного поля внутри цветного кинескопа в районе теневой маски части контуров магнитного экрана, расположенные под полюсами сердечников источников м,д.с. 4 и 5, выполняют роль полюсных наконечников. Полюсные наконечники выполняются значительной площади с увеличенным сечением магнитопровода.Участки контуров вблизи полюсных наконечников имеют уменьшенное сечение магнитопровода, которое может увеличиваться к периферии от источников м.д.с. 4 и 5, Это уменьшение сечения необходимо для снижения индуктивного сопротивления катушек источников м.д.с. 4 и 5, а также для увеличения напряженности магнитного поля рассеяния от полюсных наконечников.Площадь наибольшего сечения магнитопровода и площадь уменьшенного сечения следует выбирать из следующих соображений. Сталь, из которой обычно изготавливают магнитный экран, имеет определенную величину максиМаЛЬНОй,ИНДУКЦИИ НаСЫЩЕНИЯ (Вмакс КОТО- рая колеблется для разных марок стали от 2 до 2,5 тл (тесла), В то же время у каждой марки стали имеется определенная величина максимальной остаточной индукции (Вост), которая находится в пределах 0,3 - 0,8 тл. Качественное перемагничивание всех металлических деталей достигается, когда в начальный момент размагничивания амплитудное значение индукции (В,м,), создаваемое источниками м,д.с. во всех сечениях по пути магнитного потока, превысит остаточную индукцию (Вост) материала. При этом следует учитывать, что в ослабленных сечениях максимальное ампли- ТУДНОЕ ЗНаЧЕНИЕ ИНДУКЦИИ (Вамп. макс) НЕ ПРЕ- вышает максимальной индукции насыщения (Вмакс) . Таким образом, отношение наименьшей площади сечения (Ямкп) к наибольшей ПЛОЩаДИ СЕЧЕНИЯ (бамако) ПО ПУТИ МаГНИТНЫХ потоков не должно быть меньше, чем отношение максимальной величины остаточной индукции (Вост) к максимальной индукции насыще- НИЯ (Вмакс) МатЕРИаЛа ЭКРаНа, т. Е.аман -. естМднс МдКС Одновременно минимальная величина сечения контуров (Ямк) зависит от величины напряженности внешних магнитных полей (Ввкеш) и максимальной площади сечения экранируемого объема (бакр, об), Известно, что напряженность поля Земли колеблется от района к району в пределах 0,1 - 0,3 э. Площадь максимального сечения экранируемого объема зависит от типа кинескопа и его габаритных размеров. Для кинескопа 59 ЛКЗЦ площадь максимального сечения экранируемого объема (акр.об) составляет 0,25 - 0,3 м. Зная максимальное значение индукции (Вм,к,) линейного участка кривой намагничивания, можно определить минимальное сечение контуров по следующей формуле:у вкр.об внеш акр.обВдМдкС Р где р - относительная магнитнаямость материала экрана.Величина отверстий в поверхности экрана, которые определяют квазиортогональные, взаимосоединенные пары магнитных контуров, влияет на качество экранирования. Ширина отверстий определена из условия исключения явления выпучивания силовых линий внешнего магнитного поля в экранируемый объем.Размагничивающее устройство работает следующим образом.При мешающих внешних переменных магнитных полях, например, промышленной частоты в магнитопроводах контуров экрана создаются магнитные потоки, снижающие напряженность мешающего поля в экранируемом объеме.Под воздействием внешних статических магнитных полей, например магнитного поля Земли, материал экрана и деталей кинескопа самостоятельно не может перемагнититься вследствие сравнительно большой коэрцитивной силы, которая находится для трансформаторных сталей в пределах 0,35 - 0,7 э.По этой причине необходим источник переменной м.д.с. с уменьшающейся амплитудой магнитного потока. В описанном случае этими источниками являются источники м.д.с. 4 и 5, Создаваемые ими переменные магнитные потоки раскачивают домены спонтанного намагничивания магнитопроводов, в результате чего они легче ориентируются под влиянием внеш 438063него магнитного поля. Одновременно магнитный поток рассеяния раскачивает домены спонтанного намагничивания материала теневой маски, обеспечивая их ориентацию по действующему полю, По окончании процесса размагничивания остаточная индукция в материале отсутствует. Напряженность внешнего магнитного поля, а также от остаточной индукции материала экрана, в экранируемом объеме мала или отсутствует полностью.Образование квазиортогональных контуров из взаимосвязанных пар магнитных сопротивлений 9, 10 и 11 и питание их источниками 12 и 13 размагничивающих полей показано на эквивалентной схеме магнитной цепи размагничивающего устройства (фиг, 2), причем сопротивления 9, 10 и 11 эквивалентны показанным на фиг. 1 деталям 1, 2 и 3 металлического экрана соответственно, а источники 12 и 13 размагничивающих полей эквивалентны соответственно парам источников 4, 6 и 5, 6 размагничивающего устройства, так как источник 6 может быть общим.Предмет изобретения1. Размагничивающее устройство, содержащее металлический экран, размагничивающую сосредоточенную индуктивность, подключенную к источнику переменного размагничиваю- щего напряжения, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения качества размагничивания, металлический экран выполнен из двух не перекрывающих друг друга частей, между которыми помещены сердечники сосредоточенных индуктивностей, которые вместе с частями металлического экрана составляют квазиор тогональные взаимосвязанные пары магнитныхконтуров, причем одна или несколько из упомянутых пар подключены к источнику размагничивающих полей. 15 2. Устройство по п. 1, отличающеесятем, что, с целью увеличения напряженности размагничивающего магнитного поля и оптимального распределения магнитного потока, создаваемого источниками размагничивающих 20 полей в элементах упомянутых магнитных контуров, например в магнитных сопротивлениях, части металлического экрана в непосредственной близости от сердечников размагничивающих индуктивностей содержат дополнительные 25 ферромагнитные пластины, при этом части металлического экрана содержат параллельные щели.438063 Подписи Тираж 760а Совета Министров Си открытийя наб., д, 4/5 1/13 Изд. Ио 1882 ЦНИИПИ Государственного комите по делам изобретений Москва, Ж, Раушск