Накопитель для запоминающегоустройства

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Свез СоветскихСфциалнеткчвсккхРвелублкк(23) П ряорнтет 6 11 С 11/14 Ьауааротеениый комитет СССР ао далек изобретений и открытийT аявнтель ЩЕГО ДЛЯ ЗАПОЙСТВА(54) НАКОПИТЕЛЬУ Изобретение относится к вычислительной4 ехнике и может быть применено в заломи.нающих устройствах на основе цилиндрическихмагнитных доменов,Известен накопитель для запоминающих уст.ройств, содержащий магннтоодноосную пленкус элементами управления доменами (11.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является накопитель, содержащий источники магнитных полей управления и расположенные между ними подложку.с отверстием и кристалл из доменосодержащего материзла, на поверхности которого разме.щепы элементы управления доменами, подключенные к внешним выводам накопителя соединительными проводниками (2),Недостатком таких накопителей является низкая надежность, так как в процессе прнсоединения выводов и эксплуатации накопителянарушается электрический контакт в местах соединения выводов с кристаллом.Так как соединительные выводы в известных накопителях к контактным площадкам кристалла крепят методами сварки илн пайки, что сопровождается нагревом кристалла и появлением местных механических напряжений в результате механического воздействия на кристалл,то при этом сужается область устойчивой работы кристалла и самого накопителя.Цель изобретения - повышение надежностинакопителя для эзломинающего устройства.Поставленная цель достигается тем, что внакопителе, содержащем источники магнитныхполей управления и расположенные между нимиподложку с отверстием и кристалл из домено.содержащего материала, на поверхности которого размещены элементы управления доменами,подключенные ко внешним выводам накопителя соединительными проводниками, в отверстиеподложки установлен кристаллодержатель, выполненный в вцце рамки из термостабильногоматериала, в отверстии которой расположенкристалл иэ доменосодержащего материала, асоединительные проводники расположены наплоскости, образованной поверхностями подложки, рамки и кристалла нэ доменосодержащегоматериала,На чертеже изображен накопитель.824306 Га 88 оставитель В, Розентальехред А, Ач Корректор М, Де Редактор Н. Рогулич аказ 73 Тираж 645 ПодписноеНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретбиий и Открьггий3035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5 Патент", г. Ужгород, ул. Проектная Филиал Он содержит магнитопровод 1, источники магнитных полей управления - источник 2 а по. стоянного магнитного поля и источник 2 б пере- менного электромагнитного поля, кристалл 3 из доменосодержащего материала, соединительные проводники 4, кристаллодержатель 5 из термостабильного материала, подложку 6 с от. верстием, внешние выводы 7 накопителя и элементы 8 управления доменами.Кристалл 3 вмонтирован в отверстие кристаллодержателя 5, который в свою очередь вмонтирован в отверстие подложки 6. Внешние вы- воды 7 присоединены в подложке методом пайки или запрессованы в нее, Крнсталлодержатель и подложка выполнены из одного и то., 15 го же материала, Соединительные проводники 4 выполнены в виде тонкопленочных металлических проводников напылением в вакууме или в виде толстонленочных проводников метода.ми шелкографии или гальванического параши вания.Предлагаемый накопитель имеет повышенную надежность по сравнению с известными устрой. ствами. Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я. Накопитель дпя запоминающего устройства, содержащий источники магнитных полей управ. ления и расположенные между ними подложку с отверстием и кристалл из доменосодержащего материала, на поверхности которого размеще. ны элементы управления доменами, подключен. ные к внешним выводам накопителя соединительными проводниками, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повьппения надежности накошпеля, он содержит установленный в от. верстии подложки кристаллодержатель, выполненный в виде рамки из термостабильиого материала, в отверстии которой расположен кристалл из доменосодержащего материала, а со. единительные проводники расположены на плоскости, образованной поверхностями подложки, рамки и кристалла из доменосодержащегоматериала. Источники информациипринятые во внимание при экспертизе1. ТИИЭР, 1975, т, 63, Иф 8, с. 99.2. Е 1 естгопцса, ч. 49, Р 30, 1976 (прототип),