Канал продвижения цилиндрическихмагнитных доменов

Сфвз Советских Социалистических Республик(51)М. Кл. 6 11 С 11/14 Гасударственные комитет СССР по дмаи нзобретекня к открыткй(53) УДК 681. 327. .66 (088,8) Дата опубликоваимя описания 280281(54) КАНАЛ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на-цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).Известен канал продвижения ЦМД, содержащий Т-образные или шевронные аппликации, расположенные на поверхности магнитоодноосной пленки (.11. 10Элементы канала продвижения не позволяют поворачивать канал продвижения под углом более 90 о, кроме того, занимают большую площадь и не могут быть использованы для сопряжения канала продвижения при изменении 1 его направления.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является канал продвижения ЦМД, содержащий на поверхности магнитоодноосной пленки 20 1-образные аппликации, развернутые веером в направлении поворота (2 .Такие аппликации занимают большую площадь и имеют сложную конструкцию, так как состоят иэ большого количества (не менее 3) элементов.Цель изобретения - упрощение канала продвижения ЦМД..Укаэанная цель достигается тем, что канал продвижения.ЦМД, содержа щий магнитоодноосную пленку, на которой последовательно расположены основные пермаллоевые аппликации, со" держит дополнительные пермаллоевые аппликации в форме замкнутого выпуклого многоугольника, расположенные в местах изменения направления канала продвижения ЦМД и магнитосвязанные со смежными основными пермаллоевыми аппликациями. Высота дополнительных пермаллоевых аппликаций равна высоте основных пермаллоевых аппликаций.На фиг. 1 показано расположение дополнительной пермаллоевой аппликации в канале продвижения ЦМД; на фнг. 2 - принцип действия аппликации; на фиг. 3 - варианты расположения дополнительной пермаллоевой апплйкации.Канал продвижения ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой последовательно расположены основные 2 и дополнительные 3 пермаллоевые аппликации, причем дополнительные пермаллоевые ацпаликации 3 расположены в местах изменения направления 4 канала продвижения ЦМД.Предложенный канал продвижения ЦМД функционирует следующим образом.Продвижение ЦМД вызывается перемагничиванием апплнкаций вращающимся вплоскости аппликаций против часовой стрелки магнитным полем возбуждения Н, . При положении вектора К,(фиг. 2 а) ЦМД 5 занимает позицию, соответствующую положению притягивающего полюса, помеченного знаком "+1 (отталкивающий полюс помечен знаком "-ф на аппликации 2 ). При повороте вектора Но (фиг,2 б) притягивающий полюс образуется на узком конце аппликации 2 , а также на вершине аппликации 3, н ЦИД 5 растягивается, захватывая аппликации 2 и 3. Когда вектор Н займет положение, показанное на Фиг. 2 в, на аппликации 2 образуется отталкиаающий ЦМД полюс, а на аппликации 3 притягиваищий полюс сместйтся 15 на левую среднюю часть и ЦМД 5 переместится вслед. эа притягивающим полюсом. При положении вектора Н показанном на Фиг, 2 г, притягивающий полюс образуется на нижней части аппли кации 3 и ЦМД 5 переместится вслед за перемеСтившимся полюсом. При положении вектора Но,показанном на фиг. 2 д притягивающий полюс образуется на правой средней части аппликации 3, ку- . да соответственно переместится ЦМД. При положении вектора Н , показанном на фиг. 2 е, образуется эона притягивающих полюсов аппликации 3 и 2 , и ЦМД 5 растягивается на обе аппликации.з 0 При дальнейшем вращении вектора Н (фиг. 2 ж), на аппликации 2 образуется более сильный притягивающий полюс, и поэтому ЦИД 5 переходит на аппликацию 2". Дальнейшее движение ЦИД 5Фпо аппликации 2 щнжсходит аналогично движению за притягивающим полюсом.Взаимное распопожение аппликации 2, с которой сходит ЦМД, и 2, на которую приходит ЦМД, и аппликации 3 может быть различным. Аппликация 2 ф 40 может быть смещена под углом со сдвигом по отношению к аппликации 2 (Фиг. За,в), смещена параллельно (Фиг. Зб,д), угол поворота может превышать 90 .(Фиг. Зг). Во всех этих случаях движение ЦМД и работа канала продвижения ЦМД аналогична описаннойвыше, только переход с аппликации 3 . на аппликацию 2" будет происходить при различной фазе вектора Но50 Преддагаемое изобретение позволяет простым способом изменять направление канаЛа продвижения ЦМД без изменения конфигурации основных аппликаций, согласовать его длину без изменения периода расположения аппликаций, а также уменьшить количество разнотипных аппликаций в интегральных схемах за счет унификации пправыхф и флевыхф поворотов и сопряжения каналов различной длины. Упрощается также проектирование топологии схем на ЦМД и изготовление таких схем, так как предлагаемы канал позволяет располагать аппликации по двум ортогональным осям, в то время как направление каналов может изменяться под углом, отличным от 90 О (фиг. Зд).Формула изобретения1. Канал продвижения цилиндрических магнитных доменов, содержащий чагнитоодноосную пленку, на которой последовательно расположены основные пермаллоевые аппликации, о т - л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения канала продвижения цилиндрических магнитных доменов, он содержит дополнительные пермаллоевые аппликации в Форме замкнутого выпуклого многоугольника, расположенные в местах изменения направления канала продвижения цилиндрических магнитных доменов и магнитосвязанные со смежными осиоваае пермаллоевыми аппликациями.2. Канал по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что высота дополнительных пермаллоевых аппликаций равна высоте основных вермаллоевых аппликаций.источники информации,принятые во внимание при экспертизе, 1. Воярченков М.А. и др . Магнитные доменные логические и эаповвнающие устройства. "Энергияф, 1974.2. Патент США В 3689901, кл. 340- 174., опублик. 1972 (прототип) ./5 илиал ППП фПатент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 656арственноэобретениа, Ж,Тираж ИИПИ Госуд по делам и 035, Моск Подписикомитета СССи открытийушская наб.,