Регистр сдвига

Союз СоветскихСоциалистическихРеслублик ОП ИСАЙ ИЕ(6 ) Дополнительное вт. свид-ву - . 1) МКлз б 11 С 11/1 2) Заявлено 28.11.79 (21) 2844491/18-24присоединением заявки2844514/18-2423) Приоритет -Гооударотввнный комнте СССР по делам нзооретеннй н открытий) УДК 681.327.66 (088.8) Опубликовано 30.06.81. БюллетеньДата опубликования описания 05.07.81(72) Авторы изобретен П. Васильева, С, И. Касаткин, Е. М. ова и В. С. Семенов 71 Заявите Ордена Ленина институт проблем управлен(54) РЕГИСТР С Изобретение относится к вычислительной технике, в частности касается запоминающих,устройств большой плотности, выполненных на тонкой магнитной пленке и использующих в качестве носителя информации плоские магнитные домены.Известны регистры сдвига на плоских магнитных доменах, в которых продвижение доменов происходит под действием магнитного поля электрического тока в системах проводников продвижения 1 и 2.Недостатками таких устройств являются необходимость наличия двух слоев проводников продвижения и невысокая плотность информации из-за достаточно больших размеров доменов.Недостатки устранены в регистрах сдви га на плоских магнитных доменах, в которых использованы магнитожесткие аппликации, пересекающие каналы и поэтому образующие дополнительный магнитный слой, нанесенный на изолирующий слой который покрывает магнитную пленку. Магнитожесткие 2 аппликации создают статические магнитные поля, которые позволяют использовать для продвижения только один слой проводников,имеющих меандрообразный вид, и уменьшить размеры доменов благодаря поддерживающим статическим магнитным полям.Недостатком регистра данной конструкции является его сложность, связанная с наличием дополнительного магнитного слоя магнитожестких аппликаций над каналами.Цель изобретения - упрощение регистра сдвига.Указанная цель достигается тем,. что в регистре сдвига, содержащем тонкую ферромагнитную пленку с низкокоэрцитивными каналами продвижения плоских магнитных доменов, на которой расположен изолирующий слой с нанесенными на него проводниками, и ферромагнитные аппликации, последние выполнены в тонкой ферромагнитной пленке и расположены между низкокоэрцитивными каналами продвижения плоских магнитных доменов симметрично относительно последних.При этом упомянутые ферромагнитные аппликации выполнены либо из магнитожесткого, либо из магнитомягкого материала.На фиг. 1 схематически изображен регистр сдвига, разрез; на фиг. 2 - положение домена в регистре сдвига в течение одного такта,Предлагаемый регистр сдвига (фиг. 1) содержит диэлектрическую подложку 1, на которую нанесен единый магнитный слой, в котором образованы низкокоэрцитивные каналы 2, высококоэрцитивный массив 3 и ферромагнитные аппликации 4 - 7. На магнитный слой нанесен изолирующий слой 8 и слой проводников 9. Кроме того, регистр сдвига содержит домены 10 - 14 (фиг. 2).Проводники продвижения проходят над аппликациями 4 - 7 (фиг, 2), которые имеют, например, вид полосок. Аппликации 4 - 7 расположены асимметрично относительно проводников 9. Низкокоэрцитивные каналы 2 расположены между аппликациями на равном расстоянии от их краев. Направление намагниченности в аппликациях противоположно направлению намагниченности доменов 10 - 14.В случае магнитожестких аппликаций размагничивающие поля от аппликаций, возникающие за счет магнитных зарядов на краях полосок, создают поддерживающее магнитное поле в области низкокоэрцитивного канала, где расположен домен 10, которое помогает удержанию домена, и стирающее магнитное поле в областях низкокоэрцитивного канала, расположенных между аппликациями 4 и 5, 6 и 7. В областях каналов, где существует стирающее магнитное поле, домен существовать не может без наличия внешнего поля, создаваемого проводником продвижения, В начале цикла домен 10 находится в ,области поддерживающего магнитного поля, создаваемого аппликациями 4 - 7. При подаче в проводник продвижения 9 импульса тока такой полярности, что ток в шине, проходящей над аппликациями 4 и 5 создает продвигающее поле для домена 10, то домен преодолевает стирающее поле от аппликаций 6 и 7 и распространяется до тех пор, пока суммарное магнитное поле от проводника продвижения и стирающего поля от следующих аппликаций будет больше поля старта доменной верхушки. После прекращения действия магнитного поля от проводника продвижения, стирающее поле от ферромагнитных аппликаций 6 и 7 разрывает домен 11 на два домена 12 и 13. Домен 12 коллапсирует, так как он оказывает неустойчивым из-за своих малых размеров, а домен 14 сохраняется. Таким образом происходит сдвиг домена на полпериоча. Подавая импульс тока полярности,. противоположной 5 первоначальной, можно добиться сдвигадомена на период,В случае магнитомягких аппликаций отличие в работе от варианта с магнитожесткими аппликациями заключаются в том, что магнитомягкие аппликации в отсутствие поля, создаваемого проводником продвижения, намагничены параллельно массиву и перемагничиваются во время действия импульсов тока в проводнике.Таким образом, при том же принципе работы, что и у известного регистра предлагаемый значительно проще конструктивно и технологичнее в изготовлении из-за отсутствия слоя магнитожестких аппликаций над каналами.40Формула изобретения1, Регистр сдвига, содержащий тонкуюферромагнитную пленку с низкокоэрцитивными каналами продвижения плоских магнитных доменов, на которой расположен изолирующий слой с нанесенными на него проводниками, и ферромагнитные аппликации, отличающийся тем, что, с целью упрощения регистра сдвига, ферромагнитные аппликаЗ 0 ции выполнены в тонкой ферромагнитгзйпленке и расположены между низкокоэрцитивными каналами продвижения плоских магнитных доменов симметрично относитель.- но последних.352. Регистр по п. 1, отличающийся тем,что ферромагнитные аппликации выполненыиз магнитожесткого материала.3, Регистр по п, 1, отличающийся тем,что ферромагнитные аппликации выполнены40 из магнитомягкого материала.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Лоцг. Арр 1. РЬуз., 1966,7, ч,37,р. 2584.2. 1 ЕЕЕ Тгапз. Маоп., 1977,5, ч. МАб 13, (прототип),Составитель Ю. Розенталь Редактор В. Матюхина Техред А. Бойкас Корректор Н. Бабинец Заказ 5119/68 Тираж 645 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5