Способ изготовления запоминающего устройствана цилиндрических магнитных доменах

1 ц 824309 Союз СоветскиСоциалистическикРеспублик ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(61) Дополнительное к авт. сеид-ву -1)М. Кл. 1) 2801725/18-2 22) Заявлено 11,О 6,7 заявки РЙ 1 С 11/14 с присоедине (23) Приорит Ъоударстввииый комитет СССР ио двяаы изооретеиий и открытий) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО ТРОЙСТВА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫДОМЕНАХ ЦМИзобретение относится к вычисЛительной технике и может бйть использованопри создании твердотельных накопителейинформации на цилиндрических магнитных .доменах (ЦМД)Известен способ изготовления запоми 3нающего устройства (ЗУ) на ЦМД, ос-"1кованный на нанесении на магнитоодноос-Фную пленку разделительного слоя диэлекФрика и слоя немагнитного ьеталла. Послепроведения фотолитографии металлическая0пленка удаляется методом травления всоответствии с рисунком маски, в результате чего остаются только токовые,проводники 11,Однако наличие токовых проводников1приводит к образованию рельефа при нанесении последующих пленочных слоевдиэлектрика и пермаллоя, что снижаетнадежность работы устройств на Д,Наиболее близким к предлагаемомуцо технической сущности является способ йзготовлення ЗУ. на ЦМД, основанныйна последовательном нанесении на мацщто/ одноосную пленку слоя из немагнитногометалла, слоя диэлектрика и ферромагнитного слоя и формировании токопровоае.щих шин и управлякацих. аппликацийВизвестном способе после формирования методом травления рисунка токовыхпроводников напыляют пленку диэлектрикаокиси кремния, не снимая резиста с проводников, Толщина наносимой пленки .диэлектрика делается равной толщинеслоя токовых проводников, либо. несколько меньшей - в пределах, при которыхне ухудшается доменопродвижение, нооказывается достаточным для проведенияоперации точного совмещения при фотолитографии по слов пермаллоя. Послеудаления с поверхности токовых проводнико 5 диэлектрика вместе с .реэистом:последующие операции й применяемыематериалы нв отличаются от общепринятых в технике ЦМД устройств. В известном способе устранена рельефность слоеви вызванное ею снижение надежностифункционир ования 21.824309 4м устройстве, Кроме того, увеличенная вомного раз плошадь балластной чести шин эффективно выполняет роль радиаторВ, отводящего тепло от активных шин и равм 5 номерно распределяющего его по всей ле- площади устройства. Это приводит к снио- жению температуры узких участков токоем проводящих шин и уменьшает вероятностьих теплового разрушения, а также ослвб 1 О ляет локальный разогрев мвгнитоодноосес- ной пленки. Однако это достигается значительнь усложнением технологии изготовления.Бель изобретения - упрощение изготовления ЗУ на БМД.Поставленная цель достигается путе того, что в известном способе изготов ния ЗУ на БМД формирование токопров дящих шин осуществляют вытрввливани разделительных промежутков в слое из немагнитного металла, формирующих замкнутый контур протекания электрич кого тока.На фиг. 1 и 2 изображена конструкция ЗУ на БМД, выполненного в соответствии с предлагаемым способом.ЗУ на БМД содержит токопроводяшие шины 1 из немагнитного металла, балластные участки .1 шин, активные участки 1 шин, образованные вытравливаниемИв слое из немагнитного металла разделительных промежутков 2, причем ширина последних в местах совмещения с управляющими аппликациями 3 соизмерима с их критическими размерами. Реперные знаки 4 формируются в слое немагнитного металла. С остальной плошади мвгнитоодноосной пленки 5 слой из немагнитного металла не удаляется. Токопроводящие шины 1 расположены между пленкой 5 и аппликациями 3, от которых они отделены соответственнослоями 6 и 7 диэлектрика.Формирование разделительных промежутков 2 можно осуществлять также анодным окисидованием алюминия, твк как при этом изменение уровня оказывается весьма незначительнымВ предлагаемом способе электросопротивление токопроводяших шин уменьшается в несколько раз за счет снижения доли балластной их части, что приводит К уменьшению тепла, выделяющегося в Указанные преимущества повышаютнадежность ЗУ на ЦМД и упрощают ихизготовление. Формула изобретения Способ изготовления запоминающего20устройства на цилиндрических магнитныхдоменах, основанный на последовательномнанесении на магнитдодноосную пленкуслоя из немагнитного металла, слоя диэлектрика и ферромагнитного слоя и фор 25 .мировании токопроводящих шин управляв-.ших аппликаций, о тли ч ающи й -с я тем, что, с целью упрощения изготовления запоминающего устройства нацилинпрических магнитных доменах, фор 30мирование токопроводяшИх шин осуществляют вытравливанием разделительныхпромежутков в слое из немагнитного металла, формирующих замкнутый контурпротекания электрического тока.З 5 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе4 7 ЕЕЕ Т"ата. йсзр,Мои. мА 6-42., 976й. Х ЯРРИ. Иж,у,4 9(Э),49 Т 8,