Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов в магнитоодноосной пленке

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК у 4 а 11.С 11/14 САНИЕ ИЗОБРЕТЕ ДЕТЕЛЬСТВ тения является расширение областиприменения способа путем регулирования температурного диапазона статической устойчивости решетки ЦМД иплотности ее упаковки, В соответствии с предложенным способом формирование решетки ЦМД в магнитооднооснойпленке осуществляют следующим обра-,зом. Воздействуют на магнитооднооснуюпленку импульсным магнитным полем и 4-24 6 Бюл. осуд твенн юк(54 РЕШЕТКИ ЦИМЕНОВ В МАГвания п магнито агнитнь мперату итном п к вычисыть исзапоминаюеских магью иэобреН г агнит одноосной пленке,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ К АВТОРСКОМУ) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОНИТООДНООСНОЙ ПЛЕНКЕ(57) Изобретение относитсялительной технике и может бпользовано при построении- щих устройств на цилиндричнитных доменах (ЦМД). Цел направленным го намагничи действие на импульсным м вляют при т тоянном маг ном (0-0,5) лапса ЦМД в 3 ил., 1 та ым полем смещения, неарно оси легко- ленки, причем возодноосную пленку пч полем осущестре 20 С при пос-оле смещения,раве Н - поле кол 1341 б 81Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающихустройств на цилиндрических магнитныхдоменах (ЦМД)Цель изобретения - расширение области применения способа путем регулирования температурного диапазонастатической устойчивости решетки ЦМЦ 10и плотности ее упаковки,На фиг.1 представлена полевая за. -висимость параметров решетки ЦМД."периода а и диаметра домена Й пленкисостава (78 шЬцСа)з (Ребе),0 сформиорованной при 20 С импульсным магнитным полем с последующим наложениемполя смещения; на фиг, 2 - то же, длярешетки, сформированной при совместном воздействии поля смещения, разного по величине, и импульсного поля;на фиг, 3 - температурно-полевая диаграмма устойчивости решетки ДЩ впленке того же состава.Кривая 1 - это температурная зависимость поля коллапса ЦЯЦ, т,е. перехода пленки в однородно намагниченноесостояние, кривые 2 и 3 - зависимоститемпературы распада решетки от величины оля смещения, Кривая 2 иллюстрирует случай, когда решетка сформирована импульсным магнитным полем приН, = 0 с последующим воздействиемна нее полем смещения; кривая 3 - решетка формируется суперпоэицией полей 35смещения и импульсного.В таблице приведены параметры итемпературные интервалы устойчивости РЦД при формировании решетки указанньми ноздейстниями. 40В соответствии с предложенным способом формирование решетки. ЦМД н магнитоодноосной пленке осуществляютследующим образом.Воздействуют на магнитоодноосную 45пленку импульсным магнитным полем ипостоянным магнитным полем смещения,напранленными коллинеарно оси легкогонамагничивания пленки причем воздействие на магнитоодноосную пленку импульсным магнитным полем осуществляоют при 20 С при постоянном магнитномполе смещения, равном (0-0,5) Н,где Н- поле коллапса Ц 1 Я в магнитоодноосной пленке, 55Физическая сущность предложенного способа состоит в следующем,Векторы напряженности импульсногомагнитного поля Ни магнитного поля смещения Н, коллинеарны осилегкого намагничивания магнитоодноосного материала. Если вектор Н,ч антипараллелен вектору намагниченности насыщения внутри ЦМД, то поле смещения считается положительным, еслипараллелен - отрицательным. Показатель плотности упаковки решетки ЦМДпараметр у = Й/а (где Й - диаметрдомена, а - постоянная решетки), Дляидеально плотноупакованной гексагональной решетки Й/а -ф 1, т,е, пределплотности упаковки 1007,В зависимости от условий формирования решетки ЦМД, т,е, последовательности приложения поля смешения,его величины и знака получаются решетки с разными свойствами, статически устойчивые на разных температурных интервалах, Следует строгоразграничивать формирование решеткиимпульсным магнитным полем при Н == 0 с последующим воздействием насформированную РПД полем смещения,и формирование решетки импульсныммагнитным полем н поле смещения,Как видно из фиг.1, с ростом положительного.поля смещения диаметр домена с 1 уменьшается, с ростом отрицательного поля смещения диаметр домена увеличиваетсяПериод решетки аот поля смещения не зависит. Зависимость температуры распада решетки отполя смещения показана кривой 2 нафиг.3. При таком формировании решетки температурный интервал устойчивости решетки можно только увеличивать;плотность увеличивается при Н0уменьшается при Н, ) 0 (фиг,1,таблица),На фиг,2 показано влияние полясмещения на. параметры решетки ЦМДпленки (УБпй.цба) (Ребе)О, ,сформированной при воздействии суйерйоэицииполей, С ростом величины приложенного при формировании решетки гголожительного поля смещения диаметр домена О уменьшается, период решетки арастет, Такая решетка без поля смещения существовать не может, С ростом величины приложенного при формировании решетки отрицательного полясмещения диаметр домена и период решетки увеличиваются, а плотность остается постоянной и равной у приН, = О. Эта решетка сохраняется ипосле снятия отрицательного псля смещения, 1341 б 81Влияние поля смещения на температурный интервал устойчивости такихрешеток пленки (УЯтпЬцСа)(РеСе)О,показано на диаграмме фиг.З. Зависимость температуры распада решеткиот поля смещения представлена кривой 3. Каждый раз решетку формируютпри одной и той же температуре 20 С,затем пленку нагревают. Если решетка 10формируется импульсным полем приН, = О, то при нагревании пленкирешетка ЦИД устойчива в температурном интервале Т = Т, - Т. При Т100 С решетка распадается на разделенные страйпами блоки новой решетки, При предложенном способе формирования решетки ЦИД воздействиемсуперпозиции полей смещения и импульсного температурный интервал статической устойчивости решеток с ростом величины положительного поля сме.щения сначала уменьшается (кривая 3фиг.З и таблица), затем при Н= 50 Э, равном приблизительно половине поля коллапса ЦИД, температурный интервал статической устойчивости решетки максимален и достигаетоЬТ = 155 С. Плотность упаковки у решеток, сформированных в положительном поле смещения, меньше, чем у решеток, сформированных при Н = О.Такие решетки могут существоватьтолько в поле смещения и при снятииполя разрушаются, Так, если при Но= 0 у = 0,74 и ьТ = 80 С, то приН, = + 30 Э у = 0,54 и ьТ = 54 С,при Н ц = 50 Э у = 0,45 и йТ158 С. При формировании решетки вотрицательном поле смещения ее плотность у такая же, как и в нулевомполе смещения, т.е. у = 0,74, и неизменяется в отрицательном поле смещения, Такая решетка ЦМД сохраняется и при выключении поля смещения. 45Температурный интервал устойчивостирешетки, сформированной в отрицательном поле смещения, растет с ростомэтого поля при сохранении постояннойплотности решетки. Так, для решетки, 50сформированной при Н щ = - 10 Э,у = 0,74 и температурный интервалустойчивости ЬТ = 100 С, при Н20 Э, соответствующем 0,2 Н,у = 0,74, а решетка устойчива практически на всем температурном интервале до температуры Кюри.Как видно из таблицы и фиг.З, при.предложенном способе формирования решетки температурный интервал устойчивости решетки ЦМД изменяется от 0,3 до 0,92 рабочего температурного интервала пленки, а плотность решетки у - от 0,3 до 0,9.Оптимальный интервал полей смещения, используемых для воздействия на решетку, составляет 0-0,5 Нк, При дальнейшем увеличении поля происходит значительное уменьшение температурного интервала устойчивости.Использование предложенного способа формирования решетки ЦИД позволяет регулировать температурный интервал устойчивости решетки и ее плотность, при этом решетку можно формировать при любой обусловленной необходимостью температуре, меньшей температуры Кюри ЦЩ-содержащего материала, Это позволяет с достаточной точностью задать оптимальные условия сохранения записи информации в запоминающем устройстве на ЦИД.Формула изобретенияСпособ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов в магнитоодноосной пленке, основанный навоздействии на магнитоодноосную пленку импульсным магнитным полем и постоянным магнитным полем смещения,направленными коллинеарно оси легкого намагничивания магнитооднооснойпленки, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью расширения области применения способа путем регулированиятемпературного диапазона статическойустойчивости решетки цилиндрическихмагнитных доменов и плотности ее упаковки, воздействие на магнитоодноосную пленку импульсным магнитным полемоосуществляют при 20 С при постоянноммагнитном поле смещения, равном (О -0,5) Н, где Н - поле коллапса циюлиндрического магнитного домена вмагнитоодноосной пленке,