Мамалуй

Номер патента: 1341681

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Мамалуй, Сирюк, Ярош

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, магнитоодноосной, пленке, решетки, формирования, цилиндрических

...формирование решетки импульсныммагнитным полем н поле смещения,Как видно из фиг.1, с ростом положительного.поля смещения диаметр домена с 1 уменьшается, с ростом отрицательного поля смещения диаметр домена увеличиваетсяПериод решетки аот поля смещения не зависит. Зависимость температуры распада решетки отполя смещения показана кривой 2 нафиг.3. При таком формировании решетки температурный интервал устойчивости решетки можно только увеличивать;плотность увеличивается при Н0уменьшается при Н, ) 0 (фиг,1,таблица),На фиг,2 показано влияние полясмещения на. параметры решетки ЦМДпленки (УБпй.цба) (Ребе)О, ,сформированной при воздействии суйерйоэицииполей, С ростом величины приложенного при формировании решетки гголожительного поля...

Номер патента: 1152046

Опубликовано: 23.04.1985

Авторы: Мамалуй, Ольховик

МПК: C04B 35/26, H01F 1/10

Метки: материал, ферритовый

...(ионы иттрия, калия и бария в структуре феррита находятся во второй координатной сфере относительно ионов Ре).Предложенный ферритовый материал изготавливают по металлокерамической технологии: исходные окислы марки "ч,д.а." измельчают и перемешивают. Измельченную и усредненную шихту отжигают qри Т=1000 С в течео ние 5 ч. Отожженную шихту вновь измельчают. Окончательный отжиг спрессованных образцов проводят при Т=1250-.1270 С в течение 1-10 ч.Для приготовления предложенного ферритового материала, соответствующего по соотношению компонентов примеру 3 таблицы, были взяты навески исходных окислов марки "ч,д.а." в следующих количествах, г:Окись бария (ВаО) 2,454Окись иттрия (70) 0,226Окись калия (К 0) 0,142Окись железа (Ре 09)...

Номер патента: 1100551

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Мамалуй, Медяник

МПК: G01N 27/02

Метки: металлах, содержания, углерода

...влияют на результат определения концентрации примеси внедрения(углерода), однако применять малыескорости охлаждения нецелесообразно,поскольку это приводит к большимвременам отжига, т.е. к неэкономно.му расходу времени, а именно, затратам.При значениях скорости отжигаболее 5 град/мин не успевает установиться равновесие для данной тем.пературы распределения примесейвнедрения (углерода) по образцу ине обеспечивается стабилизация зеренной и дислокационных структур, чтоприводит к снижению чувствительности способа.Скорость охлаждения при закалке10 град/с является оптимальной,поскольку меньшие скорости охлаждения не позволяют зафиксировать всеатомы междоузельной примеси (углерода) в равномерно распределенном состоянии по объему образца в...

Номер патента: 1096703

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Мамалуй, Ольховик

МПК: H01F 1/10

Метки: материал, ферритовый

...Изобретение относится к Ферритовым материалам, которые используют в микроволновой технике для создания функциональных Ъерритовых устройств миллиметрового диапазона волн.5Известен ферритовый материал для микроволновой техники на основе окиси железа1, включающий окись бария и окись галлия при следующем соотношении компонентов, мол.Х:1 ООкись бария 55,5Окись галлия 11,85Окись железа ОстальноеНедостатком данного материала является низкий коэффициент термо 15 стабильности поля анизотропии (7 Э/град), низкая точка Кюри (297 С)о и сравнительно низкая намагниченность насыщения (3,6 А м /кг).Наиболее близким к предлагаемому ферритовому материалу по технической сущности и достигаемому эффекту является Ферритовый материал на основе окиси...

Номер патента: 983601

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Горбач, Мамалуй

МПК: G01R 33/02

Метки: вибрационный, магнитометр

...5 и их каркасах,подключенную к измерительному блоку 6, который представляет собой измерительЗ) ЭДС самоиндукции, пропорциональной намагниченности испытуемого образца, блок 7 питания и управления вибратора 3, выход которого подключен к управляющему входу вибратора 3, направляющая трубка 8 из немагнитного материала,а также последовательно соединенные друг с другом обмотки 9 электромагнита, подключенные к регулируемому источнику 10 его питания.Приемные, катушки 4 расположены 40 таким образом, что их продольные оси параллельны силовым линиям магнитного поля истачника 1 в межполюсном зазоре, а поперечные отверстия 5 в каркасах приемных катушек 4 со осны. Дер)катель 2 образца выполнен с возможностью осевого перемещения в указанных...

Номер патента: 566959

Опубликовано: 30.07.1977

Автор: Мамалуй

МПК: F04B 37/08

Метки: вакуумная, камера, криогенная

...активным газам. При этом ие закалки токе в переонкостенный еплопроводный нижни- образец раськовский ордена Трудового университет иИзобретение относится к вакуумной технике и может быть использовано при термообработке в производстве тонких проволок тугоплавких металлов.Известна криогецная вакуумная камера, содержащая криостат с жидким гелием и размещенный в нем образец 1.В известной камере не обеспечивается закалка образца при вакуумных условиях.Наиболее близким решением из известных по технической сущности и достигаемому результату является криогенная вакуумная камера, содержащая криостат с жидким гелием и размещенный в нем на подвижном штоке обрабатываемый образец из тугоплавкого металла или сплава 12.Однако из-за наличия потока...