Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
/02,(54) СПОСОВ ИЗГЩИХ МАТРИЦ НА ЦИЛИНЫХ ПЛЕНКАХ ВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮНДРИЧЕСКИХ МАГНИТ ехники и может быть изготовлении зайств на цилиндрипленках (ЦМП). Целью ется повышение надежия запоминающих матвии с предложенным ление запоминающих вычислительнои т использовано при поминающих устро ческих магнитных изобретения явля ости изготовлеиц. В соответс пособдм изгото ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И.ОТНРЫТ(57) Изобретение относится к области матриц на ЦМП осуществляют следующим образом. Выбирают в качестве технологических струн основы проволоку, изготовленную из материала, обладающего эффектом памяти формы, например нитинола (50 Х никеля, 503 титана), Вначале нитиноловую проволоку нагревают до температурыо200 С, затем ее подвергают растяжению и охлаждению до комнатной температуры (20 С), разрезают на отдельные заготовки, Нитиноловые заготовки натягивают на раму станка для плетения числовых обмоток, вплетают в технологические нитиноловые струны основы киперные и числовые обмотки, заливают их компаундом, сушат, нагревают до температуры 200 С, при которой в нитиноловых технологических струнах проявляется эффект памяти формы, вследствие чего последние уменьшают свой поперечный диаметр. Затем технологические струны основы из нитинола растягивают за противоположные концы и извлекают из каналов матрицы.2533 Формула из обретения Составитель Ю. Розенталь Техред И.Попович Корректор И. Муска Редактор М. Андрушенко Заказ 5570/51 Тираж 588ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, " Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1 135Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП).Цель изобретения - повышение надежности изготовления запоминающих матриц.В соответствии с предложенным способом изготовление запоминающих матриц на ЦМП осуществляют следующим. образом. Вместо, обычно применяемых в качестве технологических струн основы стальных проволок выбирают проволоку, изготовленную из материала, обладающего, эффектом памяти формы, например нитинола (50 никеля, 50 титана). Вначале нитиноловую проволоку нагреовают до 200 С, затем ее подвергают растяжению до тех пор, пока поперечный диаметр нитиноловой проволоки не станет меньше диаметра стержней, содержащих в качестве покрытия ЦМП, которые впоследствии должны быть помещены в каналы, образованные при извлечении технологических струн основы.Затем нитиноловую проволоку охлаждают до комнатной температуры (20 С), разрезают на отдельные заготовки, Нитиноловые заготовки натягивают на раму станка для плетения числовых обмоток, вплетают в технологические нитиноловые струны основы киперные и числовые обмотки, заливают их компаундом, сушат, нагревают до 200 С, при которой в нитиноловых технологических струнах проявляется эффект памяти формы, вследствиечего последние уменьшают свой попе речный диаметр, Затем технологические струны основы из нитинола растягивают за противоположные концы иизвлекают из каналов матрицы.Такой подход позволяет извлекатьструны основы из застывшего компаунда практически беспрепятственно,что уменьшает обрывы струн внутриканалов и невыход струн из каналов.В результате этого повышается надеж"ность изготовления запоминающих матриц. Способ изготовления запоминающихматриц на цилиндрических магнитныхпленках, основанный на натяжениитехнологических струн, вплетении 25в них числовых обмоток, заливкеобмоток компаундом, сушке и извлечении технологических струн, о т -л и ч а ю щ и й с я тем, что, с,целью повышения надежности изготовления запоминающих матриц, технологические струны выполняют из нитинола (50 никеля, 50 титана), переднатяжением технологических струнонагревают их до 200 С, растягиваютои охлаждают до 20 С, а перед иэвлече.35 нием технологических струн нагревают,залитые компаундом числовые обмотки"ои технологические струны до 200 С.
СмотретьЗаявка
4084135, 28.04.1986
КИЕВСКИЙ ИНЖЕНЕРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ ИНСТИТУТ
ЧОВНЮК ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, ДРОЗДОВИЧ НАТАЛЬЯ ЮРЬЕВНА, ШУТОВСКИЙ ОЛЕГ МИХАЙЛОВИЧ, СМОРЖ ДМИТРИЙ КОНСТАНТИНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических
Опубликовано: 15.11.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1352533-sposob-izgotovleniya-zapominayushhikh-matric-na-cilindricheskikh-magnitnykh-plenkakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках</a>
Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках
Номер патента: 1244721
Опубликовано: 15.07.1986
Авторы: Косинов, Кузьменко, Лисица
МПК: G11C 11/14
Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических
...1 натягивают в качестве основы на ткацкомстанке. Затем путем поднятия ремиэок2 разводят технологические струны 1,образуя зев 3. Линия 4 расположениямест поднятия технологических струнрасполагается под углом к технологическим струнам за счет того, что ремизки для каждой последующей технологической струны располагают со смещением вдоль технологических струнна заданный шаг. Поднятие ремиэок 2осуществляют на одинаковую высоту.Путем пропускания челнока 5 с проводом 6 в эев 3 располагают проводникчисловой обмотки 7 фпо линии, параллельной линии 4 расположения местподнятия технологических струн 1, Вэев помещают ограничительную прокладку 8. Путем перемещения ремиэок 2разводят технологические струны 1 впротивоположное от их нейтральногоположения...
Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках
Номер патента: 959160
Опубликовано: 15.09.1982
МПК: G11C 11/14
Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических
...путем их разведения, формовке про водника технологическими струнами, перемещении .сформованного проводника к адресным обмоткам, заливке компаундом и извлечении технологических струн, располагают плоскость разведенных технолс-ических струн под углом к плоскости неразведенных технологических струн при неизменном угле наклона между плоскостями зева, формовку проводника осуществляют в направлении от вершины угла, образованного плоскостями зева, посредством закрытия зева при неизменном угле наклона между плоскостями зева до полного завершения формовки, пос-, ле чего совмещают плоскости зева в зоне плетения.На фиг. 1 изображен проводник, положение в момент закрытия зева; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - последовательное...
Способ изготовления композиционного материала с металлической матрицей на основе алюминия
Номер патента: 1838441
Опубликовано: 30.08.1993
Авторы: Дэвид, Дэнни, Майкл, Эндрью
МПК: C04B 35/58, C22C 1/08, C22C 1/09
Метки: алюминия, композиционного, матрицей, металлической, основе
...у улучшению свойств композиционного материала,Минимальное содержание магния в алюминиевом сплаве зависит от одной или более переменных, таких как температура процесса, время, присутствие вспомогательных легирующих элементов, таких как кремний или цинк, природа керамического 5 10 наполнителя и содержание азота в потоке газа, Более низкие температуры или менее длительные промежутки прогрева могут применяться, в случае, если содержание магния в сплаве увеличивается. Таким образом, при данном содержании магния, добав 20 ление определенных легирующих элементов, таких как цинк, позволяет использовать более низкие температуры. Например, содержание магния по нижнему тов, может быть использовано при температуре процесса выше минимальной,...
Переключатель на основе матриц адамара
Номер патента: 330541
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H03M 7/28
Метки: адамара, матриц, основе, переключатель
...б в соответствии с кодом строки матрицы Адамара порядка Л Первый ферритовый элемент столбца в соответствии с кодом первой строки матрицы и т. д. до У. Во всех Мстолбцах прошивки входными обмотками 6 анологичны. Концы входных обмоток 6 с совпадаюгцими прошивками, принадлежащие различным столбцам ферритовых элементов 5, через диоды 7 объединены и подключены к выходу одного нз ключей 8. Общее число таких сое. динений и ключей равно Л. Противоположные концы входных обмоток 6, прошивающих столбец ферритовых элементов 5, объединены и подключены к выходной обмотке 9 ферритовых элементов 1. По числу столбцов ферритовых элементов 5 и по числу ферритовых элементов 1 таких соединений М,Помимо входных обмоток каждый из феррптовых элементов 5...
Всесоюзная natehtho-ltxflsiirkafl
Номер патента: 361013
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: B22F 3/26, B22F 7/00, C22C 29/00
Метки: natehtho-ltxflsiirkafl, всесоюзная
...им графитовую основу и отделяют слой тугоплавкого материала в форме получаемого изделия.На графитовую основу, повторяющую форму получаемого изделия, наносят слой кремния за счет реакции термического разложения мо: носилана или водородного восстановления тетрахлорида кремния или трихлорсилана. Сверху полученного слоя методом химического 5 осаждения или вакуумного напыления наносятслой тугоплавкого материала при температуре ниже температуры плавления кремния, затем температуру повышают до температуры плавления кремния, который, расплавляясь, впи тывается в графит, При этом между графитоми слоем тугоплавкого материала образуется зазор, величина которого равна толщине слоя кремния. Изделие из тугоплавкого материала снимают с...
Предыдущий патент: Устройство контроля ошибок канала магнитной записи воспроизведения
Следующий патент: Трансформаторное постоянное запоминающее устройство
Случайный патент: Силовая дизель-гидрозубчатая установка