Способ исследования кристаллических поверхностей
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 396604
Автор: Авторы
Текст
вйтеитьх;ц;чсобиблио ге ОПИС Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 396604 Союз СоветскихСоциалистицескихРеспублик Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 24.1 Ч.1972 ( 1777920/26-25 Л. Кл. 6 01 п 23/О соединением заявкиударатвенный камитевета Миниатрав СССРо делам изобретенийи открытий риоритет УДК 539,14 + 539.143ликовано 29.Ч 11,1973. Бюллетень3 ата опубликования описания 15.1,19 Авторы зобретен Н. Вигдорович, Г, А. Ухлино В. Якашвил Московский институт электронной техники аявител СПОСОБ ИСС ДОВАНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСПОВЕРХНОСТЕЙ Цель произво ваше 1 облалае металло но сцпз явить а природе Изобретение относится к области исслеагапия структуры поверхности кристаллов. достцгае дят висх 0 С. Вис т всеми в и, крох ить темп ктцвныец деког тся тем утом п мхт как достои е того, ер атх.р центры, ирующе Наиболее эффективным способом исследования структуры кристаллических поверхностей является электронном икроскопическое изучение картины декорирования, Известный способ заключается в том, что путем термического испарения в вакууме, катодного распыления, химического или электрохимического осаждения из растворов на исследуемую поверхность наносят декорирующий агенг, Для декорирования исследуемых поверхностей используют благородные металлы; золото, серебро, падладий. поверхность свежих сколовонкие плевки висмута путемпарения в вакууме 5 10 --т. при скорости осажденияература подложки 80 - 100 С,100 А имер. На наносят т еского исл 1 л рт. с х 1 аС 1 терм ич 1 10 - 10 А/с к, Темп толщина пленк лагород декорир ература у 5 р 3 оци обл ью по о личным вероятно дцых м ерхности ые металль овать только(400 в 5 С сследуемой п дают слабо в тношению к по своей п ть осажден таллов ца сспосооцыпри ловы, что часто оверхности.ыраженной активным рироде. Не я кристаловер шенныхх Картина декорировация представлена ца электронной м икрофотографци, цз которой видно, что поверхность КаС лекорцруется кристалликами трех типов, резко различаю. щимися по форме и размерам: мелкими кристалликами А и Б треугольцой формы; более крупными нлоскцмц кристалликами В с тексагональным габцтусом ц цглообразцымц кристалликами Г, ориентированными ца пло:- кости подложки в двух взаимно перпендикулярных направлениях. 1-1 еравцовесцая треугольная форма кристалликов Л и Б, ориентированных в плоскости (0001) в 1 (001) хс 1 Цель изобретения - повышение ости исследования структуры к ких поверхностей. эффектив- исталличе 30 Однако бэффективношенных темпискажает стрКроме того,сел ективностцентрам, разисключеналов благороучастках пов что декорирование ри температх ре це декорирующиц агент ствами благородных позволяет значительлекорирования и выразличные по своей му действию.-35, Раушска Изд. МГосударствен по делам Москва Ж Тираж 755Совета Маниеоткрытийиаб., д. 4/5 Подписив СССР графин, пр. Сапунова, 2 свидетельствует о том, что их габитус определяется действием и симметрией силового поля активных центров. Рост кристалликов типа А прекращается при достижении ими размеров порядка ЗОООА, а кристаллы типа Б продолжают свой тангенциальный рост на поверхности с постепенным вырождением в кристаллы типа В. Зарождение кристалликов типа Г происходит на моноатомных ступенях поверхности скола ХаС 1.: щамтВВы / .ав- :":. (3Ю Способ исследования кристаллических поверхностей декорированием металлами путем 5 их термического испарения и конденсации наисследуемую поверхность в вакууме, отличаои,ийся тем, что, с целью повышения эффективности исследования структуры кристаллической поверхностн, производят деко рированне висмутом прн температуре не выше 110 С,
СмотретьЗаявка
1777920
В. Н. Вигдорович, Г. А. Ухлинов, Д. В. Якашвили Московский институт электронной техники
Авторы изобретени
МПК / Метки
МПК: G01N 23/225
Метки: исследования, кристаллических, поверхностей
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-396604-sposob-issledovaniya-kristallicheskikh-poverkhnostejj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ исследования кристаллических поверхностей</a>
Прибор конденсаторного типа для контроля чистоты поверхности
Номер патента: 134435
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Щукин
МПК: G01B 7/34, H01G 13/00
Метки: конденсаторного, поверхности, прибор, типа, чистоты
...металлический лист, выполняющий роль вторых пластин для конденсаторов. Чувствительность такого прибора увеличивается за счет того, что контролируемая величина а учитывается дважды (обоими конденсаторами),При контроле криволинейных поверхностей аналогичную кривизну придают конденсаторным пластинам.Обычно прибор для контроля металлических поверхностей и пластины 1 и 2 устанавливают на диэлектрике 4, по краям которого смонтированы стальные шарики 5, опирающиеся на исследуемую поверхность 3.Контроль емкости щупа осуществляется по интерференционному методу электронным прибором. Триод Л является генератором колебаний высокой частоты, В сеточную цепь триода включен резонансный контур, состоящий из постоянной индуктивности 1, и...
Способ электрохимической обработки профильных поверхностей типа щели вращающимся электродом-инструментом в среде проточного электролита
Номер патента: 1134323
Опубликовано: 15.01.1985
Авторы: Давыдов, Жеренков, Овсеенко, Островский, Суменков, Хованов
МПК: B23H 1/04
Метки: вращающимся, поверхностей, проточного, профильных, среде, типа, щели, электродом-инструментом, электролита, электрохимической
...тем,,что согласно способу электрохимичес 40кой обработки профильных поверхностей типа щели вращающимся электродоминструментом в среде проточного элект.ролита, врезание электрода-инструмента в обрабатываемую поверхность осуществляют через токопроводящий мате.риал, который предварительно наносятна обрабатываемую поверхность, причем на время заглубления инструмента на 0,5-0,8 толщины этого материала ток отключают,На.чертеже изображена схема пред 1 лагаемого способа обработки концентраторов напряжений вращающимся электродом-инструментом.Способ осуществляют следующимобразом. 2На обрабатываемую поверхность 1 накладывают упругий токопроводящий элемент 2, закрепляют его механическими прижимами (не указаны) или приклеивают. Вращающимся...
Приспособление к плоскошлифовальному станку для обработки криволинейной поверхности типа архимедовой спирали
Номер патента: 136647
Опубликовано: 01.01.1961
Автор: Платонов
МПК: B24B 19/08
Метки: архимедовой, криволинейной, плоскошлифовальному, поверхности, спирали, станку, типа
...направляющих рамы 18 и 19, нанесенного на червячное колесо 13 нониуса 20, опорной стойки 21, направляющей втулки 22, регулировочной гайки 23, опорной планки 24, направляющей верхней втулки 25. Кроме деталей приспособления на чертеже показаны магнитная плита 26 шлифовального станка, упор 27, шлифовальный круг 28 и обрабатываемая деталь 29.Для того чтобы шлифовать криволинейную поверхность в приспособлении, его необходимо поставить на магнитную плиту 26 шлнфовального станка, установить в нем деталь 29, после чего включить станок для выполнения технологической операции.Обрабатываемая деталь 29 устанавливается на оси 14 зуб го колеса 12 и червячного колеса 13 и фиксируется по технологическ тверстиям или шпоночным пазам, на чертеже не...
Способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур
Номер патента: 175142
Опубликовано: 01.01.1965
МПК: C25D 11/32, H01L 21/473
Метки: анодного, многослойных, оксидирования, поверхности, полупроводниковых, структур
...оописная группа97 Известны способы анодного оксидирования поверхности диодных полупроводниковых структур в высокоомной деионизованной воде путем подачи анодного напряжения на р - и- переход таким образом, что последний смещен в прямом направлении относительно катода. Однако при оксидировании многослойных полупроводниковых структур известным способом в прямом направлении оказываются смещенными не все р - и-переходы структуры и поверхность структур оксидируется неравномерно или совсем не оксидируется.Предлагаемый способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур отличается от известного тем, что анодное напряжение подают дополнительно на два (или более) омических контакта структуры таким образом, чтобы...
Способ обработки винтовых поверхностей типа лопастей гребных винтов
Номер патента: 261110
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Данилов, Калининградский, Хоз, Юровецкий
МПК: B23C 3/18
Метки: винтов, винтовых, гребных, лопастей, поверхностей, типа
...азова ечных г Пр едм ет иСпособ обработкитипа лопастей гребишага с прямолинейноной к оси винта, скоторому сообщают ввокруг своей оси, отлцелью повышения качую поверхность инсвиде однополостногообеспечения контактакой по прямолинейнострумента смещают нот оси заготовки в плной этой оси. Известен способ обработки винтовых поверхкостей типа лопастей гребных винтов постоянного шага с прямолинейной образующей, наклоненной к оси винта типа лопастей гребных винтов, с помощью инструмента, которому сообщают вращательное движение вокруг своей оси и винтовое двияение относительно заготовки. Рабочую поверхность инструмента выполняют по окружности, меяду инструментом и заготовкой имеется так на зываемый точечный контакт, что снижает качество...
Предыдущий патент: Способ определения азота в кремнии
Следующий патент: Рентгеновский дифрактометр
Случайный патент: Устройство для приема и удалениясточных вод c поверхности полав канализационную систему