Способ формирования изображения микроструктуры металл диэлектрика в растровом электронном микроскопе

/225 оды Мир,ско 0 ЗОБРАЖЕНИЯ ЭЛЕКТРИК КР ОС КОЛЕ. к области астностия ек- окры- напИЯ АЛЛ - ННОМ носит к изображениности диэлроводящим пользовано,(21) 37 а 2367/24-21(56) Вейнберг Ф. Приборы и мефизического металловедения.-М1974, вып.2, с.238-242,Растровая электронная микрпия. /Под ред. Д,Гоулдштейнаи Х.Яковица.- М.: Мир, 1978,169.,(54) СПОСОБ ФОРМИР МИКРОСТРУКТУРЫ МЕТ В РАСТРОВОМ ЭЛЕКТР (57) Изобретение о измерительной техн к способам получен микроструктуры пов триков с нанесеннья тием и может быть и ример, при .производстве и совершенствовании растровых электронных микроскопов, Цель изобретения - повышение чувствительности путем использования в качестве формирующего импульса разностного сигнала, параметрыкоторого определяются свойствамипереходного слоя. Для регистрации сигнала поглощенных электронов металлическое покрытие 4 через измерительную часть устройства 7 заземляют.Зарегистрированный сигнал усиливаетсядо амплитуды, равной амплитуде импульса потока отраженных электронов 2,и в противофазе поступает на схемувычитания, После вычитания на выходесхемы образуются импульсы, обусловленные утечкой заряда с диэлектрика,которые поступают на интегратор иливременной дискриминатор, а затем наглавный усилитель для формированияизображения. 2 ил,3Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к способам получения изображения микро. структуры поверхности диэлектриков с нанесенным проводящим покрытием и 5 может быть использовано в приборостроении при производстве и совершенствовании растровых электронных микроскопов (РЭМ), а также при проведении экспериментальных работ с использо О ванием РЭМ.Целью. изобретения является повышение чувствительности путем использования в качестве формирующего импульса разностного сигнала, парамет ры когорого определяются свойствами переходного слоя между диэлектриком и проводящим покрытием.На фиг. 1 показана схема измерения; на фиг.2 - эпюры сигналов. 20Электронно-оптическая ось (фиг.1) совпадает с импульсным потоком 1 электронов. На пути отраженного потока 2 установлен детектор 3 отраженных электронов. Образец имеет 25 металлическое покрытие 4, нанесенное на диэлектрике 5. Между диэлектриком и покрытием имеется переходный слой 6. С покрытия снимается сигнал, регистрируемый измерительным устрой- ЗО ством 7.На фиг,2 показаны эпюра 8 сигнала отражейных электронов, эпюра 9 поглощенных электронов, эпюра 10азности между этими сигналами и 35 эпюра 11 проинтегрированного разностного сигнала.Способ осуществляют следующим образом.Импульсное облучение образца мо О жет осуществляться как с помощью специальных схем, так и электромеханическим путем, например, с помощью диска с отверстиями, приводимого во вращение электродвигателем, При этом 45 часть электронов отражается, образуя поток 2, регистрируемый детектором 3, а другая часть поглощается металлическим покрытием 4 и возбуждает в диэлектрике 5 неосновные носители заряда. Для регистрации сигнала поглощенных электронов металлическое покрытие 4 через измерительную часть устройства 7 заземляется. Далее этот зарегистрированный сигнал усиливается до амплитуды, равной амплитуде импульса потока отраженных электронов, и в противофазе поступает на схему вычитания.После вычитания на выходе схемы образуются импульсы (эпюра 10), обусловленные утечкой заряда с диэлектрика и поступающие на интегратор или временной дискриминатор, а затем на главный усилитель РЭМ для формирования изображения.Практическая реализация способа осуществлена на микроанализаторе УХ-ЗА, в вакуумную систему которого введен электромеханический модулятор. Первичный электронный поток прерывается модулятором, и образец облучается импульсным электронным потоком. Измерительная схема регистрирует разность двух сигналов (оди-. наковых по амплитуде) от отраженных и поглощенных электронов, которая обусловлена физическими свойствами переходного слоя (емкостью, сопротнв" лением) металл - диэлектрик.Формула изобретенияСпособ формирования изображения микроструктуры металл - диэлектрик в растровом электронном микроскопе, включающий облучение образца сфокусированным пучком электронов, регистрацию сигналов отраженных и поглощенных электронов и формирование изображения по параметрам этих сигналов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения чувствительности, облучение образца осуществляют импульсно, сигналы усиливают до одинаковых амплитуд, вычитают сигнал отраженных электронов из сигнала поглощенных электронов и формируют изображение по параметрам интегрированных импульсов указанной разности,1200176 Заказ 7859/49 Тираж 896 ВНИИПИ Государственного комитета СС по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., одписн д. 4/ иал ППП "Патент", г,ужгород, ул.Проектна Составитель В,ГаврюшинРедактор И.Николайчук Техред И,Асталош Корректор М.Самборская