Фатюшина

Номер патента: 1105792

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Гимельфарб, Ли, Лотоцкий, Орлов, Фатюшин, Фатюшина

МПК: G01N 23/225

Метки: анализа, диэлектриков, послойного

...поверхности диэлектрика слой, проводимость которого достаточна, чтобы обеспечить отток зарядов на проводящую пленку, не подвергающуюся ионному травлению. Применение напускаводорода в камеру образца позволяет проводить послойный анализ диэлектриков и композиционных материалов металл-диэлектрик,.при этом предел обнаружения элементов составляет 10 .ат,Ъ, а относительное стандартное отклонение, характеризующее воспроизводимость способа, равно 0,1. Кроме того, в предлагаемом способе нет ограничений по толщине исследуемых слоев.На фиг, 1 и 2 показаны масс-спектры диэлектрика на основе Аб О,полученные при напуске и без найуска водорода.Способ реализуется следующим образом.П р и м е р 1, Послойное распределение элементов Ма и А в керамическом...

Номер патента: 325847

Опубликовано: 05.01.1974

Авторы: Гавриленко, Захаркин, Иванов, Сычев, Фатюшина, Юшков

МПК: C07F 5/00

Метки: галлийтриалкилов

...и колбу заполняют чистым аргоном (азотом), Из делительной воронки постепенно в течение 1 час добавляют 100,7 г СНо,1 при слабом 15 нагревании реакционной массы. После добавления всего количества СзНзЛ смесь нагревают еще 1 час при 90 С. Из реакционной массы отгоняют 20,5 г чистого ба(СгНз)з 1 т. кип.34 С/10 мм рт. ст., по литературным данным 20 т, кип. 42 С/16 мм рт. ст. П р и м е р 2. Получение ба(С,Нз)з из ба,Мо и С,Н 5,1 в углеводородной среде.В трехгорлую колбу в атмосфере инерт ного газа загружают 15 г ба и 8 г Мд в видестружки, добавляют кристаллик 1 з и смесь вакуумируют. К реакционной массе приливают 50 см гексана и реакцию проводят аналогично примеру 1 при кипении гексана, Рас ход СзНз.1 100,7 г.Корректор Н. Учакина Редактор...