Способ наблюдения цмд-структур

.833 (О ОСУДАРСТЕНН 11 Й НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТ ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(56) Кадыкова Г.Н. и др. Исследование влияния отжига на дефекты структуры в ионно-имплантированных, гранатовых пленках. - Электронная обработка материалов, 1985, Р 1, с. 29-31.Тихонов А.Н. и др. Исследование эффективности ионной имплантации феррит-.гранатовых пленок. - Микроэлектроника, Т. 14, 1985, 1: 3, с. 252-261.(57) Изобретение относится к областиисследования материалов с помощью радиационных методов и может бьггь использовано для получения иэображениядоменносодержащих материалов. Цельповьппение достоверности получаемогоизображения. В качестве поля смещенияиспользуют поле формирующей линзы, афокусировку потока заряженных частицосуществляют путем изменения амплитуды возбуждения поля конденсорной линзы. Это позволяет устранить артефакты, связанные с размытием зондирующего потока полем смещения, несооснорасположенным с фокусирующими полямилинз.Изобретение относится к исследова. - нию материалов с помощью радиационных методов и может бьть использовано для получения изображения доменносодержа щих материалов.Цель изобретения - повьппение достоверности получаемого иэображения.Для наблюдения ЦМД-структур необходимо для их генерации создание магНитного поля смецения, причем амплитуда этого поля должна быть регулируема для того, чтобы реализовывалась Возможность измерения характеристик 91 Д"поле эллиптической неустойчивое ти, поле коллапса и др. Использование Поля формируюцей линзы позволяет исКлючить вредное с точки зрения формирования изображения влияние дополнительного магнитного поля смещения. 20 Наличие такого дополнительного поля йриводит к тому, что суммарное поле и линзы имеют смещенную ось симметрии, следовательно начинают проявляться аберрационные характеристики, 25 такие как кома, дисторсия, астигматизм, которые приводят к искажению формы сфокусированного пучка, а также траектории его перемещения по полю растра. Все это в совокупности 30 Снижает достоверность наблюдения. Эти паразитные явления исчезают в том Случае, если объект помещать в поле формирующей линзы. Тогда осевая симметрия поля не нарушается и дополнительных искажений траектории движения заряженных частиц не будет. Регулировка амплитуды поля смещения в этом Случае может осуществляться двумя путямн. Во-первый, удалении объектодержателя от,главной плоскости формирующей линзы амплитуда поля линзы уменьшается, и, следовательно, при перемещении объекта в этом направлении амплитуда поля смещения будет 45 снижаться. Для повьппения амплитуды; поля смещения объектодержателя вместе с объектом необходимо перемещать в обратном направлении. При этом существенным является перемещение объекта в направлении, параллельном оси симметрии формирующей линзы. В противном случае будет возникать погрешность регулировки амплитуды поля смещения из-за наличия как осевого, так и радиального градиентов поля линзы Таким образом, перемещение объектодержателя на параллельно указанной оси приведет во-первых к погрешности регулировки поля смещения, и, следовательно, к, неадекватному изменениюпараметров ЦИД-структуры и изображения, а во-вторых - к перемещениюиэображения на проекционном экране,и, следовательно, к его изменению.Оба эти обстоятельства снижают достоверность наблюдения. Второй вариантрегулировки амплитуды поля смещениязаключается в изменении тока возбуждения формирующей линзы, амплитудаполя которой изменяется пропорционально току возбуждения.Для того, чтобы условия фокусировки потока заряженных частиц неизменялись при регулировке поля смещения операция совмещения плоскостифокусировки с плоскостью объектодержателя осуществляется путем изменения амплитуды возбуждения поля конденсорной линзы. В этом случае реализуется независимая регулировка фокусного расстояния и амплитуды полясмещения, что также повьппает достоверность наблюдения ЦКЦ-структуры,так как выполнение одной из этих операций не вносит искажений в параметры другой,П р и м е р, ЦМД-структуру помещают в объектодержатель растрового электронного микроскопа и располагаютвблизи нижнего плоского наконечникаформирующей линзы. При соотношениидиаметров верхнего В = 30 мм, нижнего 0 = 20 мм полосных наконечников,ширине магнитного зазора Б . .4 мм,амплитуда осевого распределения индукции поля уменьшается, при удаленииобразца от главной плоскости линзы,при удалении образца от главной плоскости линзы, пропорционально ехр(Х/А),где Х - расстояние между главнойплоскостью линзы и плоскостью объекта; А - константа, определяемая материалом магнитопровода линзы и степенью его насьпцения, При максимальномзначении осевого поля В ,== 0,2 Тлформируемого линзой с магнитопроводомиз сплава 79 НИ, для создания полясмещения В= 0,01 Тл, плоскостьобъекта размещают на расстоянии 22 ммот главной плоскости линзы. Далее,регулируя ток последней конденсорнойлинзы, совмещают плоскость изображения объективной линзы с плоскостьюобъекта, формируют на поверхности последнего растр, регистрируют иншорма"ционное излучение, преобразуют его в1396025 Составитель К. КононовТехред .И.Дидык.: Корректор Г.Рещетник Редактор,Ю.Середа Тираж 84 У Подписное Заказ 2438/44 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 видеосигнал и подают на модулятор кинескопа. Для уменьшения амплитуды поля до значения О, 008 Тл, рабочий отрезок формирующей линзы увеличиваютдо 42 мм. При этом для совмещенияплоскости иэображения формирующейэлектронный зонд системы с плоскостью объекта увеличивают амплитудувозбуждения конденсорной линзы,10Таким образом, предлагаемый. способпозволяет устранить артефакты, связанные с размытием зондирующего потока полем смещения, несоосно расположенным с фокусируюцими полями линз.Совмещение функций фокусировки зондаи генерации ЦМД-структур в поле формирующей линзы позволяет повыситьразрешение формируемого изображения,и, следовательно, повысить достоверность получаемых изображений ЦМДструктур.Формула изобретенияСпособ наблюдения ЦИД-структур,заключающийся в установке исследуемой 28 структуры в объектодержатель, создании у поверхности структуры. магнитного поля смещения, регулировании потока заряженных частиц с помощью конденсорной и формирующей линзы, сканировании этим потоком исследуемойструктуры, регистрации информационного сигнала и ормировании на его основе изображения исследуемой структуры, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения достоверностиполучаемого изображения, в качествеполя смещения используют поле формирукцей линзы, регулирование амплитуды поля смещения осуществляют путемперемещения объектодержателя в направлении, параллельном оси симметрии формирующей линзы илн путем иэ"менения амплитуды возбуждения формирующей линзы и производят совмещениеплоскости изображения формирующейлинзы с плоскостью объектодержателяпутем изменения амплитуды возбуждения конденсорной линзы.