154613
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 154613
Текст
, В. Спивак, Н, Н. Седов и Р, Д. Иванов ПОСОБ ИССЛЕДОВАН ВРАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАПЕРЕХОДЕ Заявлено 8 м в Комитет по делам изобрете Опубликовано в Бюллетене изоая 1962 г. за777219/26.9ний и открытий при Совете Министрбретений и товарных знаков1 О ов СССРза 1963 г. Известен способ исследования распределения потенциала в р-и - переходе, основанный на наблюдении перехода при помощи электронного микроскопа и измерении при этом величины искажения изображения перехода. Этот способ обеспечивает измерение потенциала порядка 0,3 Ь с разрешающей способностью в 0,1 микрона.По предложенному согласно изобретению способу исследования распределения потенциала в р-и - переходе определяют искажение зеркального электронно-оптического изображения вторичной электронной эмиссией и по характеру искажений устанавливают ширину и распреде.ление потенциала в р-и - переходе, Это позволяет повысить точность измерения распределения потенциала в р-и - переходе.При осуществлении исследования распределения потенциала в р-и - переходе по предложенному способу поверхность полупроводника тщательно шлифуется и полируется общепринятыми методами. Объекты промываются спиртом и дистиллированной водой. В некоторых случаях для увеличения геометрических размеров р-и - перехода, выходящего на поверхность образца, делается косой срез. Объект помещается в держатель образца, что позволяет подавать разность потенциалов вдоль его поверхности, а также между последней и катодом освещающей пушки,При проведении измерений к р-и - переходу с помощью батареи прикладывается фиксированная разность потенциалов в запирающем направлении, В целом потенциал образца относительно катода электронной пушки может меняться с помощью отдельной батареи с делителем, Путем изменения потенциала на делителе можно добиться, чтобы потенциал катода пушки соответствовал эквипотенциальной поверхности, которая названа нулевой. Поскольку отражение электронов прималых значениях начальных скоростей и при где 1 А - напряжение на р-п - переходе;д - ширина р-и - перехода;а Е - напряженность ускоряющего электроны поля на катоде, происходит от нулевой эквипотенциали, то слева от точки, где эта эквипотенциальная поверхность входит в образец, наблюдается характерное зеркальное изображение, а справа, где первичные электроды достигают поверхности образца, - пятно вторичной эмиссии.Меняя общий потенциал образца на некоторую величину, измеряемую вольтметром, тем самым меняют нулевую эквипотенциальную поверхность, которая разделяет область зеркального изображения и вторичной эмиссии. При этом пятно вторичной эмиссии сдвигается по поверхности образца, Величина этого сдвига может измеряться по фотографиям или с помощью сетки линий, нанесенных на поверхность флуоресцирующего экрана.Таким образом определяются точки (точнее, линии) на поверхности образца, имеющие определенный потенциал,Пройдя весь диапазон потенциалов на образце и откладывая соответствующие точки на графике, получают кривую распределения потенциала в р-п - переходе. Предмет изобретения Составитель М. МрочкоТекред Т. П. Курилко Корректор Т. Хромнсва 1 едактор В. Я, Парнес Поди. к печ. 15/711 - 68 г. Формат бум. 70 К 108/16 Объем 0,18 изд. л.Зак. 1873/6 Тираж 1225 Цена 4 к"иЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4. Типография, пр. Сапунова, 2. Способ исследования распределения потенциала в р-и - переходе, основанный на наблюдении перехода при помощи электронного микроскопа, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности измерения распределения потенциала, определяют искажение зеркального электронно-оптического изображения вторичной электронной эмиссией и по характеру искажений устанавливают ширину и распределение потенциала в р-п - переходе.
СмотретьЗаявка
777219
МПК / Метки
МПК: G01N 23/225, G01R 31/26
Метки: 154613
Опубликовано: 01.01.1963
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-154613-154613.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">154613</a>