C30B 11/00 — Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера

Номер патента: 946266

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Бабашова, Емельченко, Ильин

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ на затравку по авт. св. N 850765, отличающееся тем, что, с целью повышения его надежности за счет исключения вытекания расплава из тигля при его переворотах, торец первого стакана с затравкодержателем в месте разъема тигля выполнен с выемкой, имеющей внутреннюю цилиндрическую и внешнюю коническую форму, высота выемки с конической формой меньше высоты выемки с цилиндрической формой, а торец второго стакана выполнен с выступом, имеющим форму, соответствующую выемке первого стакана.

Номер патента: 1800854

Опубликовано: 20.06.1996

Авторы: Голышев, Гоник

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

...дна контейнера. После определения положения фронта кристаллизации начинается кристаллизация путем вытягивания контейнера вверх и сбрасывания шихты 7 из бункера 8 в количестве, равном количеству закристаллизовавшегося расплава, При необходимости кристаллизация ведется при вращении контейнера вокруг вертикальной оси. В этом случае в приведенной формуле для определения положения фронта кристаллизации вместо А, должно использоваться эффективное значение теплопроводности расплава, В процессе выращивания в зависимости от задачи и исходного распределения температур, обусловленного нагревателем ростовой установки, кристаллизация идет с изменением или без изменения мощности тепловыделения контейнера и нагревателя ростовой установки, По окончании...

Номер патента: 1279277

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Колесников, Кулаков, Савченко

МПК: C30B 11/00, C30B 11/14, C30B 29/50 ...

Метки: монокристаллов

1. Способ получения монокристаллов CdS и CdSe путем направленной кристаллизации расплава в контейнере на ориентированную монокристаллическую затравку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности малоугловых границ и упрощения ориентирования затравки, направленную кристаллизацию ведут на затравку, ориентированную перпендикулярно направлению <0001>.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллов в виде пластин, кристаллизацию ведут в контейнере прямоугольного сечения и затравку располагают на широкой стороне контейнера.

Номер патента: 1107589

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Давиденко, Карпов, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизации, кристаллов, методом, направленной

Устройство для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации, включающее ампулу и установленный на дне тигель, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет увеличения коэффициента использования тигля, ампула снабжена перегородкой в виде воронки с осевым отверстием, расположенной над тиглем.

Номер патента: 989912

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Бобырь, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: ампуле, выращивания, монокристаллов, расплава

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава в ампуле, включающее вертикально расположенные нижнюю и верхние камеры с нагревательными элементами, принудительно охлаждаемую кольцевую диафрагму, расположенную в верхней камере, и системы стабилизации температур нагревательных элементов, каждая из которых состоит из температурного датчика, задающего средства, регулятора и исполнительного усилителя, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства и повышения воспроизводимости условий кристаллизации на начальной стадии процесса выращивания, датчик температуры верхнего нагревателя установлен в объеме верхней камеры так, чтобы выполнялись условия0,5 ...

Номер патента: 1322716

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Бондарь, Грин, Груцо, Корзун, Маковецкая, Чернякова

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46

Метки: cualse2, монокристаллов, соединения

Способ получения монокристаллов соединения CuAlSe2, включающий синтез сплавлением исходных элементов в тигле, помещенном в вакуумированную кварцевую ампулу, и последующую направленную кристаллизацию полученного соединения, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров монокристаллов, их оптической однородности и стабильности на воздухе, исходные элементы берут в нестехиометрическом количестве, соответствующем составу CuxAlSey, где x 1,04 1,08, y 2,02 2,04, тигли используют из пиролитического нитрида бора, кристаллизацию проводят перемещением тигля со скоростью не более 0,3 мм/ч в вертикальной двухзонной печи с температурой в зоне расплава 1368 1448 К, с градиентом температуры на фронте кристаллизации...

Номер патента: 1332886

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Белевич, Груцо, Маковецкая

МПК: C30B 11/00

Метки: вертикально, выращивания, кристаллизации, кристаллов, методом, направленной

Устройство для выращивания кристаллов методом вертикально направленной кристаллизации, содержащее печь, имеющую две зоны, разделенные диафрагмой, и установленную в ней с возможностью перемещения цилиндрическую ампулу с коническим концом, отличающееся тем, что, с целью исключения перегрева ампулы в верхней зоне печи и снижения температурного градиента в расплаве, нижняя часть ампулы снабжена экраном, диаметр которого равен диаметру ампулы, а его нижний торец расположен в нижней зоне печи.

Номер патента: 1122012

Опубликовано: 20.10.1997

Авторы: Будаковский, Иванов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов

1. Устройство для выращивания монокристаллов направленной кристаллизацией расплава, включающий двухзонную вертикальную печь с диафрагменной перегородкой и установленную внутри печи ампулу для расплава в герметичном кожухе, выполненную в виде цилиндра с коническим дном, отличающееся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов из щелочно-галоидных материалов, дно ампулы размещено на расстоянии 0,4 0,8 ее диаметра от дна кожуха, а отношение ее диаметра к диаметру кожуха 0,8 0,95.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что кожух вакуумирован.

Номер патента: 948171

Опубликовано: 20.05.1998

Авторы: Будаковский, Крайнов, Мнацаканова, Ткаченко

МПК: C30B 11/00, C30B 29/54

Метки: монокристалла, основе, стильбена, сцинтиллятор

1. Сцинтиллятор на основе монокристалла стильбена, отличающийся тем, что, с целью повышения термической и механической прочности и улучшения структурного совершенства, он дополнительно содержит хлоранил в концентрации (0,2 - 1,2) 10-2 мол.%.2. Способ получения сцинтиллятора на основе монокристалла стильбена, включающий направленную кристаллизацию его расплава на ориентированной затравке, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости роста, в расплав дополнительно вводят хлоранил в концентрации 0,05 - 0,3 мол.%.

Номер патента: 1262998

Опубликовано: 20.05.1998

Авторы: Будаковский, Иванов, Петриченко

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, расплава

Устройство для выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава, включающее вертикальную печь, разделенную горизонтальной диафрагменной перегородкой на две зоны, размещенную внутри печи ампулу для расплава, выполненную в форме цилиндра с коническим дном и снабженную кожухом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов за счет стабилизации положения и формы фронта кристаллизации, устройство снабжено сосудом для хладагента, размещенным в нижней зоне печи, а нижний торец кожуха открыт и погружен в хладагент.

Номер патента: 1730871

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Белецкий, Денисов, Лисиченок, Пастухов

МПК: C30B 11/00

Метки: полупроводниковых, соединений

Устройство для получения полупроводниковых соединений, содержащее вертикально установленную кварцевую ампулу с гидрозатвором в верхней части размещенный в ней графитовый тигель и независимые нагреватели, отличающееся тем, что, с целью повышения качества получаемых соединений халькогенидов за счет уменьшения внутренних напряжений, тигель имеет форму, подобную форме ампулы, а на его боковой поверхности выполнены вертикальные сквозные прорези.

Номер патента: 1380293

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Аллазов, Дарвойд, Дмитриев, Дубовицкая, Копецкий, Лисицкий, Мовсум, Мустафаев, Нисельсон, Райков, Смирнов, Третьякова

МПК: C30B 11/00, C30B 29/12

Метки: галогенидов, основе, растворов, таллия, твердых

Способ получения твердых растворов на основе галогенидов таллия, включающий загрузку исходных компонентов, содержащих галогениды металлов твердого раствора, их нагрев до температуры выше температуры плавления получаемого твердого раствора и направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса и его упрощения, в качестве исходных компонентов используют металлический таллий и по крайней мере один галогенид аммония, таллий берут в избытке 100 - 300 мол.% по отношению к галогенидам, помещают его сверху галогенидов и нагревают до температуры на 10 - 30oС выше температуры плавления твердого раствора, а кристаллизацию ведут перемещением...

Номер патента: 683064

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Квашнин, Рейтеров, Соколов

МПК: C30B 11/00

Метки: веществ, термической

Устройство для термической обработки веществ в контролируемой атмосфере, включающее рабочую камеру с вертикально расположенным цилиндрическим нагревателем, стопу тиглей чашеобразной формы, установленную на подвижной по вертикали опоре, загрузочную и разгрузочную камеры, отделенные от рабочей камеры шиберами, и транспортные средства для перемещения тиглей, отличающееся тем, что, с целью создания в тиглях осевой симметрии теплового поля и возможности выращивания кристаллов, шибера укреплены на штоках, расположенных по вертикальным осям загрузочной и разгрузочной камер, тигли выполнены с выемками на внешней боковой поверхности и транспортные средства - в виде захватов, консольно укрепленных на...

Номер патента: 948170

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Кантер, Сидоров, Шахина

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов, полупроводниковых

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов из расплава в запаянной ампуле, включающий предварительный перегрев расплава, затравливание в носике ампулы и последующую направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода монокристаллов, предварительный перегрев ведут не более чем на 5-10oC выше температуры плавления, затравливание проводят с регистрацией температуры в носике ампулы, и при наличии пика на температурной кривой процесс затравливания возобновляют.

Номер патента: 666700

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Александров, Матвеев, Райман, Симун, Соколов, Фритсше

МПК: C30B 11/00

Метки: вертикальной, выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, нескольких, расплава

Устройство для выращивания нескольких кристаллов вертикальной направленной кристаллизацией расплава, включающее несколько контейнеров, имеющих форму чаш, с отверстиями, установленных в стопу, и питатель, расположенный сверху, отличающееся тем, что, с целью упрощения изготовления устройства за счет исключения притирки контейнеров друг к другу, облегчения выгрузки кристаллов вследствие предотвращения затекания расплава в места контакта контейнеров и возможности очистки расплава от летучих примесей, отверстия выполнены в виде вертикальных каналов в боковых стенках контейнеров, соседние контейнеры установлены со смещением отверстий относительно друг друга.

Номер патента: 342395

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Лобачева, Черневская

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов

Устройство для выращивания монокристаллов направленной кристаллизацией расплава, контактирующего с газообразным реагентом, включающее герметичную камеру с неподвижно установленным нагревателем и тиглем, перемещаемым по вертикали при помощи введенного снизу полого штока, и расположенный вне камеры источник реагента, отличающееся тем, что, с целью увеличения эффективности воздействия реагента на расплав и уменьшения коррозии камеры и нагревателя, тигель установлен на опорах в полости укрепленного на штоке стакана с крышкой, причем полость стакана соединена с источником реагента посредством выполненного в штоке осевого канала.

Номер патента: 1294032

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Емельянов, Севастьянов, Соболева, Хапаева, Чиркин

МПК: C30B 11/00, C30B 29/28

Метки: выращивания, граната, иттрий-алюминиевого, легированного, монокристаллов, неодимом

Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом, из расплава исходных компонентов, содержащих Y2O3, Al2O3, Nd2O3, с заданной скоростью, отличающийся тем, что, с целью получения концентрации неодима в монокристалле до 2,6 мас.% при обеспечении его стехиометрического состава и удешевления процесса, исходные компоненты берут в следующем соотношении, мас.%:Al2O3 - 41,82 - 42,64Nd2O3 - 7,89 - 2,17Y2O3 - Остальноеи выращивание ведут со скоростью 0,6 - 1,0 мм/ч.

Номер патента: 1746756

Опубликовано: 10.07.2003

Авторы: Денисевич, Иванов, Радучев, Штейнберг

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

Устройство для выращивания кристаллов тугоплавких веществ, содержащее герметичную камеру из диэлектрического материала, размещенный в ней холодный тигель, выполненный из трубчатых элементов, расположенных с зазором, и снабженный штуцерами для ввода и вывода хладагента, и индуктор, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства и уменьшения потерь исходного материала, холодный тигель выполнен в форме двух полусфер, навитых вокруг оси, перпендикулярной оси индуктора, герметичная камера выполнена в виде сферической оболочки, на внутренней поверхности которой размещен герметизирующий слой, контактирующий с холодным тиглем, а штуцеры для ввода хладагента расположены соосно с...

Номер патента: 1614531

Опубликовано: 27.07.2004

Авторы: Лаишевцев, Липский, Петелькин

МПК: C30B 11/00

Метки: кристаллизацией, литья, направленной, расплава

1. Устройство для литья деталей с направленной кристаллизацией расплава, включающее керамическую форму, установленную на холодильнике и имеющую расположенные одна над другой полости для детали, стартовую полость и полость для затравочного кристалла, соединенные кристалловодами, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода годного литья, в форме выполнена дополнительная стартовая полость в виде канала клиновидного сечения, расположенного между стартовой полостью и полостью для затравочного кристалла, а стартовая полость выполнена в виде канала прямоугольного сечения, расположенного по периметру полости для детали.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительная стартовая...

Номер патента: 1635598

Опубликовано: 27.07.2004

Авторы: Лаишевцев, Липский, Петелькин

МПК: C30B 11/00, C30B 21/00

Метки: кристаллизации, фронта

1. Способ определения фронта кристаллизации при получении монокристаллов, включающий перемещение литейной формы с исходным веществом в фиксированном температурном поле и измерение во времени параметра процесса на разной высоте формы, отличающийся тем, что, с целью облегчения измерений в труднодоступных местах формы, в качестве параметра измерения используют высоту границы твердой фазы, получаемую после расплавления исходного вещества, фиксирования температурного поля и слива жидкой и/или твердожидкой его части.2. Устройство для определения фронта кристаллизации, включающее литейную форму с полостью для исходного вещества, установленную на кристаллизаторе с возможностью перемещения,...

Номер патента: 1839796

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Скребнева, Шевырдяева

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46

Метки: aggas, монокристаллов, серебра, тиогаллата

1. Способ получения монокристаллов тиогаллата серебра, AgGaS 2, путем направленной кристаллизации расплава в запаянной ампуле, отличающийся тем, что, с целью получения более однородных и оптических прозрачных кристаллов без трещин и двойников, кристаллизацию ведут под давлением газа в ампуле выше 20 атм.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что кристаллизацию ведут из расплава стехиометрического состава.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что кристаллизацию ведут из расплава с добавкой избытка Ag2S по отношению к стехиометрическому составу.

Номер патента: 1282582

Опубликовано: 10.11.2009

Авторы: Ассанович, Бодячевский, Ковалева, Лингарт, Симонов, Чередниченко

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов, тугоплавких

1. Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов, включающий расплавление исходного материала в вакууме и направленную кристаллизацию расплава в контейнере с затравкой при наличии температурного градиента на фронте кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности свойств монокристаллов и повышения производительности, направленную кристаллизацию ведут в неподвижном контейнере при перемещении фронта кристаллизации со скоростью 18 - 20 мм/ч и температурном градиенте 25-30°С/см, создаваемом с помощью тепловых экранов со стороны затравки, а кристаллизацию ведут при распределении температуры вдоль контейнера по параболическому закону с минимумом в его...