340129

ОПИСАН И ЕИЗОБРЕТЕНИЯК П АТЕНтУ 340 29 Союз Советских Социалистических Республикависимый от патента Заявлено 17.11.1969 ( 13059 М. Кл, В 01 с 1 5/00 С 23 с 700риорите Комитет по делам зобретений и открытийпубликовано 24,7 т 1972. Бюллетень Мв ата опубликования описания 27,И.19 при Совете Министров СССР(Соединенныс Ш цыерт В, Халлты Америки Иностранная фирма Тииг Рисерч Инкоединенные Штаты Америки) аявител НИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ВАНАДИЯ 00 СПОСОБ ПО 2 одного мароцесс вес последуИзобретение относится к способам получения тонких пленок недоокиси ванадия,Известен способ получения тонких пленок соединений путем испарения и конденсации на подложку в вакууме при повышенных температурах.Целью изобретения является получение тонких пленок недоокиси ванадия общей формулой ЧО.где х равен 1,5 - 2,02. Для этого в качестве исходного материала используют ванадийсодержащий материал, испарение и конденсацию ведут при давлении 10 в 4 в 10 вмм рт. ст. с последующей обработкой пленки, полученной на подложке при давлении 10- 10 - 4 мм рт. ст. и температуре 400 - 600 С.В качестве исходного материала используют пятиокись ванадия и процесс испарения ведут при температуре 500 - 850 С с последующим восстановлением пленки, полученной на подложке при непрерывном разрежении воздуха или в присутствии материала, имеющего большее сродство к кислороду, чем более высокая окись ванадия. Восстановление пленки, полученной на подложке, осуществляют в присутствии ванадия или окиси ванадия, имеющей большее сродство к кислороду, чем более высокая окись ванадия.При использовании в качестве исхтериала металлического ванадия пдут при температуре 1700 - 2000 С ющим окислением пленки, полученнои на подложке в атмосфере кислорода при давлении, равном давлению пара над недоокисью ванадия, а кислород получают путем нагревания 5 более высокой окиси ванадия.П р и м е р. Пятиокись ванадия общей формулы Ч 205 помещают в инертную лодочку из тунгстена или в другой подходящий сосуд, оснащенный устройством для нагрева лодочки 10 и подложки, на которой конденсируется тонкая пленка.В качестве подложки используют тонкополированную пластину, например, из стекла или кварца, которую предварительно тщатель но очищают, например, промывкой в слабомкислом растворе, а затем - в дистиллированной воде и высушивают в струе инертного газа. Атмосферу колпака разрежают до давления 10 -мм рт. ст.20 Подложку нагревают до температуры 350 С,а лодочку с пятиокисью ванадия - до температуры 650 С. Пятиокись ванадия, испаряясь, осаждается на установленной подложке. Подложку с отложенной на ней тонкой пленкой 25 пятиокиси ванадия удаляют из испарительного колпака и помещают в другой колпак. Атмосферу разрежают до 10 -мм рт. ст. и подложку нагревают до температуры 500 С, Процесс ведут до полного восстановления пленки З 0 пятиокиси ванадия в недоокись ванадия.340129 Предмет изобретения Составитель Т. КузьминаРедактор Н. Корченко Техред 3, Тараненко Корректор Л. Царькова Заказ 1840(15 Изд.784 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 1. Способ получения тонких пленок недоокиси ванадия путем испарения и конденсации на подложку в вакууме при повышенных температурах, отличающийся тем, что, с целью получения тонких пленок недоокиси ванадия общей формулы ЧО, где х равен 1,5 - 2,02, в качестве исходного материала используют ванадийсодержащий материал, испарение и конденсацию ведут при давлении 10-4 в 10 вмм рт. ст. с последующей обработкой пленки, полученной на подложке при давлении 10- - 10 -мм рт. ст. и температуре 400 - 600 С.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве исходного материала используют пятиокись ванадия и процесс испарения ведут при температуре 500 - 850 С с последующим восстановлением пленки, полученной на подложке при непрерывном разрежении воздуха или в присутствии материала, имеющего большее сродство к кислороду, чем более высокая окись ванадия.3, Способ по п. 2, отличающийся тем, что 5 восстановление пленки, полученной на подложке, ведут в присутствии ванадия или окиси ванадия, имеющей большее сродство к кислороду, чем более высокая окись ванадия.4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что 10 в качестве исходного материала используютметаллический ванадий и процесс испарения ведут при температуре 1700 в 20 С с последующим окислением пленки, полученной на подложке в атмосфере кислорода при давле нии, равном давлению пара над недоокисьюванадия.5, Способ по п. 4, отличающийся тем, чтокислород получают путем нагревания более высокой окиси ванадия.20