Диэлектрический материал для тонкопленочных конденсаторов

ОП ИСАНИЕИЗЬВРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик(51) М. Кл.з Н 01 б 4/1 О Гооудорствеикык комитет Опубликовано 30.10.82. Бюллетень40Дата опубликования описания 05.11.82лв делом изобретений и открытий(54) ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ1Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано, в частности, при изготовлении тонкопленочных конденсаторов интегральных схем.Известен диэлектрический материал для тонкопленочных конденсаторов на основе окислов и соединений, содержащих редкоземельные элементы 1. Однако данному материалу присущи недостаточная электрическая прочность, низкий процент выхода годных структур и низкая надежность тонкопленочных конденсаторов, полученных на основе этого материала.Наиболееблизким к предлагаемому по технической сущности является диэлектрический материал для тонкопленочных конденсаторов, включающий оксид иттрия и оксид гольмия 21.Данный материал обладает высоким значением удельной емкости (до 0,22 мкф/см), однако существенным недостатком этого диэлектрического материала является низкое значение электрической прочности, что связано с наличием каналов повышенной проводимости в пленке. Цель изобретения - повышение электрической прочности.Указанная цель достигается тем, чтодиэлектрический материал для тонкопленочных конденсаторов, включающий оксид гольмия, дополнительно содержит аморфный бор при следующем соотношении компонентов, вес, %:Оксид гольмия 20 - 10 Аморфный бор 20 - 0,5 Оксид иттрия Остальное Пример 1. (со средним содержанием компонентов). Предлагаемый материал содержит, вес. %:Оксид гольмия 20Аморфный бор 415 Оксид иттрия 76Аморфный бор и предварительно обожженные оксид гольмия и оксид иттрия перемешивают в халцедоновых барабанах на планетарно-шаровой мельнице в среде этилового спирта. Весовое соотношение компонентов при помоле диэлектрический материал.: этиловый спирт: молющие шары равно 1:1:1,5, Время помола 5 - 6 ч, Полученную смесь сушат в термошкафу при 105 + 5 С до полного удаления спирта и970497 Формула изобретения Составитель В. СалынскийТехред И, Верес Корректор Г, ОгарТираж 761 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам Изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Редактор Ю. КовачЗаказ 7412/66 протирают через сито 40 мкм для разрушения конгломераторов. Готовая порошковая смесь должна иметь удельную поверхность не менее 5000 см 2/г.Пример 2. (с максимальным содержанием компонентов). Материал содержит вес. %.Оксид гольмия 20Аморфный бор 20Оксид иттрия 60Технология получения материала аналогична примеру 1.Пример 3 (с минимальным содержанием компонентов). Материал содержит, вес. %:Оксид гольмия 10Аморфный бор 0,5Оксид натрия 89,5 15 Технология получения аналогична примеру . Полученные материалы в виде спиртовой суспензии (10 г смеси, 20 мл этилового спирта) наносят на мишень-подложку из керамики ВК 94-1 и распыляют методом ВЧ ионно-плазменного распыления.Предлагаемый состав позволяет получать методом ВЧ ионно-плазменного распыления тонкопленочные конденсаторы с алюминиевыми обкладками, обладающие следующими характеристиками: 25Удельная емкость пФ/м 2 до 220 10 Электрическаяпрочность В/см (3 - 8) 1 Оа Тангенс угла ди-электрическихпотерь 0 003 - О 008 30 Преимущество предлагаемого материала заключается в том, что он имеет более высокие значения электрической прочности и низкие значения тангенса угла диэлектрических потерь, что дает возможность получать на его основе тонкопленочные конденсаторы, работающие на более высоких рабочих напряжениях и обеспечивающие надежную работу тонкопленочных микро- сборок. Диэлектрический материал для тонкопленочных конденсаторов, включающий оксид иттрия и оксид гольмия, отличающийся тем, что, с целью повышения электрической прочности, он дополнительно содержит аморфный бор при следующем соотношении компонентов, вес. %:Оксид гольмия 20 - 10 Аморфный бор 20 - 0,5 Оксид иттрия Остальное Источники информации,принятые во внимание при экспертизе