Способ приготовления тонкопленочных образцов для электронной микроскопии
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
.л Союз СоветскмнСоцнапистичеовнРеспублик О АБ"В И Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ сссс 669253(23) Приоритет осударстеаннаб СССР па делам нзобр н аткрытн(088. 8) публиковано 25,06,79,Бюллетень 23 Дата опубликования описания 28,06,79(7) Заявите Минский радиотехнический институ алла и операцияего травлруемогово послетура диэтого, чта на подЦельва пленк ится к технике предпя исследования в ронных микроскопах обретение отн нанесения подспоя ение после отделе образца, что ухуд него. Искажается ектрической пленки парирования образ просвечиваюших э ар чест- трукса и эпектронографах,Известен способ, вкпючаюший осажд ние пленки на диэлектрическую подложку и отделение пленки от подложки в диэлектрической ячейке с деионизированной водой при подаче импульса напряжения на электроды ячейки, одним из которых является сама пленка 11.Однако при таком способе возможно качественное отделение лишь пленок, обпаааюших неплотной структурой, т.е. содержащих достаточное количество дефектов например, типа пор, трешин.Наиболее близок к предлагаемому изобретению способ приготовления тонкопленочных образцов, включающий насыщение поверхности подложки ионами, осаждение пленки и последуюшее ее отделение 21.Недостатком известного способа является то, что при отделении диэлектрической пленки необходима дополнительная также всп ствиедпожку на о она осаждается не спой металла. изобретения - повы шен ективности ее от то насышение ми, а отделеагревании до Это достигаосушествляют г ется тем, алоген-ио дят п ние пленки провтемпературы обших летучих сое15 Способ осушразом,Очишенную ивыполненную изорунда, помешаплазму тлеюшег разования гапогенсоддинений.ествпяется следующим обез ожку,енную по цоликора итапл логенсодержашую да, насышают пора ми галогенов, нкую диэлектримого материала. ки ион верхность по после чего о даю ленку исспеду Р(54) СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХОБРАЗЦОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИ6692534ший разряд постоянного тока Щ, =1100 В,;/ =100 мА) и насыщают подложку иона-ми рабочего газа в течение 5 мин. После чего подложку переводят на позициюнапыления, прекрашают подачу рабочегогаза, откачивают вакуумный обьем додавления 510 тор и напыляют тонкуюдиэлектрическую ппенку 5 О. Затем включают нагреватель подложек, нагреваютоподложку с пленкой до 55+5 С температуру контролируют с помощью термопарного датчика), при этом происходит отслаивание пленки.Таким же образом осаждают некоторые другие диэлектрические пленки. Данные по температуре их отслаивания приведены в таблице. 0,Л ОО 5Г 5 185 ф 5245+5, 23510 2305 160 ф 10 40 Составитель А. Хачатурян .Редактор Л, Гребенникова Техред М. Петко Корректор С, Патрушева Заказ 3651/35 Тираж 1089 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Подложку с пленкой диэлектрика нагревают до температуры образования галогенсодержащих летучих соединений на границе раздела подложка-пленка, что приводит к отслаиванию диэлектрической пленки,. в виде образцов, пригодных для исследования их структуры методами электронной микроскопии. П р и м е р. Ситалловую подложку типа СТ 50-1 помешают в вакуумную камеру модернизированной установки УВНРнад генератором плазмы тлеющего разряда постоянного тока. Откачивают вакуумную камеру до давления 1 10 тор, напускарт рабочий газ хлор до давления 510 тор, зажигают тлеюФормула изобретения Способ приготовления тонкопленочных образцов для электронной микроскопии, вклгочаюший насыщение поверхности подложки ионами, осаждения пленки и последующее ее отделение, о т л и ч а юш, и й с я тем, что, с целью повышения качества и эффективности ее отделения, насыщение осуществляют галоген-ионами, а отделение пленки проводят при нагревании до температуры образования галогенсодержаших летучих соединений. Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР407204, кл, Н 01 У 37/26, 1971.2. Заявка2358691,кл, Н 01 Г 37/26, 07,05,76, по коте.рой принято решение о выдаче авторскогосвидетельства,
СмотретьЗаявка
2567799, 13.01.1978
МИНСКИЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ЛАБУНОВ ВЛАДИМИР АРХИПОВИЧ, ЛЫНЬКОВ ЛЕОНИД МИХАЙЛОВИЧ, ТОМИЛИН ВЛАДИМИР ФЕДОРОВИЧ, КРАВЧЕНКО АЛЕКСАНДР МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 1/28, H01J 37/26
Метки: микроскопии, образцов, приготовления, тонкопленочных, электронной
Опубликовано: 25.06.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-669253-sposob-prigotovleniya-tonkoplenochnykh-obrazcov-dlya-ehlektronnojj-mikroskopii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ приготовления тонкопленочных образцов для электронной микроскопии</a>
Способ приготовления образцов оксидныхпленок для электронной микроскопии
Номер патента: 819851
Опубликовано: 07.04.1981
Авторы: Коваленко, Кравченко, Лыньков, Соловьев
МПК: H01J 37/26
Метки: микроскопии, образцов, оксидныхпленок, приготовления, электронной
...пленки ИВАГО соответствуют требуемой форме и размерам (по площади 2 - 4 мм)и сохраняют качество отделяемой пленки,что подтверждается при исследовании напросвет в электронном микроскопе ЭММА,Таким образом, применение предлагае 20 мого изобретения позволяет существенноповысить эффективность и качество отделения оксидных пленок,Формула изобретения Исследуемые образцы оксидной пленки ТаО а соответствуют требуемой форме и размерам (по площади 2 - 4 мм) и сохраняют качество отделяемой пленки, что подтверждается при их исследовании на просвет в электронном микроскопе ЭММА.Пример 2. На ситалловую подложку типа СТ 50 - 1 осаждают дополнительную пленку ванадия толщиной 1000 А по форме и разраствор лимонной килоты. В качестве переходного...
Способ приготовления образцов пленок, нанесенных на поверхность кремниевой подложки, для электронно микроскопических исследований
Номер патента: 1465739
Опубликовано: 15.03.1989
Авторы: Головчанский, Марченко
МПК: G01N 1/28, G01N 23/225
Метки: исследований, кремниевой, микроскопических, нанесенных, образцов, пленок, поверхность, подложки, приготовления, электронно
...комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 3 14657 к мнатной температуре является насыщ иным),При температуре раствора менее Зф С увеличивается продолжительностьо процесса, а использование раствора с температурой более 80 С приводит к растворению,самой отделяемой пленки.В таблице приведены результаты р ализации способа приготовления о разцов при различных параметрах п оведения процесса.П р и м е р. Проводят отделенир пренки ниобия (%) толщиной 1000 А,апыленной на кремниевую подложку (100) в 453-ном растворе КОН при 65 С. Время отделения пленки составет около 5 мин при скорости растрения самой пленки .60-70 А/мин. осле отделения с помощью специальой сетки кусочки пленки помещают в стиллированную воду. Свертыванияки не...
Способ приготовления образца дифракционной решетки для исследования в электронном микроскопе
Номер патента: 1272160
Опубликовано: 23.11.1986
Авторы: Дегтева, Сулабе, Тихомиров
Метки: дифракционной, исследования, микроскопе, образца, приготовления, решетки, электронном
...заключается в следующем. 1 ОНа поверхность дифракциоиной решеткичерез заслонку в вакууме напыляют углерод толщиной 1 О - 20 нм. Заслонка необхо.дима для получения более прочного слоя.Для уменьшения времени изготовления реп.лики желательно дополнительно напылить15углерод без использования заслонки такойтолщины (30 - 40 нм), чтобы прн перегибе реплика не рвалась, После напыленияуглеродную реплику отделяют от поверхности решетки с. помощью желатина. По 2 овысохшей поверхности желатина делают разметку образца, одна из сторон которогопараллельна линии перегиба, перпендикулярной направлению штрихов решетки. Далеевырезают образец, отмывают его от желатина в дистиллированной воде и вылавливают на ребро сетки-подложки, подводя ееснизу под...
Способ приготовления образцов для исследований состава и структуры пленок
Номер патента: 729478
Опубликовано: 25.04.1980
Авторы: Бабушкина, Водзинский, Генкина
МПК: G01N 1/44
Метки: исследований, образцов, пленок, приготовления, состава, структуры
...изготовлены тонкие пленки ЯОг нЯзй для электронографических исследоватпй.П р и м е р 1. В качестве подложек ис.пользуют пластины пирографита толщиной2 - 5 мм н площадью 10 х 10 мм. Пластинывырезают из куска пирографита ножовочнымполотном н затем полируют шлифовальной бу729478 Составитель Е. НечипоренкоРедактор Л, Гребенникова Техред С. Мигай Корректор Г. Решетник Заказ 1253/37 Тираж 1019ЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Подписное Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 3магой нулевого номера. После шлифовки пластины промывают этиловым спиртом, просушивают в сушильном шкафу при 120+20 С в те. чение 1 ч. На очищенные пластины плазмохимическим способом...
Способ приготовления образца аэрозольной пробы
Номер патента: 1529071
Опубликовано: 15.12.1989
Авторы: Комалов, Степанова, Чеченова, Шведов
МПК: G01N 1/28
Метки: аэрозольной, образца, приготовления, пробы
...которую можно исследовать методами электронной микроскопии и микроаналиэа. Фаей в амилацетате толщиной 100-150 мкм, ф не превышающей толщины фильтра. В ка- Я честве нитроцеллюлозы можно использовать чистый миллипоровый фильтр, На этот слой помещают фильтр с расположенными на его поверхности частицами аэрозоля. Раствор, медленно загустевая, поднимается к поверхности фильтра, растворяя его волокна и выравнивая его поверхность. Бысокая вязкость фф полученного слоя фильтра не позволяет ф частицам погружаться внутрь. Послевысыхания стекло с фильтром помещают в вакуумную камеру и создают в нейвакуум 10 Торр. 1," угольным электродам в камере подают напряжение и,1529071 позволяет исследовать искусственные как на самолете, так и в наземных...
Предыдущий патент: Пробоотборный наконечник для механических устройств ударного действия
Следующий патент: Способ образования калиброванных трещин в пластинах из полимерных материалов
Случайный патент: Огнестойкая формовочная композиция