Патенты с меткой «сверхпроводящего»

Номер патента: 1705238

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Струкова, Туранов

МПК: C01F 17/00, C01G 29/00

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...мельницы для гомогенизации компонентов и печи для терморегулируемого синтеза, 2 табл. Иодометрическое определение с помощью К 1 показывает, что полуфабрикат насыщен кислородом. Отжиг полуфабриката в течение 10 мин на воздухе при 900 С приводит к образованию соединения У 1 Ва 2 Соз 06,75, Температура сверхпроводящего перехода данного соединения Т, 90 К. Ее измеряют путем снятия зависимости магнитной восприимчивости от температуры.В табл. 1 представлены экспериментальные результаты зависимости продолжительности синтеза и электрофизических параметров материала от температур растворения компонентов ВТСП-материала и разложения раствора в расплаве.Как следует иэ приведенных в табл, 1 результатов, оптимальная температура при растворении...

Номер патента: 1738104

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Марица, Петер

МПК: H01L 39/24

Метки: планарного, сверхпроводящего, типа, устройства

...известным способом, например посредством нанесения на слой кремния слоя фоторезистивного покрытия,облучения укаэанного фоторезистора светом через маску с последующим его проявлением, вслед за чем проводят местное удаление слоя кремния посредством травления,Затем наносят слой окисного материала (композиция УВа 2 Сцз 06,7), например посредством напыления в вакууме; выдерживая подложку при 850 С. В области вырезов нанесенный слой является, сверхпроводящим при температуре примерно 90 К, а в области нахождения слоя кремния нанесенный слой не обладает свойством сверхпроводимости при указанной температуреПри необходимости окисный сверхпроводящий слой в дальнейшем может быть покрыт защитным слоем для сведения к минимуму воздействия...

Номер патента: 1738757

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Башмаков, Бойко, Капуцкий, Матвеев, Новиков, Соловьева, Тихонова

МПК: C01F 17/00, C01G 3/00, C04B 35/00 ...

Метки: бария, волокна, иттрия, куприта, основе, сверхпроводящего

...загружаютв кварцевую пробирку, снабженную клапаном Бюнзена, препятствующим попаданиюв пробирку воздуха и обеспечивающим выход газообразных продуктов пиролиза, и нагревают до 450 С со скоростью 3 град/мин,Затем клапан отсоединяют и продолжаютТ, С, нагрева в парогазовой смеси ММ п.п с, А/см 77 КТс,К Ва Вс см 0,082 0,082 0,082 0,082 0,082 0,115 0,120 0,120 0,130 0,135 500 500 500 500 500 0,063 0,063 0,063 0,063 0,063 70 92 92 92 88 1,0 0,3 0,2 0,2 0,2 7 101,0 103,8 10 0,125 0,125 0,125 0,125 0,125 0,125 0,125 0,125 0,125 0,125 0,125 0,063 0,063 0,063 0,063 0,055 0,060 0,065 0,063 0,063 0,063 0,063 85 92 92 70 85 92 92 88 92 92 90 92 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 Прототип 500 500 500 500 500 500 500 400 450 600 650 0,075 0,080 0,085 0,090...

Номер патента: 1095863

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Евдокимова, Козинцев, Новокшонов, Хлыбов

МПК: H01L 39/24

Метки: основе, сверхпроводящего

...за его сверхпроводящие свойства Р -Фаза состава КЬз(А, М) сосуществует с а -Фазой - твердым раствором на основе ниобия, о-фазой - соединением ВЬЮГА, М) и соединением МЬ(А, М)з.Использование давлений меньших ЗО кбар приводит к понижению температуры сверхпроводящего перехода материала; верхний предел давления обусловлен возможностями аппаратуры высокого давления, Синтез при температурах меньших 1600 С дает материал с низкими сверхпроводящими характеристиками; синтез при температурах, превышающих 1750 С, приводит к охрупчиванию материала, Экспериментально показано, что выбранные пределы зернистости исходных компонентов обеспечивают однородность смесей по всему обьему,Временные пределы синтеза обусловлены тем, что использование...

Номер патента: 1414251

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Дубицкий, Нарожный, Семенова, Степанов, Яковлев

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: сверхпроводящего

...1200-1900 С выбирают н связи с тем, что ниже 10 кБар и Т сс 1200 С не получают образцы материала достаточной прочности, давление ньнпе 85 кБар и Т ) 1900 С использовать нецелесообразно, так как не наблюдаетсл значительного улучшения свойств образцов, а материальные затраты на аппараты высокого давления возрастаютСпособ осущестгшяют в течение 1-3 мин, Могут быть использованы известные камеры высокого давления, на которых создают требуемые давления и температуры, например типа цилиндр- поршень, тороид.Калибровку камер по давлению производят известным методом, используя реперные металлы. Вг 1-11 - 25 нБарф Ва - .55 кБар, Вг Ч-ЧИ. - 77 кБар; Бп - 100 кБар, Градуиронку камер по температуре проводят по известной методике с использованием...

Номер патента: 1794057

Опубликовано: 07.02.1993

Автор: Джон

МПК: C01F 17/00, C04B 35/00, H01L 39/24 ...

Метки: сверхпроводящего, соединения

...иттрия (135.5 мл, 0,075 моль У) соединяют с 511,2 мл водного раствора нитрита бария (0,15 моль Ва) и 108,3 мл водного раствора азотнокислой меди (0,225 моль Сц), Комбинированный раствор нитрата добавляют по капле в 750 мл раствор 1 М щавелевой кислоты (примерно 1,5 раза стехиометрического количества, требуемогодля превращения . всех металлов в оксалаты), в результате образуется осадок голубого цвета. Полученную суспензию хорошо перемешивают и сушат распылением для получения тонкого1794057 Составитель Э.ВетроваТехред М.Моргентал Корректор Л.Лукач Редактор Заказ 523 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент",...

Номер патента: 1813719

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Балашов, Кирдяшкин, Максимов, Мержанов

МПК: C01F 11/00, C01G 29/00, C01G 3/00 ...

Метки: висмутсодержащего, сверхпроводящего

...высокотемпературного синтеза (СВС), подводят вольфрамовую спираль и инициируют волну горения в смеси исходных компонентов под давлением 0,05 - 6,0 МПа, После осу ществления реакции и охлаждения готового продукта проводят анализ ега состава, определяат дисперсность и форму частиц, сверхпроводящие характеристики;В качестве исходных реагентов используют порошки сульфидов и окислителя марок "ч", "хч" и "осч".Использование сульфидов висмута, стронция, кальция, меди или указанных сульфидов с добавками из ряда свинец, олово, их нитратц или сульфидц в смеси с окислителем позволяет получить экзотермическую смесь со значительным тепловыделением,Температура во фронте волны горения после инициирования экзосмеси выше температуры плавления...

Номер патента: 1579368

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Желамский, Трохачев, Якубовский

МПК: H01L 39/02

Метки: защиты, магнита, нормальное, переходе, сверхпроводящего, состояние

...устранения перехода ненагреваечае появления нормальной фазы в одной из ".5 мых секций в нормальное состояние необсекций, ходимо выполнить условие:Устройство работает следующим обра- с+п 1 к или Ьп Лз, зом, для чего необходимо уменьшить связь меж-.При появлении нормальной фазы в од- ду секциями или увеличить их число, что ной иэсекций магнита его обмотка отключа определяется в каждом конкретном случае ется от источника питания и иэ всех секций отдельно, ,начинается выведение энергии с малой ско- Второй возможный механизм нежеларостью. Одновременно с этим в секции, в тельного появления нормальной фазы в некоторой обнаружена нормальная фаза, нагреваемых секциях - влияние скорости включается нагреватель, которыЙ перево изменения магнитного...

Номер патента: 1443598

Опубликовано: 07.06.1993

Автор: Самарский

МПК: G01R 33/035

Метки: балансировки, градиентометра, сверхпроводящего

...антенны по известной методике, Производится предварительное определение диаметра балапсировочного элемента 5, выпол ненного, например, в виде сверхпроводящего диска, размеры которого выбираются с учетом его критического поля, Изготавливается соответствующий диск, например, иэ свинцовой Фольги и крепится, например, с помощью клея на держатель 3, который затем посредством тяги б устанавливается в посадочное место, например гнездо, выполненное в корпусе градиентометра, и вблизи приемного витка 2, где уцерживается пружиной 4 инаправляющими и опорной плоскостями 5корпуса 1. Затеи определяется астатизм, измененный балансировочным элементом 5, исходя из которого принимается рещение об изменении размерабалансировочного элемента с целью 1...

Номер патента: 1831470

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Готаро, Масаси, Такаси, Тецуа

МПК: C04B 35/00, H01L 39/12

Метки: керамического, провода, сверхпроводящего

...образом, что тепловая обработка выполняется по отношениюк проводу, который сдавливается, на путисдавливания, или в течение сдавливания. Такая комбинированная обработка может быть повторена несколько раз и позволяет существенно повысить плотность тока Тс полученного све рхпроводимого керамического провода,Согласно изобретению устранены недостатки известного уровня техники, То есть,стадия плавление-охлаждение позволяет получить длинный стеклянный провод, обладающий целостностью, желаемым размером, например, желаемой толщиной, хорошей эластичностью и возможностью работы с ним. Тепловая обработка может выполняться в атмосфере, в которую кисломожет свободно выходить, следовательно, это предотвращает недостаточность. атомов кислорода в...

Номер патента: 1834878

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Балашов, Максимов

МПК: C04B 35/00, C04B 35/50

Метки: сверхпроводящего

...Тп ( аСз) = 855 ОС, которая способствует поддержанию необходимого равновесного количества кислорода, Посла отмывки в этиловом спирте поверхность целевого материала или изделия ровная и гладкая.В качестве исходных использовались реагенты марки "ч", "хч" и "осч", Использо вание сульфидов меди, РЗМ, в том числе скандия и иттрия, пероксидов и нитратов щелочноземельных металлов в смеси с окислителем позволяет получать экзотермическую смесь с тепловыделением, достаточным для поддаржания температуры горения на уровне температуры плавления 980-1060 С конечного продукта. Получение сверхпроводящего плавленого материала .пМегСцзОх в режиме горения осуществляется по реакции 0,5.пгЯз+ СцгЯ+ СцО+ МеОг+ Ме(ИОз)г+ + л(СОд)з -ф .пМегСцзО+пСз+ ЯОг+ ИО...

Номер патента: 1838242

Опубликовано: 30.08.1993

Автор: Юджин

МПК: C01F 17/00, C04B 35/00, H01L 39/24 ...

Метки: сверхпроводящего, соединения

...химия, синтез сверхпроводящих оксидных материалов. Сущность изобретения; нитрат бария, оксид меди и оксид иттрия или редкоземельного элемента смешивают и измельчают в агатовой ступке, Полученный порошок прессуют в диски. Диск помещают в печь, нагревают до 900 С, выдерживают 30 мин и охлаждают до температуры окружающей среды,продукта. Рентгенограмма показывает; чтопродукт - УВа 2 СцзОх с орторомбическойсимметрией содержит очень небольшое количество У 2 ВаСцОБ и ВаСц 02 в качествепримесей, Материал показывает эффектМейсснера при температуре примерно 90 К,указывая таким образом на температуру пе- Брехода в серхпроводящее состояние, равную примерно 90 К.Получены и другие сверхпроводящиематериалы общей формулы МВа 2 Сц 20 х, гдеМ -У, йб, Зе,...

Номер патента: 1464697

Опубликовано: 15.10.1993

Автор: Желамский

МПК: G01R 33/12

Метки: диагностики, импульсного, магнита, нормальной, обмотке, сверхпроводящего, фазы

...времени от начала выведения тока, через который необходимоизменять скомпенсированное напряжение.Скорость заведения может быть определена дифференцированием сигнала с измерительного шунта в силовой цепи СМС, с помощью калиброванного пояса Роговского,по величине реактивного напряжения на обмотке СМС либо расчетным путем, Момент5 срабатывания защиты СМС при появлениинормальной фазы определяют,цля фиксации начала выведения энергии из обмотки,Затем измеряют скорость защитного выведения тока из обмотки СМС после срабаты"О ваниа защиты, например,. по величинереактивного напряжения на обмотке, Измерение проводят для определения момента,в который необходимо измерить скомпенсированное напряжение на обмотке СМС.16 Скомпенсированное...

Номер патента: 1526290

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Воронов, Космына, Некрасов, Семиноженко, Ткаченко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...материала с высокой плотностью. При этом обеспечивается увеличение размеров материала за счет разращивания слоя по диаметру и толщине, Материал представляет собой монолитную массу, состоящую из кристаллов размерами 30-50 мкм, которая в целом обладает сверхпроводящими свойствами, Концентрация основного вещества в материале составляет 95-97.Прекращение процесса кристаллизации при 1200-1210 С и извлечение материала из расплава (слой, образованный на поверхности, еще не примерз к стенкам тигля) обеспечивает целостность размеров поликристаллического материала, так как при этом исключается операция выбивания и отделения этого слоя материала от застывшего раствора - расплава.Размеры поликристаллического слитка составляат: диаметр 15 мм,...

Номер патента: 2004043

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Кусков, Кускова

МПК: H02J 3/28

Метки: накопителя, отвода, сверхпроводящего, энергии

...сверхпроводимости на участках И и АД с необходимой частотой,В результате при сохранении без изменения направления тока в основном контуФормула изобретения СПОСОБ ОТВОДА ЭНЕРГИИ ИЗ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО НАКОПИТЕЛЯ ЭНЕРГИИ, в котором отвод энергии на нагрузку осуществляется в момент прерывания основного сверхпроводящего контура прерывателем сверхпроводимости через ре накопителя, например АБВГ и АБВД - впараллельном, происходит изменение направления тока на общем участке шунтирующих перемычек ГД, т.е. послекратковременного срабатывания (прерывания и восстановления сверхпроводимости)прерывателя К 1 ток идет по пути АБВГДА ипараллельно - по АБВДА, а после срабатывания прерывателя К 2 ток идет по пути АБ"0 ВДГА и параллельно - по АБВГА. При...

Номер патента: 1581017

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Вейнгер, Казаков, Хейфец

МПК: G01N 27/72

Метки: анализа, сверхпроводящего

СПОСОБ АНАЛИЗА СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА, включающий воздействие на исследуемый образец постоянным магнитным полем с изменяющейся напряженностью, уменьшение температуры образца до появления зависимости характеристического параметра от напряженности постоянного магнитного поля, регистрацию критической температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности и расширения функциональных возможностей способа, одновременно с воздействием постоянным магнитным полем на исследуемый образец воздействуют СВЧ-излучением, в качестве характеристического параметра выбирают интенсивность поглощения СВЧ-излучения, затем определяют род сверхроводящего материала, при этом при наличии разрыва на зависимости интенсивности поглощения СВЧ-излучения...

Номер патента: 1349574

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Барабанов, Клименко, Новиков, Серегин, Токарев

МПК: H01B 12/00

Метки: провода, сверхпроводящего, твистирования, шага

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ШАГА ТВИСТИРОВАНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ПРОВОДА, при котором на контролируемом участке движущегося с постоянной скоростью сверхпроводящего провода в нормальных условиях создают электромагнитное поле, измеряют электрофизический параметр провода и по его величине делают вывод о величине шага твистирования, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, через контролируемый участок сверхпроводящего провода пропускают электрический ток, в качестве измеряемого электрофизического параметра используют величину возникающего при этом магнитного потока, направленного вдоль оси провода, и шаг твистирования рассчитывают из соотношенияФ =

Номер патента: 1349579

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Акопян, Мымриков

МПК: H01F 7/22

Метки: защиты, магнита, сверхпроводящего

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЫ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАГНИТА, содержащее дифференциальный усилитель, выход которого через компаратор подключен к исполнительному органу, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности защиты сверхпроводящего магнита при запитке его гармоническим током, в него введены высоковольтный делитель, датчик тока, усилитель, фазовращатель и выпрямитель, причем первый вход дифференциального усилителя через высоковольтный делитель подключен к выводам сверхпроводящего магнита, второй вход дифференциального усилителя через последовательно соединенные фазовращатель и усилитель подключен к датчику тока, а выход дифференциального усилителя соединен с входом компаратора через последовательно включенный выпрямитель.

Номер патента: 1384138

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Акопян, Мымриков

МПК: H01L 39/20

Метки: ключа, сверхпроводящего, состоянием, фазовым

УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ ФАЗОВЫМ СОСТОЯНИЕМ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО КЛЮЧА, состоящее из двух импульсных источников тока и коммутатора с входом управления, причем два одноименных полюса импульсных источников питания соединены с выводами сверхпроводящего ключа, а его средняя точка соединена через коммутатор с другими одноименными полюсами импульсных источников тока, отличающееся тем, что, с целью увеличения частоты переключения и ее регулирования, в него дополнительно введены регулируемая схема задержки и блок управления, а коммутатор снабжен вторым входом управления, причем блок управления соединен с первым управляющим входом коммутатора и входом схемы задержки, а ее выход соединен с вторым управляющим входом коммутатора.

Номер патента: 1623511

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Акопян, Бурсиков, Мымриков, Трохачев

МПК: H01L 39/16

Метки: ключа, нормальное, перевода, сверхпроводящего, состояние

...до критического значения наведенный в ключе ток. 25На фиг. 1 изображена развертка токонесущего элемента сверхпроводящего ключа; на фиг, 2 и 3 - конструкция сверхпроводящего ключа; на фиг, 4 - принципиальная схема сверхпроводящего ключа; на фиг. 5 - 30 временные диаграммы работы ключа.Сверхпроводящий ключ состоит иэ токонесущего элемента 1, выполненного в виде состоящего из двух ветвей замкнутого сверхпроводящего контура, сложенного би филярно пополам по лини сгиба, цилиндрического каркаса 2, имеющего продольную щель, на котором намотан бифилярно сложенный токонесущий элемент 1, причем середина его заведена в продольную щель, 40 двух сверхпроводящих перемычек 3, подсоединенных параллельно половинкам обеих нормальное состояние,...

Номер патента: 1589979

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Бурсиков, Мымриков

МПК: H02H 7/00

Метки: защиты, магнита, сверхпроводящего

СПОСОБ ЗАЩИТЫ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАГНИТА, заключающийся в том, что выявляют сигнал нормальной фазы со сверхпроводящего магнита, производят защитный вывод энергии из магнита, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности защиты сверхпроводящего магнита путем исключения высокого напряжения в выявленном сигнале нормальной фазы, выявленный сигнал нормальной фазы запоминают, прекращают выявление нормальной фазы, задерживают выявленный сигнал нормальной фазы по времени, после чего производят защитный вывод энергии из магнита.

Номер патента: 1829812

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Возный, Галушко, Горбик, Дякин, Лавандовский, Левченко, Огенко, Чуйко, Янчевский

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...прессования, Прессование смеси осуществляли в пресс-форме с регулируемым обогревом на установке, позволяющей многократно автоматически воспроизводить температурно-временной режим нагрева, выдержку температуры пресс-формы при заданной температуре и охлаждение. После прессования определяли относительную магнитную восприимчивость полученных образцов ВТСП с помощью автодинной методики на частоте 1 кГц, Измеряли мнимую часть поверхностного импеданса ВТСП образцов, которая прямо пропорциональна магнитной восприимчивости.П р и м е р 1. 16 г порошка ВТСП формулы (РЬхВ 1-х)2 Са 23 г 2 СизОу и 4 г порошка ПХТФЭ после прибавления этилового спирта до полного смачивания смеси перемешивали при комнатной температуре до испарения спирта. Затем...

Номер патента: 1792187

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Воронков, Комаров, Круглов, Мелехин, Нигматулин, Новиков, Пегов

МПК: H01B 12/00

Метки: bi-металлоксида, композиционной, проволоки, сверхпроводящего

...0 0Однако данный способ получения проволоки является технологически сложным и дорогостоящим, т.к, для его осуществления необходимо использовать серебряные трубки, Полученные изделия имеют температуру перехода в сверхпроводящев состояние Тца-о)=85 К,Целью изобретения является упрощение технологического процесса, удешевление изделия путем исключения драгметаллов и повышение сверхпроводящих свойств путем обеспечения требуемого содержания кислорода в готовом иэделии;Цель достигается тем, что в способе из готовления проволоки из сверхпроводящего материала, включающего приготовление шихты, синтез соединения, помещение порошка в металлическую трубку, прокатку и термическую обработку, в шихту дополни тельно вводят оксиды свинца или...

Номер патента: 1793669

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Балашов, Максимов, Мержанов

МПК: C04B 35/00, C04B 35/50

Метки: сверхпроводящего

...образованием газообразного продукта 502. Введение оксидов меди и щелочноземельного металла понижает удельное тепловыделение системы до образования не более ЗО об. жидкой фазы, Присутствие .пероксида щелочноземельного металла (с температурой плавления около 450 С и разложением в интервале 600-800 С) обеспечивает наличие жидкой фазы в зоне прогрева перед фронтом волны горения, что способствует сохранению заданной формы изделия в процессе сйнтеза. Температура во фронте волны горения близка к температуре образования жидкой фазы ВТСП, но количество жидкой фазы для заявленных компонентовне превышает 30 об. Оь от общего объема целевого материала, Выделяющийся газообразный 302 при горении(окислении) сульфида с окислителем пронизывает...

Номер патента: 1757360

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Гришин, Мезин, Старостюк

МПК: H01B 12/00

Метки: yba2cu3o7-x, высокотемпературного, порошка, сверхпроводящего, соединения, типа

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ПОРОШКА СОЕДИНЕНИЯ ТИПА YBa2Cu3O7-x, при котором растворяют в азотной кислоте взятые в стехиометрическом соотношении компоненты соединения, упаривают азотно-кислый раствор, полученный продукт упаривания растворяют в воде, упаривают водный раствор до получения сухого остатка и проводят термообработку до образования соединения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества соединения путем обеспечения высоких дисперсности порошка, температуры сверхпроводящего перехода, доли сверхпроводящей фазы и однородности в широком интервале температур синтеза при одновременном упрощении процесса получения, указанную термообработку производят нагревом сухого...

Номер патента: 1793811

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Гасумянц, Казьмин, Кайданов

МПК: H01B 12/00, H01L 39/24

Метки: yba2cu3o7, керамики, критической, перехода, сверхпроводящего, температуры

...что, во-первых, достаточно сложно и трудоемко, а во-вторых, частично разрушает образец.Целью изобретения является упрощение и повышение точности за счет локальных измерений,Сущность способа заключается в том, что для определения величины Тс керамик ЧВа 2 Соз 07-д предлагается пользоваться установленной корреляционной зависимостью между значением Тс и а(Т = 300 К) для этих керамик и, измерив значение при комнатной температуре любым известным способом определять величину Тс по этой зависимости. Этот способ значительно проще и быстрее в исполнении (для проведения 25 измерений требуется наличие лишь нагревательного элемента, термопары и микро- вольтметра для регистрации величины сигналов, а сам процесс проведения измерений занимает 1 - 2...

Номер патента: 1828303

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Воробьева, Горшков, Калинин, Макаров, Шиков

МПК: H01B 12/00

Метки: сверхпроводящего, стабилизированного, токонесущего, элемента

...указанных ранее,После окончания электроосаждения меди осуществляют промывку СТНЭ в ванне с горячей водой и сушку на воздухе.Полученный СТНЭ калибруют на конечный размер прокатки в гладких валках или волочения, пропуская токонесущий элемент через фильеру прямоугольного сечения.Диффузионный отжиг СТНЭ для создания в его сечении интерметаллида МЬ Яп проводят в вакууме при остаточном давле1828303 Эксплуатационные характеристики СТНЭ, измеренные на 10 партиях нии 1 10 к мм рт,ст, (создание более глубокого вакуума в отжиговых печах больших рабочих объемов не обеспечивается действующим промышленным оборудованием) или в атмосфере инертного газа (гелий. аргон),Для сравнения предлагаемого способа с прототипом проводили изготовление СТНЭ в...

Номер патента: 1537049

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Ипатов, Новикова, Рычагов, Свалов, Сытников

МПК: H01B 12/00

Метки: провода, сверхпроводящего, стабилизированного

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТАБИЛИЗИРОВАННОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ПРОВОДА, включающий введение проводника в продольной паз стабилизирующего элемента прямоугольной формы, соединение их пайкой легкоплавким припоем и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения качества провода путем исключения непропаянных участков между проводником и стабилизирующим элементом, проводник и стабилизирующий элемент пропускают раздельно в вертикальной плоскости через расплав припоя, введение проводника в паз стабилизрующего элемента и их соединение осуществляют на выходе из расплава путем пропускания их через фильеру при обжатии стабилизирующего элемента на 5 - 15%, а охлаждение проводят после выхода из фильеры локально до температуры на 50 - 140oС...

Номер патента: 1826463

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Булышев, Селявко, Серых, Шнейдер

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...материала с максимальным количеством фазы В 1-2223 методом твердофаэного синтеза. Поставленная цель достигается тем, что в способе, включающем приготовление исходного состава из оксидов В 1, РЬ, Сц и карбонатов Зг, Са, синтез и отжиг при 840-850 С в течение 50 ч, используют шихту, в стехиометрическом соотношении соответствующую составу ВИ,еРЬо,Саг+5 гг-хСцзОю, где 0,35 х0,4.Способ осуществляют следующим образом.Используется исходный состав шихты В,оРЬ 0,4 Саг+хЗгг-хСцэ 01 о, где 0,35 х (0,4,Формула изобретенияСПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА, включающего фазу В 1- 2223, путем приготовления шихты из оксидов В 1, РЬ, Сц и карбонатов Яг, Са, синтеза и отжига при 840 - 850 С. который предваригельно...

Номер патента: 1826462

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Булышев, Селявко, Шнейдер

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...на дифрактометреДРОН-ЗМ Д Сц-К Ка) показывает, что онина 95 состоят из фазы В 1-2223,20 По сравнению с прототипом, предлагаемый способ позволяет оптимизировать процесс и получить сверхпроводящий материал, содержанием до 95 офазу В 1-2223.25 Формула изобретенияСПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО 30 МАТЕРИАЛА В 11,вРЬ 0,4 Са 2 Яг 2 Сц 2 010, включающий приготовление шихты из исходных соединений, синтез, охлаждение и последующий отжиг и ри 840- 860 С, отличающийся тем, что, с целью35 Составитель С. ПашковаТехред М.Моргентал Корректор О. Густи Редактор С, Кулакова Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Заказ 83 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород,...