Способ получения высокотемпературного сверхпроводящего материала

Номер патента: 1705238

Авторы: Струкова, Туранов

ZIP архив

Текст

ГОк 33 СОЛЕ ТСКИХСОПИИЛИСТИЧЕСКИХРГСГ 1 УЬЛИК ВЕННЫИ КОМИТЕТТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯССР ОСУДИ О ИЭО РИ ГК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ ДЕТЕЛЬСТВУ РС КОМУ(54) СПОС ПЕРАТУР МАТЕРИА (57) Изобр получения сится к способам ературного сверхова и А.Н.Туранов (088.8)ет а. Вой зорегсопбос 1 гчту аг е-ржаве оху 9 еп-бейсепт УСоз 09 - д; РЬуз, геч. ецегз, 58, р. 1676-1679,Б ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГОАетение отно высокотемп Изобретение относится к неорганической химии, а именно к способам получения высокотемпературного сверхпроводящего материала на основе многокомпонентных медьсодержащих оксидов, и может быть использовано при производстве изделий и устройств из высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП),Цель изобретения - ускорение и упрощение процесса.П р и м е р. В кварцевый тигель помещают 4 г МНМОз и расплавляют в муфельной печи при 169 С. В расплаве растворяют все компоненты ВТСП-материала, г; У 1 Ва 2 Соз 07-х-СцО 1,75; У 20 э 0,8181; ВаО 2.4536. Прозрачность расплава указывает на полное растворение исходных оксидов металлов, Далее расплав нагревают до 210 С, при этом расплав разлагается, образуя черный сухой порошок полуфабриката. 5 Ц 17052 5 С 01 Е 17/00, С 01 0 29/О проводящего материала и мсжет быть использовано при производстве изделий и устройств из высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) с целью ускорения и упрощения процесса, Для этого в расплаве нитрата аммония растворяют при 169-190 С компоненты ВТСП-материала (оксиды, нитраты, пероксид бария). При 220-260 С разлагают раствор компонентов ВТСП в расплаве нитрата аммония до получения черного сухого порошка, который затем отжигают на воздухе в течение 10-30 мин и получают сверхпроводящий материал. Продолжительность синтеза значительно сокращается. При получении не нужны мельницы для гомогенизации компонентов и печи для терморегулируемого синтеза, 2 табл. Иодометрическое определение с помощью К 1 показывает, что полуфабрикат насыщен кислородом. Отжиг полуфабриката в течение 10 мин на воздухе при 900 С приводит к образованию соединения У 1 Ва 2 Соз 06,75, Температура сверхпроводящего перехода данного соединения Т, 90 К. Ее измеряют путем снятия зависимости магнитной восприимчивости от температуры.В табл. 1 представлены экспериментальные результаты зависимости продолжительности синтеза и электрофизических параметров материала от температур растворения компонентов ВТСП-материала и разложения раствора в расплаве.Как следует иэ приведенных в табл, 1 результатов, оптимальная температура при растворении компонентов шихты (оксидов, нитратов металлов, пероксида бария) 16987-92 0,55 280 180 190 С, а температура разложения раствора в расплаве 220-260 С.В табл. 2 представлены экспериментальные результаты зависимости электро- физических параметров ВТСП-материала от времени отжига,порошка, полученного разложением раствора компонентов в расплаве ИНдйОз.Оптимальное время отжига 10-30 мин.Предлагаемым способом могут быть получены ВТСП-материалы на основе редкоземельных металлов и иттрия, а также висмутовые сверхпроводящие материалы,Продолжительность процесса получения ВТСП-материала сокращается с 1-4 сут до 1 ч. В процессе гомогенизации компонентов не нужны мельницы. При отжиге полуфабриката не нужны печи с управляемыми терморегуляторами и кислороднымдутьем. Формула изобретения 5 Способ получения высокотемпературного сверхпроводящего материала, включающий гомогенизацию исходных компонентов, термообработку полученной смеси и насыщение кислородом, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью ускоренияпроцесса и его упрощения, гомогениэацию исходных компонентов проводят растворением в расплаве нитрата аммония при 169- 190 С с последующим разложением 15 раствора в расплаве при 220-260 С, а термообработку и насыщение кислородом ведут путем отжига полученной смеси на воздухе в течение 10-30 мин. Характеристика материа- Примечание ла Усложняется смешение Процесс управляем То же Разложениее расплава Замедленное разложение,Процесс управляем То же1705238 Таблица 2Составитель М,БондаренкоРедактор М.Петрова Техред М.Моргентал Корректор Т,Пали Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужго л.Гагарина, 101 Заказ 165 ТиражПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5

Смотреть

Заявка

4752616, 02.11.1989

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА АН СССР

СТРУКОВА ГАЛИНА КУЗЬМИНИЧНА, ТУРАНОВ АЛЕКСАНДР НИКОЛАЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: C01F 17/00, C01G 29/00

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

Опубликовано: 15.01.1992

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1705238-sposob-polucheniya-vysokotemperaturnogo-sverkhprovodyashhego-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения высокотемпературного сверхпроводящего материала</a>

Похожие патенты