Патенты с меткой «схема»

Номер патента: 1775607

Опубликовано: 15.11.1992

Автор: Черкасов

МПК: G01D 5/24

Метки: дифференциально-емкостная, измерительная, схема

...1-ЧД 4 и конденсаторах СЗ-С 6, нагрукенные на резисторы В 1, В 2, включенные между первым и вторым выходами генератора высокочастотного напря 5 10 15 20 25 30 35 40 45 5055 жения Ги двумя выводами нагруэочнаго резистора Яд, С нагрузочным резистором Яд связаны усилитель У, электродвигатель М, источник постоянного напряжения Е, компенсационный резистор Як и резистор Вз.Схема работаег следующим образом, Переменные высокочастотные напряжения на емкостях конденсаторов С 1 и Сг выпрямляются с удвоением напряжения так, что при С 1 = Сг = С постоянные напряжения на резисторах В 1 и Я 2 равны по величине и противофазны, в итоге напряжения на нагрузочном резисторе Яц равно нулю, При изменении емкостей конденсаторов С 1 и С 2 в противофазе на...

Номер патента: 1776864

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Власов, Рымонов, Чумаков, Швед

МПК: F02N 11/08

Метки: внутреннего, двигателя, пуска, сгорания, схема, электростартерного

...нем по мере раскрутки увеличивается. Затеи (по истечении выдержки времени реле 24) появляется сигнал на выходе 14 блока 6 управления, поступающий на управляющий вход 11 первого коммутирующего устройства 4, которое, срабатывая, переключает аккумуляторные батареи 2, 3 с параллельного соединения на последовательное соединение, что вызывает просадку напряжения на положительном полюсе 18 первой батареи 2 до величины О 1, Однако напряжение на положительном полюсе 19 второй батареи 3, от которой через размыкающий контакт 26 третьего коммутирующего устройства 9 запитана цепь 8 питания пусковых устройств, увеличится до величины 02 за счет последовательного соединения батарей 2 и 3, что обеспечит надежную работу пусковых устройств. Раскрутка...

Номер патента: 1780188

Опубликовано: 07.12.1992

Автор: Арутюнян

МПК: H03K 23/00

Метки: коде, пересчетная, схема, фибоначчи

...второй триггер 4 - в режиме записи единицы, так как на его Л-входах присутствуют потенциалы логической единицы соответственно с 5 10 15 20 25 30 35 40 грямого выхода первого тр ггера 3 и с инверсного выхода третьего триггера 5, а на втором его К-входе - нулевой логический потенциал с инверсного выхода первого триггера 3. Третий триггер 5 находится в режигле записи нуля, а четвертый 13 и пятый 14 триггеры - в режиме хранения. Второй тактовый импульс устанавливает на выходе общей схемы код 0100000000(фиг.2), что соответствует десятичному числу 2,Последующие тактовые импульсы приводят к формированию в первом модуле пересчетной схемы определенных кодов, соответствующих десятичным числам ряда натуральных чисел (3,4,5,). Однако...

Номер патента: 1781819

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Белугин, Гарбуз, Коновалов, Опалев

МПК: H03K 19/088

Метки: интегральная, схема

...с общей шиной, база и-р-и транзистора 15 соединена со входом интегральной схемы 16, коллектор - через резистор 17 подключен к общей шине, эмиттер -соединен с базой и-р-п транзистора 18 и улучшает фронты интегральной схемы. Причерез диоды 19 и 20 в прямом включении - этом дополнительный ток, появляющийсяс шиной питания источника отрицательного при переключенииинтегральнойсхемы занапряжения 13, которая через резистор 21 счет зарядовой емкоСти нагрузки протекаетподключена кэмиттерутранзистора 18, кол через диод 12 и транзистор 5 на источниклектор которого соединен с выходом уст- отрицательногонапряжения 13.ройства 11. При уменьшении уровня .напряженияСхема работает следующим образом на входах 2 и 16 соответственно мейее чемНа входы 2 и 16...

Номер патента: 1794430

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Барановский, Левчук, Нагирный, Олещенко, Сушко, Хомяк

МПК: A01M 7/00

Метки: опрыскивателя, схема, штангой

...2 представлены схема управ- скихцилиндров 3,4 складывания штанги или ления штангой опрыскивателя и схема вза- с коммуникациями силового гидравлическоимодействия силового гидравлического го цилиндра 14 коррекции положения штанцилиндра коррекции положения с падве ги. Повышениедавления в коммуникациях В ской штанги,:. или 9 прйводит к срабатыванию редукционСхема управления штангой опрыскива- ных клапанов 10 и 11 и выполнению той или теля содержит силовой гидравлический ци- иной команды гидравлическим цилиндром 1 линдр 1 подъема штанги 2, спаренные подъема штанги,силовые гидравлические цилиндры 3,4 скла Таким образом, подключение к гидравдывания"штанги, к коммуникациям. котОрых лической системе трактора силовых гидрав, б подключен...

Номер патента: 1797727

Опубликовано: 23.02.1993

Автор: Эрнст

МПК: H01H 33/04, H01H 33/16

Метки: коммутации, контакта, схема, тиристор

...помощью размыкающихся с задержкой контактов 3, 4, 5, 6,Перед коммутацией как контакт 1, так иконтакты 3, 4, 5, 6 замкнуты, тиристор 230 находится в непроводящем состоянии,Процесс коммутации инициируется сподводом поджигающего импульса к управляющему электроду тиристора 2, которыйпереводит его в проводящее состояние; уча 35 сток анод-катод становится низкоомным.Непосредственно после этого размыкаетсяконтакт 1, Контакты 3,4,5, 6 являтюся показамкнутыми.В этот момент времени соответствует40 схеме параллельного включения тиристора2 с омическими сопротивлениями 7, 8, 9, 10,Подлежащий коммутации ток протекает1797727 Формула изобретения 1, Схема для коммутации тока с контакта на тиристор, причем тиристор включен параллельно контакту, о т л и ч...

Номер патента: 1798917

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Афиногенов, Голубев

МПК: H03K 19/086

Метки: переключении, схема

...дополнительного транзистора 18 - с базой пя-того 20 дополнительного транзистора и.стретьим входом схемы 22, а коллектор - сколлектором шестого 6 транзистора, базачетвертого 19 дополнительного транзистора соединена со вторым источником опорного напряжения 12, а коллектор - сколлекторами второго 17 и. пятого 20 дополнительных, и третьего 3 транзисторов, эмиттер пятого дополнительного транзистора 20соединен с эмитте ром третьего 3 транзистора.Предложенная схема функционируетследующим образом,На входы схемы 13, 14, 22 подаютсясигналы, соответствующие уровню логического нуля или единицы, В таблице представлены пути протекания токов йервогоисточника тока 9 ( ) и дбполнительного источника тока 21 (2) при различных комбинациях входных...

Номер патента: 1800612

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Арутюнян

МПК: H03K 23/00

Метки: коде, пересчетная, схема, фибоначчи

...10 всех модулей присутствуют нулевые логические потенциалы, а на выхода элементов 2 И-ИЛИ 18 - единичные логические потенциалы, так как на входах его второй структуры И присутствуют единичные логические потенциалы соответственно с второй шины 17 выбора режима, с инверсных выходов первого 1 и второго 2 триггеров и с выхода элемента И-НЕ 20, Единичные логические потенциалы присутствуют также на первом, третьем и четвертом входах третьего элемента И 6 соответственно с второй шины 17 выбора режима и с инверсных выходов первого 1 и второго 2 триггеров. Первый тактовый импульс проходит через элементы И 6, ИЛИ 9 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 и вход 8 переноса третьего и второго модулей и поступает на счетные входы триггеров 1 и 2 всех...

Номер патента: 1316509

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Гусаров, Сульжиц

МПК: H01L 27/092

Метки: интегральная, схема

...дрейфабсолютной погрешности преобразования н конечной точке шкалы/типовой Минимальное время преобразования с гарантией точности преобразования Относительная устойчивость к ВВФ мкВ/С 15 150 600 мкВ/ С 15 мкс относительные единицы. толщина затворного диэлектрика45 нм, эффективная длина канала 9 24,0 мкм для р-канальных транзисторов 1 и 2,1,8 мкм для и-канальных транзисторов,эффективная ширина канала600 мкм дпя р-канальиых транзисторови 2,320 мкм для и-канальных транзисторов 3 и "4пороговые напряжения транзисторови-канальных нагрузочных 0,7,В,и-канальных ключевых 1,0 В,р-канальных активных 1,0 В.Описанная интегральная схема была использована в изготовленной БИС8-разрядного АЦП последовательногоприближения, Имеющаяся...

Номер патента: 1806383

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Григорьева, Крутов, Рапопорт, Савченко

МПК: G01S 3/40, H01Q 25/00

Метки: диаграммообразующая, схема

...фидерной линии с направления а(по отношению к электрической оси первой антенны в плоскости, в которой лежат электрические оси всех антенн, Вследствие этого обеспечивается увеличение коэффициента усиления и упрощение конструкции ДОС.ДОС позволяет формировать многолепестковую ДН при интеграции большого количества антенн, причем количество лучей и их направление в пространстве могут быть выбраны произвольно. Формула изобретения Диаграммообразующая схема, содержащая п входных и Й выходных фидерных линий, и линий задержки и и Й ответвителей, причем входы линий задержки являются входами диаграммообразующей схемы, выходы входных и входы выходных фидерных линий соединены с соответствующими согласованными нагрузками, входные и выходные...

Номер патента: 1806420

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Ефименко, Леоненко, Прибыльский

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, схема

...фиг.З иллюстрируется повышейиекоэффициента усиления В изобретения по сравнению с прототипом. 40Работает интегральная схема следующим образом,Пусть и-р-и-транзистор находится в активном режиме работы. Коллекторный ток слоя 6 с п-р-п-транзистором, базой является область эпитаксиального слоя 6 и-типа проводимости, а коллектором - подложка 5 р-типа проводимости, Когда падение напряжения на последовательном сопротивлении коллектора достигает 0,7 В, открывается рп-р-транзистор, который увеличивает суммарный коэффициент усиления, 3 ил,создает падение напряжения на последовательном сопротивлении коллектора 3, При достаточно большом токе, когда.напряжение на резисторе достигает 0,7 В. р-и-ртранзистор 11 открывается. Его ток эмиттера складывается...

Номер патента: 1806421

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Полторацкий, Решетников, Рычков

МПК: H01L 27/098

Метки: арсенида, галлия, интегральная, основе, схема

...заряда 7,В предлагаемой конструкции емкостьсвязи между электродом 6 и областью 5 азатвора возникает из-за образования барьера Шоттки и, так как при концентрации вобласти 5 а,равной 2 10 см, величина пз18 3при напряжении пробоя контакта ШотткиЧпр = 1 В не более 0,04 мкм. что меньшетолщины области 5 а, то эквивалентная схема структуры металл-полупроводник будеттой, которая дана на рис,2 а с ВАХ шунтирующего диода, представленной на фиг.2 бКанальный транзистор с р-и-переходом, рассмотренным выше, имеет пороговое напрякение %, равное 03 В при Н =0.55 мкм и Чт = - 0,7 В при Н = - 0,7 мкм, т.е,в зависимости от параметра Н, транзисторявляется либо транзистором с индуцированным каналом, либо со встроенным каналом, Причем, поскольку...

Номер патента: 1808148

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Пырченков

МПК: H01L 27/12

Метки: гибридная, интегральная, схема

...кристаллами 3. На выводной рамке 8 находятся планарные контакты 9, сверху устройство закрыто крышкой 10,АЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА изобретения: кристаллы схеы в застывшем расплаве эвсостава, Многослойная анесена над кристаллами по нологии, Металлическая подя шиной питания. 1 ил,В предлагаемои конструкции гибридной интегральной схемы полупроводниковые кристаллы 3, установленные в металлической подложке 2 таким образом, что их лицевая поверхность 5 находится на одном уровне с металлической подложкой 2, образуя монолитную структуру с безрельефной поверхностью, позволяют уменьшить количество планарных операций по созданию многослойной коммутации. что увеличивает надежность устройства. Кроме того, металлическая подложка 2, в которой...

Номер патента: 1812580

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Долич, Иовдальский, Липатова

МПК: H01L 23/00

Метки: гибридная, диапазонов, интегральная, крайневысокочастотного, сверхвысокочастотного, схема

...клея ЭЧЭ-С (ЫУ 0.028,052,ТУ). Посадочная площадка расположена в углублении 6 в подложке 1 и через металлизацию боковой поверхности 7 углубления 6 соединена с проводником технологического рисунка металлизации. Металлизация может представлять собой слоистую структуру, аналогичную приведенной выше, или другую, например химическую металлизацию никелем (или медью) с предварительным активированием поверхности растворами ЯпС 2 и РОС 2 с последующим наращиванием на химически осажденный слой металла гальванических слоев меди, никеля, золота.Устройства работает следующим образом,При подаче сигнала на навесной элемент 4 в одном направлении, например, па проводнику, топалогического рисунка металлизации 2 сигнал проходит к посадочной площадке 3 на...

Номер патента: 1820184

Опубликовано: 07.06.1993

Автор: Камышный

МПК: F42C 19/12

Метки: комбинированного, светового, схема, электрического, электродетонатором

...в направлении, создающим после замыкания ключа 8 запирающее напряжениена диод 8 2,По той Ые причине ток через электроде-тонатор 1 не проходит и при возникновении8 электрической ц 8 пи, соединяющей источ"ник 7 с мостоой схемОЙ, наведенных паразитных напряжений и токов, аконец, потой ие причине тОК чер 83 диаГОналь МОсто" 45вой схемы и, следовательно, через электро-.детонатор 1 не протека дг и приОДНОВРЕМЕННОМ ВОЗД 8 ЙСТВИИ НЗ УСТРОЙСТВОв целом и, сл дОВат 8 льнО, на Все Г 1 лечи МОствой схемы света, ионизирующих излуче Оний, повышенной температуры и т.п.Положение меняется при замыканииключаЯ этом случае импульс светасветоизлучающеГО элемента 1 О по св 8 то"водному кабелю 11 поступает на фоточувствительный элемент 5 (или при...

Номер патента: 1823011

Опубликовано: 23.06.1993

Автор: Петров

МПК: G21C 9/00

Метки: аварийной, защиты, приводов, реактора, схема, удерживающими, электромагнитами, ядерных

...лд эрэметров по которым осуцестнляется защита) т е в нормальном режиме работы реактора. задающий генератор 5 конвертора 3 выдает на вход усилителя 7 задающую частоту Усилитель 7 имеет трансформаторный выход Одна из выходных обмоток трансформатора усилителя 7 запитывает выпрямитель 8, а другая вы прямитель 9, Выходное напряжение выпрямителя 9 держит ключ 4, напримерранзисторный, в открытом состоянии, в результате чего в нормальном режиме работы реактора обмотки удерживающих электромагнитов 1 находятся под током (на фиг 1 в виде примера показаны 2 обмотки).При возникновении аварийной ситу - ции один или несколько датчиков выдают аварийные сигналы, которые вызывают от ключение задающего генератора 5 конвертора 3. В результате исчезает...

Номер патента: 2002342

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Дворников, Любый, Симоненко

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, полупроводниковая, схема

...использовать первые в качестве "нырков"межсоедичений и упростить трассировкумежсоединений. Ориентация низкоомныхрезисторо параллельно сторонам ячейкипозволяет, кроме указанного, мини ллзировать про гяжен ность лежсоединений,Расположение низкосмного и-резисто-ра в р-кармане, к которому сформированоне менее двух омических контактов, позволяет упростить электрическую изоляцию и - 35низкоомного резистора, так какдопускается соединение с самым низкимпотенциалом схемы (группы резисторов)любого наиболее удобно расположенногоомического контакта к р-карману; использовать в качестве высокоомного резисторачасть р-кармана, частично ужатого областью низкоомного резистора.Расположение высокоомных резистооов на р-области и р-карманов низкоомных...

Номер патента: 2003206

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Лифшиц

МПК: H01L 27/00

Метки: затворами, кмоп-интегральная, поликремниевыми, схема

...области подложки и кармана иметаллические шины истоков, параллельные шинам питания,На фиг.1 приведена электрическая схема О-триггера, на примере которой рассматриваются различные конструкции ИС; на фиг.2 - конструкция ИС О-триггера по прототипу, в которой металлические шины питания и межсоединений элементов размещены непосредственно над МОП транзисторами, на фиг.З - та же, в которой ширина МОП транзисторов сделана минимально возможной с целью минимизации тока потребления, шины питания размещены по обе стороны параллельно рядам транзисторов, а межсоединения вдоль рядов транзисторов выполнены с использованием поликремниевых "подныров" под шинами питания; на фиг.4 - та же, в которой ширина транзисторов сделана минимальной. э питание к...

Номер патента: 2004052

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Горячев, Соловьев

МПК: H02M 3/337

Метки: интегральная, ключами, схема, транзисторными

...тз Согр, (США), содержащая выходной каскад из двух одинаковых узлов, первый и второй элементы ИЛИ-НЕ, первый и второй триггеры, генератор, усилитель рассогласования, первый, второй и третий элементы ИЛИ, первый и второй транзисторы, генератор запуска, с первого по шестой компараторы, цепи линейного напряжения, элемент И-НЕ и с первого по шестнадцатый выводы, Известное устройство обеспечивает широтно-импульсное регулирование в схеме двухтактного инвертора на высокой частоте, мягкий запуск. защиту от перегрузок и от провалов напряжения, Частота тактовых импульсов может изменяться с помощью внешних конденсатора и резистора и может синхронизироваться от любого генератора стабильной частоты, Узлы выходного каскада управляются в противофазе...

Номер патента: 1276197

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Аванесов, Ваваев, Китаев, Кузнецов, Манагаров, Пресс

МПК: H01L 27/14

Метки: зарядовой, матричная, связью, схема, фоточувствительная

ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ МАТРИЧНАЯ СХЕМА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащая матрицу фоточувствительных элементов с чередующимися электродами переноса, разделенных высоколегированными участками, расположенными параллельно направлению переноса, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности считывания информации изображения при работе в сканирующих малокадровых телевизионных системах, на фоточувствительной поверхности матрицы размещен экран, по крайней мере однослойный, непрозрачный в рабочей части спектрального диапазона, с окнами, расположенными над фоточувствительными элементами симметрично их центрам, причем размеры окон кратны соответствующим размерам фоточувствительных элементов и меньше половины соответствующего размера фоточувствительного...

Номер патента: 1235421

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Карташев, Корнилов, Кузнецов, Куликов, Хатунцев

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, многоэлементная, связью, схема, фоточувствительная

МНОГОЭЛЕМЕНТНАЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ СХЕМА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащая полупроводниковую подложку с электродами управления и фоточувствительными элементами, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности, над электродами управления и фоточувствительными элементами последовательно размещены изолированные от них слоем диэлектрика прозрачный электропроводящий слой, электролюминесцентная пленка, изолированные друг от друга электроды и слой фотосопротивления, прозрачный электропроводящий слой, пространство между электродами заполнено изолятором, причем электроды и изолятор непрозрачны в области спектральной чувствительности схемы.

Номер патента: 638169

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Григоришин, Дубровенская

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумная, интегральная, схема

1. ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА по авт. св. N 529687, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, на подложке с катодно-подогревательными элементами, напротив консольных навесов по краям сквозных щелей, выполнены дополнительные пленочные щелевые сетки.2. Схема по п.1, отличающаяся тем, что на подложке с анодносеточными элементами под анодами выполнены дополнительные пленочные сетки.

Номер патента: 529687

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Григоришин, Дубровенская, Игнашев, Котова, Кравец, Сурмач

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумная, интегральная, схема

ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая две диэлектрические подложки, на которых выполнены анодно-сеточные и катодноподогревательные узлы активных элементов и пассивные элементы, отличающаяся тем, что, с целью расширения топологических возможностей построения вакуумных интегральных схем и повышения степени их интеграции, по крайней мере, на одной из подложек внутри углублений имеются консольные навесы, на которых, в местах расположения активных элементов, выполнены пленочные щелевые сетки, а аноды активных элементов и пассивные элементы размещены в одной плоскости на дне углублений.

Номер патента: 602040

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Бузников, Головин, Григоришин, Сурмач

МПК: H01J 21/10

Метки: вакуумная, интегральная, схема

ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА по авт. св. N 529687, отличающаяся тем, что, с целью улучщения параметров активных элементов, навесы в местах расположения активных элементов соединены перемычками с нанесенным на них проводящим покрытием.

Номер патента: 1230311

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Борисов, Грищинский, Гурфинкель

МПК: H01L 23/40

Метки: гибридная, интегральная, схема

ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая керамическую подложку, имеющую систему контактов на лицевой поверхности, по крайней мере один полупроводниковый тепловыделяющий кристалл, присоединенный к контактам столбиковыми выводами и имеющий тепловую связь обратной стороны с радиатором посредством металлического теплоотвода, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения теплового сопротивления между кристаллом и радиатором, теплоотвод кристалла имеет П-образную форму с глубиной выемки, равной сумме высот кристалла и контактов подложки, присоединен основанием к подложке и внутренней поверхностью к обратной поверхности кристалла теплопроводным материалом, а теплоотвод, присоединенный к обратной поверхности подложки теплопроводным материалом, имеет...

Номер патента: 1819072

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Дворников, Мац

МПК: H01L 29/73

Метки: интегральная, схема

...так и при инверсном включении, За счет резкого уменьшения площади, по сравнению с прототипом при одновременной защите р-и-переходов и цепи коллектор-эмиттер, в данном решении пропорциойально уменьшаются и значения емкостей эмиттерного и лекторйого р-и-переходов. Это в свою редь обеспечивает увеличение граничной частоты при одновременной защите р-и- переходов и промежутка коллектор-эмиттер основного транзистора.Пример реализации. Нэ полупроводниковой подложке 1 марки КДБ 10 р-типа проводимости толщиной 380 мкм, диаметром 76.0 м:л и ориентацией100 нанесен1819072 Нап яжение и обоя т анзисто а и и токе 1 мкА, В Тип ИС эмиттер-база коллектор-база коллектор-эмиттер Вх=30 кОм Интегральная схема по решению (2) - прототипу Предлагаемая интег...

Номер патента: 1385945

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Акимов, Таран

МПК: H01L 23/52

Метки: интегральная, схема

1. ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, включающая кремниевую подложку со сформированными в ней активными и пассивными элементами, металлическую разводку, контактные площадки или металлические шины и элементы защиты контактных площадок от коррозии, отличающаяся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем повышения надежности защиты контактных площадок от коррозии, элемент защиты контатных площадок от коррозии выполнен в виде металлического кольца шириной h, охватывающего контактные площадки или металлические шины по периметру интегральной схемы и соединенного с i - й контактной площадкой или шиной, имеющей омическое сопротивление Ri с кремниевой подложкой, причем h и Ri выбраны из соотношений

Номер патента: 1667571

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Иовдальский, Темнов

МПК: H01L 23/10

Метки: гибридная, интегральная, схема

Гибридная интегральная схема, содержащая диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации и выемками, в которых с помощью связывающего вещества закреплены полупроводниковые кристаллы, причем поверхность кристаллов с контактными площадками лежит в одной плоскости с поверхностью платы, а контактные площади кристаллов электрически соединены с топологическим рисунком металлизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик и повышения плотности монтажа, выемки в диэлектрической плате выполнены в виде углублений, глубина которых выбрана превышающей на 10 30 мкм толщину кристаллов, закрепленных на дне углублений, а зазоры между стенками каждого углубления и кристаллом выбраны равными 20 - 100 мкм.

Номер патента: 1159466

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Беляев, Вето, Крымко, Манагаров, Пресс

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, многосекционная, связью, схема, фотоэлектрическая

1. Многосекционная фотоэлектрическая схема с зарядовой связью, содержащая несколько устройств коммутации с усилителями, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества передачи изображения за счет взаимной компенсации неоднородностей разрешающей способности сопряженной с ней оптики и фотоэлектрической схемы, секции фоточувствительной матричной схемы расположены с осевой симметрией и каждая фоточувствительная секция в матрице имеет индивидуальное устройство коммутации с усилителем, причем расстояние между секциями матрицы не превышает расстояния между фоточувствительными элементами в секции.2. Схема по п.1, отличающаяся тем, что порядок оси симметрии совпадает с числом фоточувствительных секций матрицы.3. Схема по п.1,...

Номер патента: 1694021

Опубликовано: 20.02.1997

Авторы: Ануфриев, Иовдальский, Молдованов

МПК: H01L 23/00

Метки: гибридная, интегральная, свч, схема

1. Гибридная интегральная схема СВЧ, содержащая металлизированную с двух сторон диэлектрическую плату с рисунком металлизации на лицевой поверхности и по крайней мере с одной монтажной площадкой, расположенной на электро- и теплопроводящих элементах, размещенных в отверстиях платы, теплоотводящее основание, скрепленное с металлизацией обратной стороны платы, и бескорпусные электронные приборы, закрепленные связующим веществом на монтажной площадке и соединенные с рисунком металлизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения условий теплоотвода, снижения массогабаритных характеристик и паразитных электрических параметров, монтажную площадку размещают в металлизированном углублении, при этом расстояние от монтажной площадки до лицевой...