Патенты с меткой «схема»

Номер патента: 1559901

Опубликовано: 27.02.1997

Авторы: Каттель, Чернышов

МПК: G01R 31/333

Метки: аппаратов, высокого, испытания, коммутационных, синтетическая, схема

Синтетическая схема для испытания коммутационных аппаратов высокого напряжения, содержащая источник тока включения, источник напряжения включения, два реактора и коммутатор с коммутирующим элементом, причем первые выводы источников тока и напряжения включения объединены, отличающаяся тем, что, с целью повышения достоверности результатов испытания, надежности и упрощения, в нее введены три конденсатора, причем первый конденсатор подключен параллельно выводам источника тока включения, коммутатор выполнен в виде мостовой схемы, первыми противоположными ветвями которой являются первый и второй реакторы, а вторыми второй и третий конденсаторы, первая диагональ мостовой схемы коммутатора подключена параллельно выводам источника напряжения...

Номер патента: 1559902

Опубликовано: 27.02.1997

Авторы: Каттель, Чернышов

МПК: G01R 31/333

Метки: аппаратов, высокого, испытания, коммутационных, синтетическая, схема

1. Синтетическая схема для испытания коммутационных аппаратов высокого напряжения, содержащая источник тока включения, источник напряжения включения, два реактора и коммутатор с коммутирующим элементом, причем первые выводы источников напряжения и тока включения соединены с первой клеммой для подключения объекта контроля, отличающаяся тем, что, с целью повышения достоверности результатов испытания, надежности и упрощения, в нее введены три конденсатора, причем первый конденсатор подключен параллельно выводам источника тока включения, коммутатор выполнен в виде мостовой схемы, первыми двумя противоположными ветвями которой являются первый и второй реакторы, а вторыми второй и третий конденсаторы, второй вывод источника тока включения через...

Номер патента: 959609

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Зимин, Марочкин

МПК: H05K 1/02

Метки: схема, толстопленочная

1. Толстопленочная схема, содержащая диэлектрическое основание с полупроводниковым материалом на одной стороне и торцовыми пазами, в которых размещены выводы с фиксирующими выступами, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности фиксации выводов, на другой стороне основания выполнены дополнительные пазы для размещения фиксирующих выступов выводов, при этом дополнительные пазы соосны торцовым пазам и соединены с ними.2. Схема по п. 1, отличающаяся тем, что ширина дополнительных пазов меньше ширины торцовых пазов.

Номер патента: 1326142

Опубликовано: 27.01.2003

Авторы: Вето, Ермаков, Китаев

МПК: H01L 27/14

Метки: зарядовой, матричная, связью, схема, фоточувствительная

Фоточувствительная матричная схема с зарядовой связью, содержащая фоточувствительные области, разделенные стоп-каналами, две группы поликремниевых электродов переноса, первая из которых расположена между стоп-каналами, а вторая - перпендикулярно им, образуя окна, свободные от поликремния, отличающаяся тем, что, с целью получения цветного изображения с повышенным качеством цветопередачи путем формирования цветовых каналов и выравнивания их чувствительности, над фоточувствительными областями между стоп-каналами расположены органические цветокодирующие фильтры красного, зеленого и синего цветов, под каждым электродом переноса первой группы дополнительно выполнены два стоп-канала, делящие его...

Номер патента: 1336919

Опубликовано: 27.01.2003

Авторы: Ерусалимчик, Китаев, Сенатова, Ульянов

МПК: H04N 9/07

Метки: изображения, матричная, схема, телевизионного, формирования, фоточувствительная, цветного

Фоточувствительная матричная схема для формирования цветного телевизионного изображения, содержащая матрицу фоточувствительных элементов и оптические фильтрующие элементы на прозрачной подложке, расположенные над фоточувствительными элементами, отличающаяся тем, что, с целью повышения чувствительности и качества цветопередачи, оптические фильтрующие элементы выполнены в виде собирательных линз, оптические оси которых проходят через центры фоточувствительных элементов, а их фокальные плоскости совпадают с плоскостью матрицы.

Номер патента: 1526521

Опубликовано: 10.10.2005

Авторы: Барладян, Мякишев, Ожерельева

МПК: H01L 27/02

Метки: интегральная, свч, схема

Интегральная схема СВЧ, содержащая макрокристалл арсенида галлия с металлизированной нижней поверхностью, на верхней поверхности которого содержатся активные и пассивные элементы, элементы с субмикронными размерами, полевые транзисторы с электродами затвора и стока, соединенными с отрезками микрополосковых линий, и с электродами истока, соединенными с нижней поверхностью через сквозное отверстие, отличающаяся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и уменьшения теплового сопротивления, элементы с субмикронными размерами выполнены по крайней мере на одном отдельном микрокристалле, при этом полевые транзисторы на микрокристалле имеют на всех электродах выступы, расположенные в...