Тестовая структура для контроля удельного сопротивления пленочных резисторов

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИА ЛИСТ ИЧЕСНИРЕСПУБЛИН Н 9) 80)11) 1 0 010 27 ТЕТ С СУД АРСТВЕННЫЙ(54) (57) ТЕСТОВАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ КОНТ- .РОЛЯ УДЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЬИ РЕЭИСТОРОВ,содержащая. подложку,на.которой расположены последовательно соединенные прямоугольные пленоч-.ные основные резисторы с одинаковойдлиной и разной шириной реэистивныхзони.с одинаковыми, контактными пло-:щадками,.о т л и ч а ю щ а я с ятем,.что, с целью расширения функциональных возможностей структуры и снижениятрудоемкости контроля, она снабжена дополнительными пленочными резисторами с равными длинами резистивных зон, последовательно соединенными с основными резисторами, причем размеры резистивных зон основсмежного с ним дополнительносторов связаны следующимениемИзобретение относится к электронной технике, в частности к вопросамконтроля удельного поверхностногосопротивления и определения отклонений рабочей длины и ширины реэистинной зоны пленочных резисторов в процессе изготовления интегральнйх схем(четырехэондовые) структуры для измерения удельного поверхностногосопротивления, имеющие два токовыхи.два потенциальных контакта на поверхности контролируемой резистинной пленки Г 1;)Удельное поверхностное сопротивление определяют на основе измеренийсопротивления структуры по формуле,учитывающей.геометрию расположениязондон..Однако четырехзондовая структура 2 Оимеет недостаточную точность контроля из-за координатной погрешностирасположения зондов. Кроме того,измерительная зона требует использования значительной площади подлож.ки (несколько мм), что затрудняетприменение этих устройств для рабочих пластин с ИС, С другой сторонычетырехзондоная структура не преду. сматривает учет влияния фотолито;графических процессов на формирование границ резистинной зоны, т,е.не обладает достаточной для современных требований информативностью.Более удобным инФормативнымсредством контроля параметрон35пленочных резисторов являются тестовые структуры (ТС), отображающиесвойства рабочих резисторов ИС.Наиболее близкой к предлагаемойпо технической сущности является 40тестовая структура для контроляудельного сопротивления пленочныхрезисторов, содержащая подложку,на которой расположены последовательно соединенные прямоугольные 4резисторы с одинаковой длиной и разной шириной реэистивных зон (2).Удельное сопротивление и отклонение ширины резистинных эон определяют по формулам на основе изМеренийсопротивления этих зон через контактные площадки, Контактными площадкамив этой тестовой структуре являютсявнешние участки резистинной зоны,вынесенные за пределы реэистивнойэоны и предназначенные для контакти.рования с металлическими зондами,Однако эта тестовая структура непредусматривает учета влияния нарезультат контроля особенностейметаллических пленочных контактовв частности отклонений их размеров,что приводит к большой погрешностипри контроле и практически делаетее неприменимой для контроля резисторов, имеющих контактные площадки 65 с контактами на концах резистивных зон,.а такая конструкция пленочных резисторов является в настоящее время основным типовым конструктивно-топологическим вариантом резисторов ИС, поэтому неточность определения рабочей. длины резисторов из-за отклонений размеров контактов не позноляет точно определить удельное сопротивление и отклонение ширины реэистивной эоны и н конечном счете номинал сопротивления рабочих резисторов, а отсутствие данных об отклонениях размеров контактов не позволяет сделать заключение о размерных погрейностях контактов стносительно до. пускон на совмещение слоев во избежание межслойных коротких замыканий, Следовательно, применительно к типовым резисторам ИС известная тестовая структура не обладает достаточной точностью контроля удельного сопротивления и отклонений размеров рабочей ширины реэистивной зоны, а также достаточными функциональными возможностями, так как не позволяет в одном измерительном цикле дополнительно определять отклонение рабочей длины резистинной зоны и размерон контактов в ней.Цель изобретения - расширение функциональных возможностей структуры и снижение трудоемкости контроляПоставленная цель дсстигается тем, что тестовая структура для контроля удельного сопротивления пленочных резисторов, содержащая подложку, на которой расположены последовательно соединенные прямоугольные пленочные основные резисторы с одинаковой длинсй и разной шириной резистинных зон и с одинакоными контактными площадками, снабжена дополнительными пленочными резисторами с равными длинами резистивных зон, последовательно соединен" ными с основными резисторами, причем размеры резистивных зон основного и смежного с ним дополнительного резисторов связаны следующим соотно" шением 2 2Дгде 0,д - длина и ширина резистивнойзоны основных резисторон2)2- длина и ширина резистивнойзона дополнительных резисторон.На фиг. 1 изображена предлагаемая тестовая структура; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг, 1..Тестовая структура" содержит поверхность кремниевой подложки 1, кремниевую подложку 2, слой 3 окисла кремния на поверхности подложки, слой 4 поликристаллического кремния,