Способ контроля параметров полупроводниковой пластины

(71) Воронежский государственный университет им. Ленинского комсомола(56) Брандт А.А, Исследование диэлектриков на СВЧ, М,: Госкомиздат, 1963, с. 40-43,Авторское свидетельство СССРВ 313180, кл. 6 01 К 27/26, 1969,(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ(57) Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения - сокращение времени при обеспечении контроляодновременно по двум параметрам. Способконтроля параметров полупроводниковой Изобретение относится к измерительной технике, в частности к технике бесконтактного измерения параметров полупроводников, и может быть использовано при производстве полупроводниковых материалов, в технологических процессах их разбраковки, сортировки.Цель изобретения - сокращение времени при обеспечении контроля одновременно по двум параметрам,На фиг. 1 приведена структурная эле рическая схема устройства для осуществл ния способа контроля параметр полупроводниковой пластины; на фиг. 2 график зависимости коэффициента отраж ния по мощности СВЧ-сигнала от произ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР.БО 1691722 А 1 пластины реализуется следующим образом, СВЧ-мощность подается на эталонную полупроводниковую пластину(ЭПП), передняя грань которой находится на фиксированном расстояыии от источника излучения. За ЭПП закреплен металлический отражатель (МО). Передвигая МО, устанавливают минимум отраженного СВЧ-сигнал, что соответствует тому, что структура воздух-полупроводник - воздух-металл становится резонансной. Затем ЭПП заменяют на исследуемую так, что ее передняя грань находится на одном и том же расстоянии от источника СВЧ-мощности, что и передняя грань ЭПП. Если удельная проводимость и толщина исследуемого образца соответствуют параметрам ЭПП, то мощность отраженного СВЧ-сигнала не меняется, В противном случае происходит увеличение отраженного сигнала. 2 ил,дения удельной проводимости и толщины полупроводника.Устройства содержит источники СВЧ- излучения, включающий генератор 1 и направленный ответвитель 2 с излучающим концом, исследуемую полупроводниковую пластину 3, металлический отражатель 4, снабженный микрометрической системой передвижения, индикаторный блок 5.Способ контроля параметров полупроводниковой пластины осуществляют следующим образом.СВЧ-мощность от генератора 1 через направленный ответвитель 2 падает на эталонную проводниковую пластину, передняя грань которой находится на фиксированном расстоянии от источника излучения и за 1691722креплена на одном основании с металлическим отражателем 4 и микрометрической системой передвижения. Передвигая металлический отражатель 4, расположенный за эталонной полупроводниковой пластиной, устанавливают минимум отраженного СВЧ-сигнала, наблюдаемого на индикаторном блоке 5. Это соответствует тому, что структура воздух-полупроводник - воздух- металл, образованный металлическим отражателем 4, полупроводниковой пластиной 3 и воздушными промежутками между ними и источником излучения становится резонансной. В этом случае параметры полупроводниковой пластины должны удовлетворять условиям о д = 0,53 10 -агсй Й;- 2 1тцД ЦР д = где о - удельная проводимость материала полупроводниковой пластины (ОМ) " ,б - толщина полупроводниковой пластины, м;е - относительная диэлектрическая проницаемость материала полупроводниковой пластины;- расстояние между полупроводниковой пластиной и металлическим отражателем, м;ф, 3 о - волновое число полупроводника и воздуха соответственно.Затем эталонную полупроводниковую пластину заменяют на исследуемую так, чтобы ее передняя грань находилась на том же расстоянии от источника излучения, что и передняя грань эталонной, Если удельная проводимость и толщина измеряемого образца соответствует эталонной, то мощность отраженного СВЧ-сигнала не меняется, в противном случае. происходит увеличение отраженного сигнала.Предлагаемый способ обеспечиваетвозможность одновременно контролиро вать не только удельную проводимость полупроводника, но и его толщину, что необходимо на начальных стадиях разбраковки полупроводниковых пластин в промышленных условиях, тем самым снижает 10 экономические затраты при контроле полупроводников на оборудовании, так как для контроля удельной проводимости и толщины полупроводника требуется различный набор приборов.15 Формула изобретенияСпособ контроля параметров полупроводниковой пластины, включающий облучение полупроводниковой пластины СВЧ-излучением и прием отраженного сиг нала, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюсокращения времени при обеспечении контроля одновременно подвум параметрам, предварительно облучают СВЧ-излучением эталонную полупроводниковую пластину с 25 известными значениями удельной проводимости и толщины, за которой размещают металлический отражатель, перемещают металлический отражатель до получения минимального значения отраженного сиг нала, затем вместо эталонной полупроводниковой пластины устанавливают исследуемую полупроводниковую пластину так, что расстояние от ее передней грани до источника СВЧ-излучения равно расстоя нию от передней грани эталонной полупроводниковой пластины до источника СВЧ-излучения, и по изменению или неизменности минимального значения отраженного сигнала судят об отклонении или совпадении толщины и удельной проводи мости исследуемой полупроводниковойпластины от эталонной.