Миезитис

Номер патента: 968595

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Арман, Берзин, Медвидь, Миезитис

МПК: G01B 7/16

Метки: кристалла, полупроводникового, формы

...размещают вэлектростатическом поле, направле 40 ние которого перпендикулярно к направлению вектора напряженности магнитного поля, поворачивают кристаллвокруг оси, параллельной направлениювектора напряженности электростати 45 ческого поля на 360 , получают зависимость силы тока от угла поворота кристалла и по ней определяютформу кристалла.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе50 1, мето , неразруш ,щих испыта11 иний. Под ред. Р.,Шарпа. М., Мир1972, с. 82-83.2. Ягудин Г.Х., Шибаев Л.Л.,Пономаренко О. НБесконтактные ме55 год нераэрушаюцего контроля электрофизических параметров полулроводниковых структур, ЦНИИ "Электроника", М., 1973 (прототип). силы тока 3 от угла поворота длякристалла, имеющего форму прямоугольной...

Номер патента: 855557

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Берзин, Левитас, Медвидь, Миезитис

МПК: G01R 33/00

Метки: магниточувствительный, элемент

...21.Однако известный магниточувствительный элемент имеет недостаточнуюстабильность из-за старения поверхности, имеющей минимальную скоростьповерхностной рекомбинации.Цель изобретения - повышение стабильности.Поставленная цель достигается15 тем, что в магниточувствительном элементе, содержащем пластину с двумятоковыми контактами на торцах,пластина выполнена в виде трехуголь,ной призмы, все три боковые грани20 которой имеют области с максимальнойскоростью поверхностной рекомбинацииносителей заряда,На чертеже иэображен магниточувствительный элемент.Магниточувствительный элемент содержит пластину 1, выполненную в виде трехугольной призмы, и два токовыхконтакта на торцах (не пс)казаны).Работа магниточувствительного элеЗО мента основана на том,...