Накопитель для полупроводникового запоминающего устройства

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоцмвлксткческкхРеспублик н 11955202(22) Заявлено 26.11.80 (21) 3235364/18-24с присоединением заявки Ио -М Кп з 6 11 С 11/40 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий(71) Заявитель Московский институт электронной техники(54) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВАИзобретение относится к вычислительной технике и может быть испольфзовано при построении накопителей полупроводниковых запоминающих устройств болыаой информационной емкос 5 ти.Известен полупрОводниковый накопитель, содержащий четырехтранзисторные элементы памяти с инжекционным питанием, инжекторы р-и-р транзисторов соединены с адресной шиной, базы р-и-р транзисторов подключены к противоположным переключающим и-р-и ,транзисторам, эмиттеры и-р-п транзисторов соединены с разрядными шинами. 15 .Информация считывается в виде разности токов или разности потенциалов 113,Известен. накопитель для полупроводникового запоминающего устройства на основе четырехтранзисторных элементов памяти с инжекционным питанием, использующий три шины выборки. В этой накопителе для считывания информации используется фиктивный тран зистор, база и коллектор которого подключены к нижней адресной шине, а эмиттер к фиктивной, четвертой шине выборки. Информация считывается в виде разности потенциалов между разрядной и фиктивной шинами 12. Однако эти устройства обладают недо- . статочным быстродействием.Иэ известных полупроводниковых накопителей наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является полупроводниковый накопитель, содержащий элементы памяти, установленные в пересечении адресных и разрядных шин, генераторы тока, подключенйые к разрядным шинам, управляющие элементы, выполненные на транзисторах, эмиттеры которых подключены к шине питания, коллекторы - к соответствующим разрядным шинам, а базы являются управляющими входами накопителя 3). оК недостаткам устройства следует отнести схемотехническое построение накопителя, при котором возможен выход транзисторов разрядных ключей из режима насыщения при обращении к . разряду, что ухудшает быстродействие накопителя. Кроме того, протекание в разрядных шинах емкостного тока перезаряда через выбранный элемент памяти в режиме считывания информации приводит к ухудшению помехозашищенности накопителя и разрушению информации в выбранном элементе памяти.Цель изобретения - повьыение быстродействия накопителя для полупроводникового запоминающего устройства.Поставленная цель достигаетсявведениемшунтирующих элементов, выполненных на диодах, аноды которых 5подключены к соответствующим разрядным шинам, а катодыявляются дополнительным управляющим входом наКопителя.На чертеже представлена блок-схема 0накопителя для полупроводникового запоминающего устройства.Накопитель содержит массив элемен.тов 1 памяти, соединенных адресными2 и разрядными 3 шинами, генераторы4 тока, управляющие элементы 5, вы. -полненные на транзисторах, шунтирующие элементы 6, выполненные на диодах,Схема работает следующим образом,В режиме хранения ток, задаваемыйгенераторами тока 4, равномерно распределяется между инжекторами всехэлементов памяти. В режиме считываниявыбор строки осуществляется понижением потенциала соответствующей адресной шины, при этом токи 1 о в разрядных шинах 3 невыбранных раэрядов отключаются. В выбранном разряде равныетоки разрядных шин 1 О втекают в инжекторы выбранного элемента 1 памяти,разность потенциалов на разрядных шинах возникает за счет разности. токовколлекторов р-и-р транзисторов.Ток в инжекторах невыбранных элементов памяти в выбранном разряде прая"35тически отсутствует вследствие болеевысокого потенциала адресных шин 3.Но информация в невыбранных элементахпамяти сохраняется на емкостях ячеекв течение относительно короткого пе- .40риода выборки. Перезаряд емкостейразрядных шин в выбранном разрядеосуществляется с помощью диодной цепоЧки, диоды которой открываются понижением потенциала в общей точке. . 45 Режим записи аналогичен режиму считывания с тем лишь отличием, что ток одной из.разрядных шин в выбранном разряде подключается на землю через управляющий элемент 5, управляемый сигналом записи, поступающим на его базу.Использование новых элементов шунтирующих элементов для перезаряда емкостей разрядных шин выгодно. отличает предлагаемый полупроводниковый накопитель от известного, так как позволяет повысить помехозащищенность и быстродействие накопителя особенно при и пользовании диодов Шоттки.формула изобретенияНакопитель для полупроводниковогозапоминающего устройства, содержащийэлементы памяти, установленные в пересечении адресных и разрядных шин,генераторы тока, подключенные к разрядным шинам, управляющие элементы,выполненные на транзисторах, эмиттеры которых подключены к шине питания,коллекторы - к соответствующим разрядным шинам, а базы являются управляющими входами накопителя, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью повы-:шения быстродействия накопителя, внего введены шунтирующие элементы, выполненные на диодах, аноды которйхподключены к соответствующим разрядным шинам, а катоды являются дополнительным управляющим входом накопителя.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Патент СшА Р 4158237,кл. 365-154, опублик. 1979.2. Патент США Р 4112511,кл. 365-188, опублик. 1979.3. 1 ЕЕЕ 1 ЯЯСС "01 цезй оЕ, ТесЬп 1 а 1 Рарегз", 1970, р. 222, 223, 276955202 дюйра Составитель В. РудаковГришманова Техред М. Надь рректор М Редак аэ 6448/61 Тираж 622 П ВНИИПИ Государственного комитета ССС по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., дписно 4/5 илиал ППП "Патент", г. Ужгоро Проектная, 4