Способ определения статистических параметров удельного сопротивления полупроводникового материала

Союз СоветскикСоциапистическикРеспублик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ои 896581(51)М. Кд. Я 01 тт 27/08 Гаеударстаеииый комитет по делам изобретений и открытий(72) Авторы изобретения В. А, Шмидт и Н. А, Соболев 7) Заявитель ена Ленина физико-технический инст им, А, Ф, Иоффе54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТАТИСТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТР УДЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛАно тми словами,у днородного ма ельное сопротивлениериапа в окрестностии усреднении по выредставляет собой, а определяемое укаозможное значение в выбранной точки пртянутому объему ислучайную величинзанным способом в метроловвиду отсНаибтырехзо мысле недостоверносведений о дисперсиик к предлагаемому ч ствия ее близоовый споотивлен соб измерения удельия полупроводникового шепнем зондов на п ого сопратериа а с разм и по прям верхнос аключакнцийс Изобретение относится к метрологии и стандартизации и может быть использовано в металлургической, электротехнической и электронной промышленности при определении статистических параметров5 удельного сопротивления полупроводниковых материалов и структур.Известен четырехзондовый способ определения удельного сопротивления полупроводникового материала с размешенито ем зондов-иголок на плоской шлифованной поверхности полупроводника по вершинам квадрата так, что зонды перпендикулярны поверхности, а перпендикулярная поверхности ось симметрии зондов проходит через выбранную точку поверхности. В способе пропускают через зонды, расположенные на одной стороне квадрата, электрический ток заданной величины и измеряют падение напряжения . между зондами, расположенными на противоположной стороне квадрата; по измеренным значениям тока и геометрических размеров полупроводника вычисляют усредненную по объему, вытянутому вдоль поверхности полупроводника в направле- нии перпендикулярном линии потенциальных зондов, реализацию удельного сопротивления материала в окрестности выбраннои точки 111Однако вытянутость области усреднея обусловливает зависимость возможго значения (реализации) удельного сопротивления в окрестности выбранной точки от ориентации зондовой системы.5 8965 где , - реализация удельного сопротивления в окрестности выбранной гочки визмерении;и - объем выборки.Использование предлагаемого способа 5 обеспечивает по сравнению с известными способами определение достоверности значения удельного сопротивления в окрестности выбранной точки; при заданной надежности повышение точности определения;о выделение дисперсии неоднородностиобусловливающую в известных способах дополнительную погрешность и увеличивающую с ростом измеряемого удельного сопротивления, характеристику степени неоднородности полупроводникового материала по направлениям, проходяпцца через выбранную точку.формула изобретенияСпособ определения статистических параметров удельного сопротивления полупроводникового материала, заключающийся в том, что на плоскую шлифовальную поверхность неоднородного полупроводника устанавливают систему из четырех точечных зондов, представляющих собой металлические иголки, расположенные в одной плоскости на равном расстоянии друг от друга так,что ось симметрии зондов перпендикулярна поверхности и проходит через выбранную точку поверхности, пропускают через крайние зонды поверхностизЗ ток заданной величины, измеряют падение напряжения между средними зондами, по измеренным значениям тока и напряжения с учетом расстояния между зондами и геометрических размеров полупроводников вычисляют усредненную по объему, вытянутому вдоль поверхности неоднородного ,полупроводника в направлении перпендикулярном линии зондов, реализацию удельного сопротивления в окрестности выбранной гочки, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с нелью определения достоверного значения удельного сопротивления неоднородного материала в окрестности выбранной точки, уменьшения влияния неоднородности материала на результат измерения и получения характеристики степени неоднородности материала, повышения точности измерения в окрестности выбранной точки и расширения диапазона измеряемых удельных сопротивлений в сторону больших значений, из бесконечного счетного множества возможных значений удельного сопротивления в окресгнйсти выбранной точки отбирают и возможных значений, образуккпих представительную выборочную совокупность, для чего систему зондов поворачивают вокруг оси симметрии зондов с заданным угловым шагом на 350 и для каждого Фиксирующего положения области усреднения определяют реализацио удельного сопротивле ния неоднородности материала в окрестности выбранной точки и по полученным р реализациям удельного сопротивления выборки по угловому перемещению вычислщот дисперсию удельного сопротивления в окрестности выбранной точки и среднее удельное сопротивление выборки с уменьшенной в И раз дисперсией, где И - число измерений.Ис точники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Батавии В, В Пантуев В. И., Прилипко В. И,-Измерительная техника,1974, % 11, с. 71-72,2. Павлов Л. П, Методы определенияосновных параметров полупроводниковыхматериалов И, "Высшая школа, 1975,с, 5-16, Безродн дак азарова аз 11692/35 Тираж 718 ВНИИПИ Государственного комит по делам изобретений и открыт 113035, Москва, Ж 35, Раушская