Патенты с меткой «мдп»

Номер патента: 1034191

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Косоусов, Максимов, Петричкович

МПК: H03K 19/23

Метки: комплементарных, махоритарный, мдп, транзисторах, управляемый, элемент

...и 4, при этом параллельно транзистору 3 подключен третий-канальный транзистор 5.Вторая ветвь содержит последовательно включенные И -канальные чет-. вертый и пятый транзисторы б и 7 и шестой й-канальный транзистор 8, подключенный параллельно пятому транзистору 7, и включена между выНедостатком элемента являетсянизкое быстродействие, обусловленноебольшой паразитной емкостью выходной шины, образуемой стоками шестиМДП-транзисторов.Цель изобретения - повышениебыстродействия управляемого мажори-тарного элемента.Для достижения поставленной целив управляемом мажоритарном элементе 10 на комплементарных МДП-транзисторах,содержащем первую ветвь, включенную между шиной питания и выходнойшиной и состоящую из последовательно включенных первого и...

Номер патента: 1068848

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Барышев, Петров, Столяров

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: мдп, параметров, структур

...регистрации, дополнительно введены два блока памяти, блок формирования опорного напряжения, компаратор и дифференциатор, при этом второй выход генератора развертывающего напряжения соединен с первым входом первого блока памяти, второй вход которого подключен к выходу детектора и к входу диф- Ф.ренциатора, выход которого соединен с первым входом компаратора, второй вход которого подключен к выходу блока Формирования опорного напряжения, вход которого подключен к выходу первого блока памяти, а вход блока регистрации соединен с выходом второго блока памяти, управляющий вход которого соединен с выходом компаратора.На Фиг. 1 приведена функциональная схема, поясняющая работу устройства; на Фиг, 2 - полные временные диаграммы,работы...

Номер патента: 1078363

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Быков, Кондратенко, Кононенко, Кузнецов

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, мдп, поверхностного, структурах

...невысокой точности определения поверхностного заряда.Цель изобретения - повышение точности определения поверхностногозаряда.Цель достигается тем, что согласно способу определения поверхностного заряда в МДП структурах, включающему воздействие поперечного магнитного поля на структуру, измеряютвольт-фарадную характеристику довоздействия магнитного поля на струк туру и после воздействия, затем определяют напряжения плоских эон поотклонению экспериментально получен-ных вольт-фарадных характеристик оттеоретической, построенной без учета воздействия магнитного поля, иопределяют величину и стабильность поверхностного заряда по известнойзависимости, прк этом магнитную индукцию воздействующего поля устанавливают в пределах 0,1 с В с 1 Т.На фиг....

Номер патента: 1083362

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Ежов, Смирнов

МПК: H03K 17/08

Метки: входов, защиты, интегральных, мдп, структурой, схем

...питания и общей шиной, первый резистор включен5 Омежду входной шиной и общей точкойсоединения диодов, которая также подключена к выходной шине, дополнительно введены первый и второй полевыетранзисторы, второи резистор из 55вторая шина питания, причем затворыполевых транзисторов объединены ичерез второй резистор подкгюччы к 62 2 второй шине питания, исток первого полевого транзистора подключен к общей шине, сток - к истоку второго полевого транзистора и к входной шине и сток второго полевого транзистора подключен к первой шине питания.На чертеже приведена схема устройства.Устройство содержит первый резистор 1, соединенный с двумя последовательно соединенными диодами 2 и 3. Первый диод 2 соединен с первой шиной питания 4, второй диод 3...

Номер патента: 1091222

Опубликовано: 07.05.1984

Автор: Мещанов

МПК: G11C 11/401, G11C 7/00

Метки: динамический, записи, информации, матричный, мдп, накопитель

...соединены с обшей шиной. Первая и вторая зли;ы записи соединены со стоками соответственно первых 7 и вторых 8 т(лктчсвых транзистартлв злгцсц, затворы которых пацлрна объединены ц образуют входы разрешения записи устройства Ф 1 Ф 3фп, а истоки каждой пары ключевых транзисторов записи образую( первую, вторую. 1-ю, ,и-ю плры вь;ходов устройства записи. 11 рнчем в . а".";ай каре шкадов исток первого к.;точевога транзистора злпцсн об - разуе. прямой 9, а исток гтарого ключсва. о трлнцстарл злписц - ицверсцыц 10 вьв(ап ("стройстве.Стактт. первс. а ц третьего буферныхтрлцзпс.аров записи саедццены с первой обкладкой кац;тецслтара 1, истокам транзистора 12 чстацавкц напряжения тзт(лючения и стет:ом трлпзцстора 13 сброса т;лпряжеццгкл:...

Номер патента: 1095115

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Веденеев, Ждан, Кабыченков, Сульженко, Шафран

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп, параметров, пограничных, состояний, транзисторах

...при определении спектра"мелких" ПС, а именно низкое энерге- ,тическое разрешение дЕ и большаяпогрешность при определении плотнос-,ти мелких" ПС, М (Е).Цель изобретения - увеличениечувствительности способа.Указанная цель достигается тем, что согласно способу определения параметров пограничных состояний в МДП- транзисторах, включающему охлаждение транзистора, измерение зависимости тока стока транзистора от напряжения смещения нри фиксированном значении напряжения исток-сток и определение спектра пограничных состояний расчетным путем, транзистор охлаждают до температуры ТдЕ/4 К, одновременно с измерением зависимости тока стока от напряжения смещения измеряют зависимость скорости возрастания тока стока от этого напряжения,...

Номер патента: 1114992

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Гороховатский, Жданок, Осокин, Пономарев, Тулуевский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: испытания, мдп, полупроводниковых, приборов, структурой

...предела температуры поляризации выбирается максимально допустимая рабочая температура изделия, так как при более низких температурах поляризации некоторые механизмы электрической релаксации, присущие данному прибору в рабочем диапазоне температур, не включаются в поляризационный процесс и соответственно не проявляются в токе депо" ляризации. Последнее приводит к тому,1114 3что предлагаемый способ контролядает заниженную оценку зарядовойнестабильности изделий.Верхняя граница температурнойполяризации обусловлена тем, чтопри температуре, больше температурыэвтектики металл - кремний, происходит деградация свойств ИДП-структурыиэ-за образования растворов с повышенной проводимостью,Верхний предел напряжения поляризации выбирается 0,9 Опой где0...

Номер патента: 1129739

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Барановский, Проворов

МПК: H03K 19/094

Метки: дополняющих, мдп, транзисторах, уровней

...и восемь транзисторов, выходы первого и второго инверторов соответственно подключены квходам третьего и четвертого инверторов, выходы которых соответственно подключены к затворам первого и второго транзисторов с каналами р-типа, входы первого и второго инверторов соответственно подключены к затворам третьего и четвертого транзисторов с каналами р-типа, исток и затвор соответственно пятого и шестого тран - эисторов с каналами и-типа подключены к входу, затвор пятого транзистора подключен к второй шине питания, сток - к входу первого инвертора, истоки первого и второго транзисторов подключены к первой шине питания, стоки - к истокам соответственноседьмого и восьмого транзисторов с каналами р-типа, стоки которых соответственно подключены...

Номер патента: 591091

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Выгловский, Еремин, Стоянов, Ходош, Яншин

МПК: H01L 27/04

Метки: биполярных, логических, мдп, сопряжения, устройств

...цель достигается тем, что переключательный МДП-транзистор имеет встроенный канал, затвор этого транзистора соединен с положительным полюсом источника питания, а к,его истоку подключен сток дополнительного МДП-транзистора со встроенным каналом, исток и затвор которого соединен с положительным полюсом источника питания. Этот дополнительный МДП-транзистор служит нелинейной нагрузкой для выходного каскада биполярного устройства, поэтому его подключение способствует, увеличению управляющего перепада напряжения до величины, близкой к величине напряжения пита-ния биполярной ИС. На чертеже изображена принципиальная электрическая схема предлагае- мого устройства сопряжения,Исток переключательного МДП-транзистора 1 устройства сопряжения соединен...

Номер патента: 719398

Опубликовано: 07.05.1985

Авторы: Лепилин, Самыгина, Столичнов, Феофанова, Черняк

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, мдп, схем

...второй и третьей фотолитографических операциях травления в среднем в два раза ниже, чемна первой, Помимо сказанного, лучшие результаты на первом травлении 10обусловлены возможностью визуального контроля травления по уменьшениюдиаметра пятна, соответствующегоневытравленной области пластины,При исчезновении пятна травление 15прекращают, вынимая пластину изтравителя, Яа следующих операцияхэта возможность отсутствует, таккак на пластине уже имеется рисунокпервого травления.Целью изобретения является снижение трудоемкости изготовленияи увеличение выхода годных интегральных схем.Поставленная цель достигается 25тем, что все окна в проводящем слоеполикристаллического кремния. вскрывают одновременно в одной операциифотолитографического...

Номер патента: 1170509

Опубликовано: 30.07.1985

Авторы: Плотников, Сагитов, Селезнев

МПК: G11C 11/42

Метки: двухзатворной, диэлектриком, записи, заряда, захватом, информации, мдп, оптической, структуре

...только зарядами, содержащимися в области пространственного заряда под первым затвором, что при исполь- фО эовании приповерхностной области полупроводника с уровнем легирования, меньшим чем 5 1015 см, соответствует полю в диэлектрике н 10В/см. Это меньше, чем пороговое значение, не .обходимое для инжекции заряда в диэлектрик, которое составляет 310 10 В/см. В результате воздействия света на ячейку памяти происходит генерация электрон-дырочных пар. Неосновные носители собираются под первым затвором, увеличивая поле в диэлектрике, основные - под вторым. Это приводит к понижению потенциала приповерхностной и-области относи ,тельно подложки. В момент времени С напряжение на р-и-переходе Ч = О,ХДальнейшее освещение приводит к...

Номер патента: 670019

Опубликовано: 30.11.1985

Авторы: Булгаков, Выгловский, Лебедев, Сонов

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, мдп, схем, транзисторах

...6 методомфотолитографии. Слой реэиста 6 покрывает активные области и служит маской при последующей ионной имплантации бором. Ионную имплантацию проводят при энергии ионов бора 100 кэВпри дозе 2 мкКул/см. При этом нанеактивных областях поверхности кремния образуется область 7 с повышенной концентрацией бора, который предотвращает образование инверсионных 9 2областей между диффузионными шинамии увеличивает пороговое напряжениепаразитных транзисторов. Затем снимают окисел 5 с нитрида кремния 2 надобластями 7. Травление окисла происходит в буферном травителе в течение 2-2,5 мин, Далее снимают фоторезист в серно-перекисной смеси истравливается нитрид кремния 1 надобластями 7. Травление происходитв ортофосфорной кислоте при температуре 140 фС...

Номер патента: 1226363

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Выборных, Деревянкин, Егоренков, Покровский

МПК: G01R 31/3177

Метки: бис, мдп, параметров, технологического, элементов

...- то же, с дополнительными резисторами.Устройство содержит первый 1,второй 2, третий 3 и четвертый 4 инверторы тестовой структуры МДП-БИС, конденсатор 5 для понижения частоты колебаний, измеритель 6 длительности импульсов и длительности периода колебаний. Инверторы 1 - 3 соединены по схеме кольцевого генератора, инвертор 4 соединен между выходом кольцевого генератора и измерителем 6.Устройство работает следующим образом.Сначала включают кольцевой генератор, содержащий инверторы 1 - 3 тестовой структуры и через инвертор 4 тестовой структуры колебания напряжения кольцевого генератора поступают на измеритель 6 частоты.По измеренной частоте судят о динамических параметрах инверторов 1-3. Затем понижают частоту колебаний десятков килогерц...

Номер патента: 884508

Опубликовано: 30.10.1986

Автор: Урицкий

МПК: H01L 29/76

Метки: мдп, структура, тестовая

...ввецению прослойки слаболегированного поликрис таллического кремния р-птипа, а кривая 3 - и-типа). Введение слоя слаболегированного полупроводника приводит к изменению вида вольтфарадныххарактеристик МДП-структуры и позво ляет из анализа таких видоизмененныхфольтфарадных характеристик определить полный заряд в диэлектрике и заряды вблизи границ раздела диэлектрика, Изображенные на чертеже вольтфа радные характеристики нормированы кемкости окисного слоя (диэлектрика) С,Полный заряд О, в диэлектрике Заряд в диэлектрике вблизи границы полупроводниковый кристалл-ди- электрик где Ч - потенциал плоских зон полуапроводникового кристалла. Заряд вблизи внешней границы диэлекгде Ч - потенциал плоских зон вве 45 денного...

Номер патента: 1287267

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Быков, Гусаков, Корягин

МПК: H03K 5/24

Метки: компаратор, мдп, одноразрядный, транзисторах

...4, 7 соответственно, третья .выходная шина 17 подключена к затворам шестого, восьмого транзисторов 6, 8, истокам первого, девятого транзисторов 1, 15, четвертая выходная шина 18 у подключена к затворам второго, третьего транзисторов 2, 3 и стокам пятого, десятого транзисторов 5, 16.Устройство работает следующим образом. 55На шины 9, 10 подключаются "плюс" и ,минус источников питания соответственно. Потенциалы плюса" и минуса источника питания принимаются соответственно за "1" и "О".Входные сигналы подаются на шины 13 и 14. На транзисторах 1, 15 и 5, 16 образованы инверторы для этих сигналов а выходными шинами 17, 18, Одновременно транзисторы 1 и 5 являются транзисторами, входящими в схемы элементов ИЛИ-НЕ с выходными шинами 11, 12....

Номер патента: 1370752

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Кузьменко, Сидоренко, Солод

МПК: H03K 17/687, H03K 5/153

Метки: импульсных, мдп, постоянного, сигналов, транзисторах, уровней, формирования

...на вход 30 блока управления ключом логического "0". где инвертируется и поступает на вход 63 ключа логического "0". В зависимости от уровня входного сигнала шина выходного сигнала будет подключаться или к шине напряжения логической "1" (при высоком уровне входного сигнала), или к шине напряжения логического "0" (при низком уровне входного сигнала). Таким образом, на шине 17 будут формироваться сигналы высокого и низкого уровней, синфаэные с входным сигналом. С выхода 28 переключателя 3 фазы сигнал, синфазный входному поступает на вход 29 линии 2 задержки, где задерживается н поступает на вход 33 блока 1 усилителей задержанного сигнала, на выходах 34 и 37 которого формируются два противофаэных сигнала, задержанных относительно...

Номер патента: 1406771

Опубликовано: 30.06.1988

Авторы: Буй, Гуменюк

МПК: H03K 17/30, H03K 17/687

Метки: включения, интегральных, источников, мдп, питания, последовательного, схемах

...21 В.При превышении напряжением второго - высоковольтного источника литания, значения порогового напряженияМДП-транзисторов во внутренних точках устройства начинает происходитьпроцесс огряботки логических уроннейи в момент С устанавливаются уровни потенциалон, обеспечивающие выполнение устройством своих функций. Вмомент временинапряжение на высоковольтном источнике питания ужепревйцяет напряжение низковольтногоисточника питания, и дальнейшее увеличение напряжения ня высоковольтномисточнике питания - шине 21, приво т,дип к увеличению потенциала на выходной клемме 37 устройства, посколькуня выходе 12 порогового элемента 1потенциал находится ня единичномуровне и возрастает, отслеживая возрастание нысоковольтного питания,Рассмотрим работу...

Номер патента: 1408393

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Латышев, Лисовский, Ломако

МПК: G01R 31/3181

Метки: интегральных, качества, мдп, схем, тестовыми, транзисторами

...без ошибок. При этих же лозах измеряют значения пороговых напряжений тестовых и- и р-канальных транзисторов. Циклы облучения - измерения параметров проводят до тех пор, пока це будет достИГНУто ЭНДЧЕНИЕ Я = Со. ЗДВИСИМОСтИ Г и П от лозы облучения (Р) испольгрЗУются Д 5151 пос ГРО ения ФУцк дни Го (11 с ) которая позволяет оценить качество схемотехпичес 1 со 1 о п 11 ое 1 стд. Нд фиг, 1-3 приведецы графики, логясцяющие предлагаемый способ.На фиг.1 показаны зависимости пороговых напряжений тестовых р-канальных транзисторов от дозы облучениядля схем 1 и 11. Указаны точки перехода линейной зависимости 1), (Р) кнелинейной, которые в нашем случаесоответствуют дозе = 10 Р. Видно,что изменение Б,р (Р) для схемы 11вьш 1 е, чем для схемы 1....

Номер патента: 1492452

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Габсалямов, Малютина, Мозгирев, Шейдин

МПК: H03K 3/286, H03K 3/353

Метки: взаимодополняющих, входом, мдп, счетным, транзисторах, триггер

...соогветствующего "Лог.1", транзисторы 6 и 9 огкрываюгся, а транзистор 11 закрываегся.На затворе транзис гора 5 сохраняется сигнал "Лог, 1" эа счет емкостей собственной цепи затвора и цепи пигания транзисторов 12 и 13. Выход инвертора 14 через огкрытые транзисторы 5 и 6 подключается к общей шине 1 б,и начинается переключение триггера.Закрытый транзистор 11 препятствует записи единичной информации в цепи питания транзистора 13 и в цепи затвора транзистора 8 до окончания переходных процессов переключения триггера и до установления на входной шине 18 уровня сигнала, соответствующего иЛог. О, После этого транзисторы 6 и 9, 12 и 10 закрывают" ся, а транзисторы 7, 13 и 11 открываются в соответствии с сигналами на выходах инверторов 14 и 15 и...

Номер патента: 1534754

Опубликовано: 07.01.1990

Авторы: Зуб, Прокофьев, Сидоренко, Сирота

МПК: H03K 19/003

Метки: мдп, стабилизированного, транзисторах, формирователь

...1-4На истоке транзистора 4 устанавливается напряжение, близкое по вели" чине к напряжению источника питания, Это напряжение подается на затвор 45 транзистора 1, Последний при этом имеет низкое сопротивление, и на его стоке, а значит, и на выходной шине 7 устанавливается напряжение, близкое к потенциалу общей шины, 50Если же на шину 6 подано напряжение "Лог,1", транзистор 2 открывается. По цепи транзисторов 1-4 протекает ток, создающий падение напряжения на этих транзисторах в зависимости от величины их сопротивлений, Выходное напряжение формирователя равно падению напряжения на транзисторе 1Его величина задается делителем 5 напряжения, Величина выходного напряженияформирователя отличается от напряжения на выходе 12 делителя лишь...

Номер патента: 1561201

Опубликовано: 30.04.1990

Авторы: Кузьменко, Сидоренко, Солод

МПК: H03K 19/08, H03K 5/01

Метки: воздействий, мдп, многоканальный, режимных, транзисторах, формирователь

...на их выходах будут Формироваться сигналы в соответствии с сигналами на входных шинах.Низкий уровень на управляющем входе переключателя 12 Фаз соответствует формированию на его первом выходе сигнала, противофазного входному, а во втором - синфазного Та ким образом, во время о " 1 на вторых выходах переключателей. 12 Фаз будут формироваться сигналы, синФазные с сигналами на входных шинах, а на первых - противофазные. Следовательно, и на шинах выходных сиг" валов будут Формироваться сигналы, синфазные с входными сигналами, но с некоторой задержкой, вызванной задержкой сигнала на Функциональных узлах.Так как, во время- 1 и С - С- на шину 24 счетных импульсов поступают импульсы, на. шине 26 разрешения . счета есть разрешающий сигнал и на...

Номер патента: 1622925

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Берг, Габсалямов, Шейдин

МПК: H03K 3/353

Метки: взаимодополняющих, входом, мдп, счетным, транзисторах, триггер

...э транзисторы 13 и 14 закрываются, на затворе транзисгарэ 5 сохраняется сигнал "Лог. 1" за счет емкостей собственной цепи затвора и стока транзистора 11,Выход инвертора 18 через открытые гранзистары 5 и 6 подключается к общей шине 20 и эчинэется переключение триггера, На выходе лнвертора 18, входе инвертора 19 и нэ за гворах транзисторов 10, 12 и 16 устанавливается сигнал "Лаг, 0". На выходе инвертара 19, входе инвертора 18 и на затворах транзисторов 7, 11 и 15 устанавливается сигнал "Лог. 1". Трзнзисторы 4, 10, 16,1 и 11 закрываются, а транзисторы 2, 7, 15, 3 и 12 огкрьваются.Емкость истока транзистора 11 разряжается через открытые транзисторы 15 и 17 на общую шину 20, Затвор транзистора 5 срез открытый транзистор 7 подключается к...

Номер патента: 1384120

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Ждан, Омельченко, Рыльков, Шафран

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: заряда, инверсии, каналах, мдп, носителей, свободных, транзистор

...нс с амплитудой 11 В и частотой следования455 кГц от генератора на фоне постоян-ного смещения напряжения. Ток между.истоком и стоком регистрируют с по .мощью осциллографа со стробоскопическим блоком. Время нарастания пере-. 50ходной характеристики определяютвизуально по сигналу на экраие ос-,циллографа, которое составляет 40 нс,Максимальную амплитуду У периодических импульсов определяют поформуле2 1. 1 - ЕсЬУ.ии+макс-18%Ь фйа8 биагде- требуемая точность равнаяв примере 0,45,Г - уровень Ферми;Е - энергия края зоны основсных носителей;- элементарный заряд;. - толщина диэлектрика,1 а ; концентрация легирующейпримеси в подложке;.ЕА - диэлектрические проницаемости полупроводника идиэлектрика соответственно, .При этом параметры...

Номер патента: 1012701

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Камбалин, Кольдяев

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, запоминающий, информации, мдп, структурах, элемент

...подложки. Поскольку растекание заояда в таких структурах происходит по направлениюк полевому электроду, то и время хракения его уменьшится пои повышении темпе ратуры, при которой прои сходит запись. Это является недостатком известного способа записи инФормации в запоминающий элемент на ИЛП-транзисторах.Целью изобретения является повышение надежности записи за счет увеличения времени хранения записанной инФормации,Цель достигается тем, что в способе записи инФормации в запоминаю" щий элемент на ИЯП-структурах ос" нованном на инжекции основного заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИРП-транзистора, осуществляют дополнительную инжекцию заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИДП- транзистора, создающего заряд 1 О з =...

Номер патента: 1777189

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Андрияшик, Титов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: встроенном, канале, мдп, примеси, профиля, транзистора

..."рез" кой границы области обеднения", по" ложенного в основу вольт-емкостного метода), что позволяет измерять профиль примеси вплоть до границы раз" дела полупроводник - диэлектрик.Исходным пунктом при выводе предлагаемых формул является решение уравнений Лапласа и Пуассона с соответствующими граничными условиями для состояния полного обеднения канала транзистора. Тогда, если Х " текущая координата, изменяющаяся от О на границе раздела диэлектрик " полупроводник до своего значения вглубь структуры, а Ч) - текущее зна" чение потенциала, можно записать:а Б Ев ЙЫвв 9 (Х + Ц)гсе " ЕОугде Х, - расстояние от границы разде"лаокисел - кремний в глубину канала,(" в -) " производная от потенциа"ЪвИфм )м" Ола подложки по канальномупотенциалу в...

Номер патента: 1132686

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: бис, мдп, многопороговых

...и определение их токов стока,на затворы обоих транзисторов подаютодинаковое напряжение и одновременноизменяют его до момента равенстватоков стока транзисторов, а годность)1 ЛП БИС определяют путем сравненияполученных значений тока стока инапряжения затвора с номинальнымизначениями, при этом параметры транзисторов тестовой ячейки выбираютиз соотношения:"д 11 П ) ) 0(),где 1 11 - пороговое напряжениепервого и второготранзисторов соответственно;- крутизна первого ивторого транзисторовсоответственно.1 Ь чертеже изображены переходныехарактеристики двух МДП-транзисторов с различной крутизной: с индуцированным каналом (поз.1) и встооенным кзналом (поз,2) д-типа в ркремнии, показанные с учетом технологического разброса пороговогонапряжения...

Номер патента: 1295971

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, мдп, схем

...и выращивают подзатворныйокисел 6 кремния толщиной 0,07 мкмопри 950 С в среде увлажненного кислорода с добавлением хлористого водорода.Фотолитографическим способомвскрывают, контактные окна 7 в слое 6,наносят поликремний толщиной 0,5 мкм,проводят его легирования фосфоромпри 900 С до Кз = 15-40 Ом/ст и формируют затворы 8 иэ поликремния имежсоедицения 9 (поликремниевьтешины),После травления поликремния удаляют с активных областей открытый слойподзатворного диэлектрика 6 и окисел10 на поликремнии путем травленияв буферном растворе на основе фтористоводородной кислоты. После химобработки на всю поверхность структурынаносят пиролитическим разложениемодихлорсилана в аммиаке при 800 Сслой 11 нитрида кремния толщиной0,2 мкм.Затем...

Номер патента: 1752142

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Барабанов, Матвеев, Мещеряков

МПК: H01L 21/82

Метки: p-канальных, бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ P-КАНАЛЬНЫХ МДП БИС, включающий нанесение на кремниевую подложку слоя нитрида кремния, вскрытие в нем окон, противоинверсионное легирование кремния, формирование фоторезистивной маски для получения активных областей, легирование активных областей, формирование полевого и подзатворного оксида кремния, создание контактной металлизации и межсоединений, отличающийся тем, что, с целью изготовления интегральных схем с повышенным уровнем напряжения питания за счет повышения пробивных напряжений активных областей и пороговых напряжений паразитных транзисторов, окна в слое нитрида кремния вскрывают только над полевыми областями, проводят противоинверсионное легирование только на участках полевых областей, выращивают полевой...

Номер патента: 1644706

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Барабанов, Мещеряков

МПК: H01L 21/82

Метки: p-канальных, больших, интегральных, мдп, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ P-КАНАЛЬНЫХ МДП БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке активных и полевых областей, формирование подзатворного оксида кремния, буферных поликремниевых областей над каналами активных МДП-транзисторов, вскрытие контактных окон, формирование алюминиевой разводки с образованием МДП-транзисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности МДП интегральных схем за счет повышения порогового напряжения высоковольтных паразитных МДП-транзисторов, одновременно с формированием буферных поликремниевых областей формируют поликремниевые области над каналами высоковольтных паразитных МДП-транзисторов, после чего осаждают слой пиролитического оксида кремния, проводят его термообработку и...

Номер патента: 1762688

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов, Татаринцев

МПК: H01L 21/268

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения сформированных структур пучком рентгеновского излучения, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа при подгонке БИС, содержащих две различных группы МДП компонентов, одновременно с рентгеновским излучением структуры облучают ультрафиолетовым излучением, а соотношение между коэффициентами подгонки двух групп МДП компонентов регулируют путем изменения соотношения интенсивностей рентгеновского и ультрафиолетового излучений Iу/Iр, устанавливают это соотношение, исходя...