Способ технологического контроля параметров элементов мдп бис
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1226363
Авторы: Выборных, Деревянкин, Егоренков, Покровский
Текст
ОЮЗ СОВЕТСКИХОЦИАЛИСТИЧЕСНИХЕСПУБЛИК ЯО 12263 1 К 31/28 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ТУрю113,; ОРСКОМУ СВ К У 15дена Ленина и ордеолюции энергетичеСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЦТИ 1) 3602850/24-2(71) Московский она Октябрьской Реский институт.(54) СПОСОБ ТЕХТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ(57) Изобретениевано для контролих производстваизобретения - упМДП-БИС вводят кИзмеряют частотупряжения тестовототе автоколебанческих параметра ий, В.А.Егоренков,В.Д.Выборных88.8)техника, Сер, УШ,с. 52.183460,1979.180772 ф1979.ОЛОГИЧЕСКОГО КОНЭЛЕМЕНТОВ МДП-.БИСможет быть испбльзоМДП-БИС в процессеи эксплуатации. Цельощение контроля. Вольцевой генератор.автоколебаний наи структуры и по часий судят о динамих БИС. Затем понижают частоту колебаний и посредством системы управлений вычисляют величины сопротивления канала (К) и напряжение порога (О ). Т = А, +А 0 + коэффициенты,для определения которых отбирают тестовые структуры, у которых О и К близки к своим максимальным и минимальным значениям.Причем для О среди отобранных, а дляопределяют из тестовых структурк со значениями ПК,ПКакс. нМ а мин к мнн ф Н К , П К значения Тмакс к мин "мнн " макс и, . Вычисляют коэффициенты А и В по известным значениям Т, ь, К иУстройство, реализующее способ, содержит инверторы 1-4 тестовой струк-, туры МДП-БИС, конденсатор 5 для понижения частоты колебаний, измеритель б длительности импульсов и длительности периода колебаний.При необходимости повышения точности измерений порядок уравнений может быть увеличен до второй или третьей сте- ф пени. 2 ил. Ь26363 10 В,а 2 и 3 и к 1 12Изобретение относится к технике контроля электрических параметров и может быть ;."пользовано для контроля МДП-БИС в процессе их производства и эксплуатации.Цель изобретения - упрощение контроля эа счет исключения операций снятия и преобразования электрических сигналов, характеризующих статические параметры.Способ заключается во введении в МДП-БИС кольцевого генератора, измерении частоты автоколебаний напряжения тестовой структуры по частоте автоколебаний судят о динамических параметрах БИС, понижают частоту колебаний, вычисляют величины сопротивления канала ( ) и напряжения порога из системы управленийТ = А + А П + А К + А Г, Б.; коэффициенты, найденные следующим образом: отбирают тестовые структуры, у которых О близки к своим максимальным и минимальным значениям, среди отобранных отбирают тестовые структуры, у которых К близки к своим максимальным и минимальным значениям, определяют для тестовых структур со значениями П КОп"мин И мина макс а маисф а мин и макс значения Т и, вычисляют коэффициенты А и В по известным значениям Т, ., К и ОНа фиг. 1 представлена схема устройства .для реализации способа, на фиг. 2 - то же, с дополнительными резисторами.Устройство содержит первый 1,второй 2, третий 3 и четвертый 4 инверторы тестовой структуры МДП-БИС, конденсатор 5 для понижения частоты колебаний, измеритель 6 длительности импульсов и длительности периода колебаний. Инверторы 1 - 3 соединены по схеме кольцевого генератора, инвертор 4 соединен между выходом кольцевого генератора и измерителем 6.Устройство работает следующим образом.Сначала включают кольцевой генератор, содержащий инверторы 1 - 3 тестовой структуры и через инвертор 4 тестовой структуры колебания напряжения кольцевого генератора поступают на измеритель 6 частоты.По измеренной частоте судят о динамических параметрах инверторов 1-3. Затем понижают частоту колебаний десятков килогерц кольцевого генератора, соединяя конденсатор 5 между входом и выходом инвертора З,Измеряют измерителем 6 период Т колебаний и длительностьимпульсов положительной полярности, Сопротивле-. ние канала 8 и напряжение порога О находят из системы уравнений П лТ: Л+АО +А1 А,ОК, с= В 5 +В О +В К В О КУравнения представляют собой модельЛсвязи Т ис О и К . Посколькурасчет модели затруднен, величины коэффициентов А и В находят эксперимен 20 тальным путем следующим образом: измерение 1.1, в совокупности идентичных тестовых структур и отбор такихобразцов, у которых величины О, близки к своим максимальным и минимальным5 значениям; измерение 1 в группепредварительно отобранных образцовтестовых структур и новый отбор изних таких образцов, у которых величины 8 близки к своим максимальнымКщ и минимальным значениям, включениеотобранных образцов тестовых структуртаким образом, чтобы поочередно образовать в пространстве Г Очетыре ортогональные точки, соответствующие плану полного факторного35эксперимента, при необходимости включают дополнительные резисторы 7 - 12л(фиг. 2), измеряют значения Т ипри четырех крайних параметрах к иО,; вычисляют. коэффициенты А и В урав 40лнений по известным значениям Т,В, иО,При необходимости повышения точности измерений, порядок уравненийможет быть увеличен до второй или45третьей степени,Формула изобретения Способ технологического контроля 50 параметров элементов МДП-БИС, заключающийся в том, что в МДП-БИС вводят тестовую структуру в виде кольцевого генератора, измеряют частоту колебаний тестовой структуры в виде коль цевого генератора, введенной в МДПБИС, по частоте колебаний судят о динамических параметрах испытуемой схемы, о статических параметрах су,Яцол Подписноеета СССРытийаб., д. 4/ т ая ул.Проектная,роизводственно-полиграфическое предприятие, г.ужг дят по величине сопротивления канала и напряжению порога, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения контроля, заключающемся в уменьшении количества операций, снижают частоту автоколебаний до десятков килогерц, измеряют период колебаний (Т) и длительность импульса (с),вычисляют сопротивление канала (Й ) ик напряжение порога (О) из системы уравненийТ = Ао+А, О+А 21 +А акаэ 2127/44 Тираж 728 ВНИИПИ Государственного по делам изобретений 113035, Москва, Ж, РаушВз - масштабные коэффициенты, предварительно отбирают тестовые структу-ры, у которых Облизки к своим максимальным и минимальным значениям,среди отобранных отбирают тестовыеструктуры, у которых й близки ксвоим максимальным и минимальным зна-чениям, определяют для тестовых 10 структур со значениями о КП макс Макс1.1 К БК, Ц Ка мин агниимакс квинмин максзначения Т ии вычисляют коэф-.фициенты А и В по известным значениям Ти Ок
СмотретьЗаявка
3602850, 06.06.1983
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНА ОКТЯБРЬСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ПОКРОВСКИЙ ФЕЛИКС НИКОЛАЕВИЧ, ЕГОРЕНКОВ ВЛАДИМИР АНАТОЛЬЕВИЧ, ДЕРЕВЯНКИН ВИКТОР МИХАЙЛОВИЧ, ВЫБОРНЫХ ВЯЧЕСЛАВ ДМИТРИЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 31/3177
Метки: бис, мдп, параметров, технологического, элементов
Опубликовано: 23.04.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1226363-sposob-tekhnologicheskogo-kontrolya-parametrov-ehlementov-mdp-bis.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ технологического контроля параметров элементов мдп бис</a>
Предыдущий патент: Устройство для контроля работоспособности модуля усилительного тракта радиотелевизионной аппаратуры
Следующий патент: Устройство для измерения параметров операционных усилителей
Случайный патент: Флюс для рафинирования магниевых сплавов