Патенты с меткой «кристалла»

Номер патента: 1121605

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Лапушкина, Муниц, Петров, Шендерович

МПК: G01N 21/45

Метки: входной, гранью, кристалла, между, одноосного, оптической, осью, угла

...осью одноосногокристалла и его входной гранью,заключающийся в том, что кристаллпросвечивают коническим пучком монохроматического поляризованного света и совмещают центр коноскопической фигуры с маркой 1,Недостатком известного споСобаявляется низкая точность определения угла между оптической осью одноосного кристалла и его входнойгранью. Цель изобретения - повышение точности измерений.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения угла между оптической осью одно.- осного кристалла и его входной гранью марку образуют путем дополнительного просвечивания кристалла параллельным пучком света, а угол между Оптической осью одноосного кристалла и его входной гранью определяют по углу между падающим на входную грань...

Номер патента: 776101

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Иванов, Лейбович, Сухарев, Федоров, Шушков

МПК: C30B 9/00, G05D 27/00

Метки: диаметра, кристалла

...Второйвход усилителя через аттенюатор 19подключен.к выходу основного интегратора 20, Выход усилителя 18 непосредственно соединен с интегратором 20. Для уменьшения ошибки оценивания сигнала производной следящей система 3 содержит дополнительйый интегратор 21, который подключен к входу основного интегратора 20..На фиг. 1 показаны также водоохлаждаемая камера 22, находящийсяв ней кристалл 23, выращиваемый изтигля 24 с расплавом, нагреватель25 с силовым блоком 26, электроприводы с регулятором 27 перемещенияи регулятором 28 вращения кристалла, с регулятором 29 перемещения ирегулятором 30 вращения тигля.Введены следующие обозначения;Ч иЪ у а - скорости перемещения, вращения кристалла и тиглясоответственно;С - температура нагревателя;.К...

Номер патента: 1164678

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Абдуллаев, Грядунов, Дормидонтов, Кахраманов, Наджафов, Петренко, Садыков, Талышханов, Товстолип

МПК: G05D 23/30

Метки: кристалла, нелинейного, оптического, термостат

...схематично представленпредлагаемый термостат,. Термостат для оптического нелинейного кристалла содержит корпус 1,теплоизолированную камеру 2, держатель 3 оптического нелинейного кристалла, первый датчик 4 температуры,первую термобатарею 5, второй датчик6 температуры, экран 7, вторую термобатарею 8, радиаторные ребра 9.Термостат работает следующим образом,Пропуская через термобатарею 5 токопределенной величины, обуславливаютвозникновение на ее спаях заданногоперепада температур и соответственнозаданного понижения температуры фланца держателя 3, контактирующего собластью входа луча в оптическийнелинейный кристалл, где выделяетсянаибольшее количество тепла. Обеспечив неизотермичность держателя 3 и,соответственно, изотермичность оптического...

Номер патента: 1203553

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Зенкович, Онегин, Урбанович

МПК: G06K 9/32

Метки: контактных, координат, кристалла, площадок

...операцию умножения Бпу на соответствующеезначение адресной координаты. С выхода блока 3 на второй вход сумматора 4 поступает сигнал, соответствующий значению Бзтнр у , а на первый вход сумматорапоступает сигнал, соответствующий Бп х . Свыхода блоков 5 и 9 на первые входысумматоров 4 и 7 поступают сигналы,соответствующие значению адресныхкоординат хи у 2 , На выходеакр а рсумматора 4 появляется сигнал, зна 5 12Строчный синхронизирующий сигнал36 (фиг. 4) с выхода телевизионногодатчика 1 поступает на первый входвторого логического блока 8 и далеечерез элемент И 26 на вход счетчика28, который подсчитывает число поступивших импульсов, Видеосигнал от контактной площадки кристаллов 35 такжепоступает на первый вход блока 8 идалее подается ча...

Номер патента: 1226197

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Молочников, Морозов, Сиройць

МПК: G01N 21/43

Метки: кристалла, оптической, ориентации, оси, рефрактометрического

...значительно возрастает.П р и м е р, Пусть ориентация оптической оси определяется в кристалле исландского шпата, а измерительная призма выполняется из стекла ТФ-.4. Для измерения используется автоматический Фоторефрактометр ИРФб 1, снабженный голяризаторами во входной и выходной диафрагмах. На фиг.2 показана зависимость интенсивности сигнала на фотоприемнике (пропорционального коэффициенту г,) в зависимости от угла падения 6 для угла=10 . Симметричная Форма минимума на кривой позволяет определять Ы с высокой точностью. При погрешности определения 9 зЗ погрешность определения с получается попреломления кристалла для необыкновенного луча).Таким образом, если при вращении относительно нормали к его поверхности кристалл, помещенный...

Номер патента: 1243035

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Дударенко, Савицкий, Соловьев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, доменосодержащего, запоминающем, кристалла, магнитных, модуле, установки, цилиндрических

...кристаллодержателя 3 золотой и алюминиевой микропроволокой 5, а установку 30 экрана на кристаллодержатель 2 осу.ществляют путем гальванического сое.динения ленты 4 с другой стороной кристаллодержателя 2 7 фиг. 4). Для осуществления гальванического соединения ленты 4 с поверхностями кристаллодержателя 2 на них вжиганием наносят предварительный слой серебра 6. Вместо серебра можно использовать и другие припои, имеющие хорошее сцепление с керамикой и лентой 4из проводящего материала,Формула изобретения Способ установки доменосодержащего кристалла в запоминающем модуле на цилиндрических магнитных доменах, основанный на фиксации доменосодержащего кристалла в отверстии кристаллодержателя и установке экрана,на кристаллодержатель, о т л...

Номер патента: 1248823

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Медведев, Николаев, Фролов

МПК: B28D 5/00

Метки: изделия, кристалла

...плоскостей и дополнительной шлифовке плоских граней до достижения ими заданного углового расположения относительно кристаллографических плоскостей 1.Однако после отрезки точность ориентации разных плоских граней отличается по величине и шлифовка пластин по плоским граням, в процессе которой пластина ориентируется случайно, неуменьшает разброс по точности углового расположения плоских граней.Цель изобретения - уменьшение трудоемкости изготовления изделия из кристалла. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления изделий из кристалла после отрезки осущестляют шлифовку плоскойграни пластины при базировании на плоскость, имеющую меньшее отклонение фактического углового положения до заданного.Изготовление изделий...

Номер патента: 1251213

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Полухин, Романовский

МПК: B23K 1/12, H01L 21/58

Метки: изготовлении, кристалла, пайки, полупроводникового, прибора

...пластины нанесением сетки рисок. Затем на слой металлизации наносят слой низкотемпературного припоя и разделяют пластину ломкой на отдельные кристаллы, после чего производят сборку кристаллов с кристалло.держателем и выводами и нагрев до температуры пайки.Толщина слоя припоя, наносимого на металлизационный слой, достаточна для образования паяных соединений без внесения дополнительных доз припоя.Пример. Пайка на кристаллодержатель кремниевых структур тиристора Т - -106 на токи 10 А с одновременной пайкой токовых выводов -- силового и управляющего - к кремниевой структуре.На пластину кремния с тиристорны ми элементами, сформированными в ее теле, осаждают никелевое покрытие и подвергают 30 гермообработке для формирования на всех ее...

Номер патента: 1175304

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Бондаренко, Журавлев, Лукашов

МПК: G06K 9/32

Метки: кристалла, положения

...с последовательно соединенными элементами задержки, выходы которых соединены с соответствующими входами элемента И-НЕ, а формирователь серий импульсов содержит первый триггер, элемент ИЛИ-НЕ, делитель частоты, первый и второй элементы И и элемент ИЛИ, причем первые входы первого триггера и элемента ИЛИ-НЕ являются первым входом формирователя серий импульсов, вторые входы первого и второго триггеров являются вторым входом формирователя серий импульсов, первый вход второго триггера соединен с выходом элемента ИЛИ-НЕ, второй вход которого соединен с первым выходом первого триггера, выход второго триггера соединен с первыми входами первого и второго элементов И, выходы которого соединены с первым и вторым входами элемента ИЛИ, выход...

Номер патента: 1295352

Опубликовано: 07.03.1987

Авторы: Винокурцева, Воеводин, Морозов

МПК: G02B 6/10

Метки: волновода, кристалла, лития, ниобата, оптического, основе

...поляризуемости) и ксоответствующему увеличению его показателя преломления (ьп 0,3).35Кроме того, салициловая кислота позволяет получить дополнительный полирующий эффект при обработке поверхности кристалла в ее расплане, чтоприводит к уменьшению оптических потерь в волноводе до значенийкй дБ см,Выбор нижней границы температур-,ного интервала, в котором проводитсяобработка в расплаве салициловой кислоты, определяется температурой плавления кислоты (Т= 159" С); верхняяграница этого интервала определяетсятемпературой кипения кислоты (Т= 211"С). Выбор времени обработкив расплаве салициловой кислоты определяется тем, что при с 1 мин положительный эффект практически не заметен, а при с60 мин параметры ужесформированного волновода...

Номер патента: 1339655

Опубликовано: 23.09.1987

Авторы: Костин, Усов, Цаплин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащего, корпус, кристалла

...издвух чашеобразных половин 10,На практике кристаллодержательвыполнен литьем под давлением, причем провода перед опрессовкой скрепляют клеящим компаундом в областиопрессовки в группы из четырех отрезков проводов 2 первыми копцами водной плоскости, а вторыми концамисвободно, при этом в центральнойчасти отрезки проводов уложены в дваряда по два провода, Использован провод типа ПЭТВ ф 0,4 мм. Общая высота рамки 1 мм,После опрессовки в кристаллодержателе выполняют паз фрезерованием судалением изоляции и части проводникана первых концах отрезков проводов 2.Общие габариты кристаллодержателя10 х 100 - 13 х 13 х 1 мм,Вторые концы проводов 2 выступаютиз фасок по углам кристаллодержателя,Кристалл 3 размещают в отверстии...

Номер патента: 1428914

Опубликовано: 07.10.1988

Авторы: Баранов, Кукуй, Любалин, Третьяков

МПК: G01B 11/26

Метки: кристалла, разориентировки, среза

...микрорельеф, характер ный для каждого класса кристаллов.Измерения проводят следующим образом.Выставляют источник 1 света пер- пендикуляр НО к Онтр ОлируемОЙ плоскости 50 среза кристалла, наблюдая за положением отраженного светового пучка на экране 2. При вращении столика изображение светового пучка на экране не сходит с центра экрана. 55 Затем источник 1 света и экран 2 поворачивают на заданный угол (Ы,),равный теоретическому значению угла. Зная вещество, его симметрию и размещение осей симметрии в кристалле или символы кристаллографических направлений по справочникам или путем вычисления получают угол сс между этими направлениями. Если контролируемый срез не параллелен плоской сетке кристалла, то нормаль к нему не является...

Номер патента: 1490464

Опубликовано: 30.06.1989

Авторы: Аптекман, Босенко, Житницкий, Сологуб

МПК: G01B 9/08

Метки: кристалла, параметров, проектор, сечения

...7 света и 20 оптические волокна 8, которые с одной стороны соединены друг с другом и с источником 7 света, а с другой стороны каждое волокно 8 укреплено с по - мощью кронштейна 9 на отдельном ползуне 4, причем так, что ось волокна 8 параллельна оптической оси проектора, а расстояние ее от оптической оси равно расстоянию от соответствующего острия наконечника 6 до оптической оси, Индексом 10 обозначен крист алл. На фиг.1 показаны равные расстояния а и о соответственно от оптической оси проектора до острия наконечника 6 и от оптической оси проектора до оси волокна 8, а также направление свободного доступа к кристаллу 10, которое совпадает с направлениями перемещения ползунов 440 с измерительными наконечниками 6 и лежит в плоскости...

Номер патента: 1492384

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Воробьев, Каплин, Мун

МПК: G21K 1/06

Метки: излучение, кристалла, рентгеновское, фокусирующего

...пластины. Длину пластиныкоторую целесообразно использовать в данном способе, можно оценитг по формуле, учитывающей многократное рассеяниеЕ1 макс(Ь1,. зги о) ф (2)Выбор Ьмакс производят из условия, чтобы из-за многократного рассеяния не происходило выбываниепучка электронов при прохождении через пластину толщиной Ь, Здесь Ь - радиационная длина, Е - энергия электронов, Е - 2 11 эВ. Например, для пластины 81 и Е =ГэВ величина макс - 1-5 см,Излучаемые рентгеновские фотоныс частотами в диапазоне Мо - (д,+ бйЗ)испытывают поглощение в материалепластины, которое определяется линейным коэффициентом поглощения( ( 6 Э ), С учетом этого эффектатолщину пластины целесообразно ограничить как Ь - 1Кроме того, толщина пластиныдолжна...

Номер патента: 1505699

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Буряченко, Журавский

МПК: B23K 1/12

Метки: кристалла, пайки, полупроводникового

...кристалл транзистора КТ 826 А, покрытый при подготовке его к пайке слоем никеля, толщиной о 8 мкм и слоем золота 3 - 4 мкм, устанавливают через слой припоя на контактную площадку металлического основания из молибдена, покрытую предварительно слоями никеля и золота, и фиксируют эту сборку в кассете. Затем кассету со сборкой помещают в устройство для пайки, снабженное электромагнитами так, что силовые линии проходят перпендикулярно поверхности кристалла. Детали нагревают до температуры плавления припоя, выдерживают в течение времени, достаточного для образования паяного соединения, и охлаждают. Магнитное поле может быть как постоянным, так и переменным. Пайку проводят в течение 2 - 3 мин в магнитном поле напряженностью 500 Э н в...

Номер патента: 1566208

Опубликовано: 23.05.1990

Автор: Компанейцев

МПК: G01B 11/26

Метки: кристалла, наклона, одноосного, оптической, оси

...пучков Й фокальноиплоскости дает сложную интерференционную картину в виде коноскоиическойфигуры, которую через скрещенный анализатор с помощью линзы .Бертрана проектируют в увеличенном виде в фокальную плоскость окуляр-микрометра, Спомощью последнего наблюдают исследуемую копоскопическую фигуру пучковсвета, прошедших через соседние участки кристалла, Центрируют шкалу-перекрестие окуляр-микрометра параллельносветовым колебаниям одного из поляризаторов, совмещая одну пз изогир атемная полоса, все точки которой соответствуют тем направлениям в кристалле,по которым распространяотся лучи сколебаниями, параллельюми плоскостямпропускания в скрещенных поляризаторах) с оцной из нитей шкалы-перекрестия окуляр-микрометра афиг, 1 а),...

Номер патента: 1576598

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Белогуров, Маликов, Стадник

МПК: C30B 17/00

Метки: жидкой, кристалла, параметров, поверхности, раздела, фазы

...и жидкой Фазы Зизмеряют амплитуду колебаний резонансной частоты акустической системыв процессе роста кристалла и сравнивают ее с амплитудой колебаний резонансной частолы системы для кристалла, расходящегося в системе с плоской поверхностью раздела. При этомцем больше поверхность раздела кристалла и жидкой Фазы, тем меньше амплитуда колебаний. 45Для определения длины растущегокристалла измеряют резонансную частоту.акустической системы до и после перемещения поверхности разделатвердой и жидкой Фаз, При этом чем 50меньше резонансная частота системы,тем больше длийа кристалла (нижеуровень поверхности раздела твердойи жидкой фаз).Для определения Формы поверхнос- ути раздела кристалла и жидкой Фазыизмерения, амплитуды колебаний...

Номер патента: 1603453

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Гришаков, Дорошенко, Дубов, Кошманов, Лозовой, Орлов, Попов, Рябцев

МПК: H01L 27/118

Метки: базового, бис, кристалла, матричная, матричного, основе

...и 3 и Конденсаторе 4, снижая его добротность до уровня ниже критического, Таким образом, паразитные высокочастотные колебания на элементах 8 схемы (фиг.1) возникнуть не могут,Величина антипаразитного резистора 5 еыбирается с учетом двухстороннего ограничения: с одной стороны, резистор должен предотвращать самовозбуждение, что требует уменьшения номинала резистора, с другой - обеспечить необходимый запас помехоустойчивости путем уменьшения амплитуды импульсов помех, что требует увеличения номинала резистора.Величина антипаразитного резистора Зависит от многих факторов: конфигурации й взаимного расположения систем земляНых шин, величин их паразитных емкостных вязей, числа эмиттерных повторителей в группе и их нагрузочных импедансов,...

Номер патента: 1636879

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Гарбер, Квурт, Наибов, Файнбойм

МПК: H01L 21/50

Метки: выводом, кристалла, полупроводникового, прибора, соединения

...на металлическом облуженном выводе и на полупроводниковый кристалл подают серию импульсов от генераторов измерительного и разогревающего токов. Первый импульс измерительного тока фиксирует в амплитудном детекторе с памятью величину прямого падения напряжения на разогретом кристалле. Измеритель амплитуды огибащей импульсов измерительного тока (детектор) отслеживает изменение прямого падения напряжения на кристалле при протекании через него импульсов от генера 5 10 15 20 25 ЗО 35 40 45 50 тора измерительного тока. Вычитающее устройство вычисляет разность между напряжением с детектора с памятью и напряжением с измерителя амплитуды огибающей. Эта разность является изменением падения напряжения на кристалле в процессе разогрева. Она...

Номер патента: 1649473

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Долгов, Моторин, Рабодзей, Сычев

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, корпусу, кристалла, неразрушающего, полупроводникового, присоединения

...протекающего через р-и переход тока, процессор дает команду блоку 6 выборки-хранения запомнить мгновенное па деиие напряжения на р-и переходе, а аналого-цифровому преобразователю 5 - измерить его величину, Благодаря малому изменению падения напряжения на р-и переходе б,Н из-за нагрева последнего,(см. Фиг. 2 б), а также соответствующего выбора смещения разностного усилителя 7 и его коэффициента усиления напряжения на выходе блока 6 выборки-хранения находится в динамическом диапазоне второго аналогоцифрового преобразователя 5, чем и обеспечивается нормальная работа последнего (на фиг. 2 а представлена эпюра тока на р-и переходе), Измеренное значение падения напряжения на нагретом р-и переходе запоминается микроЭВМ 9. По измеренным...

Номер патента: 1674293

Опубликовано: 30.08.1991

Автор: Суворов

МПК: H01L 21/58

Метки: кристалла, кристаллодержателем, полупроводникового, соединения

...Цель изобретения - повышение надежности соединения. На кристаллодержатель наносят слой алюминия толщиной 2,7 мкм,а на кристалл напыляют слой магния толщиной 1,75 мкм, Температуру нэ рабочем столике устанавливают равной 450-750 С. Кристэллодержатель из ковара помещают на столик и прогревают, наносят на поверхность кристаллодержателя прокладку из звтектики магний - алюминий и присоединяют кристалл в течение 2 с в нейтральной среде, при этом повышается устойчивость полупроводниковых приборов к механическим и климатическим воздействиям. ной 1,75 мкм, Температуру на рабочем столике устанавливают равной 450-750 С. Кристаллодержатель из ковара помещают на столик и прогревают до заданной температуры. С помощью пинцета наносят на поверхность...

Номер патента: 1679320

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Алиев, Ахраров

МПК: G01N 23/227

Метки: атомов, кристалла, локализации, примесных

...эффективно какалируются в симметричных направлениях, что приводит к наиболее эффективному возбуждению примесных атомов, находящихся в этих направлениях. При этом эмиссия Оже-электронов примескых атомов резко возрастает, так как вторичные упруго и неупруго отраженные (рассеянкые) электроны способны в 3-4 раза больШе воз 167932010 15 20 25 30 35 40 45 50 55 буждать Оже-электроны, чем первичные заряженные частицы,Локализация внедренных (или примесных) атомов в элементарной ячейке (решетке) кристалла и их химическое состояние играет важную роль в изменении тех или иных свойств материалов, В зависимости от локализации примесных атомов в решетке они могут находиться в нейтральном или заряженном состояниях, создавать дефекты различных...

Номер патента: 1716408

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Алешко-Ожевский, Лидер, Погосян, Пышняк

МПК: G01N 23/20

Метки: акустических, взаимодействия, волн, дефектами, исследования, кристалла, поверхностных

...и фотопластинки, а также во много раз уменьшает время получения топограмм по сравнению с методом сканирования, Возбуждение дополнительной системы встречных первоначальным поверхностных акустических волн необходимо для возникновения стоячих волн, распределение которых отражает фронт и изменения фронта для бегущих волн, Одинаковое значение частоты для встречных волн обеспечивает сохранение постоянства периода и в значительной степени постоянства амплитуды возникающих стоячих волн.На фиг. 1 представлена схема, поясняющая суть способа; на фиг. 2 и 3 - примеры рентгеновских топограмм со стоячими поверхностными акустическими волнами на кристаллах ниобата, лития и кварца соответственно,10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Способ осуществляется...

Номер патента: 1718002

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Пименов, Полторак, Скаковский

МПК: G01N 1/10

Метки: аппаратов, вакуум, заводки, кристалла, отбора, пробы, производства, сахарного

...пластины 2, служит для загрузки вещества (сахарной пудры), обеспечивающего образование центров кристаллизации, Перемещаемая пластина 3 и все поверхности, соприкасающиеся с сахапропродуктами, выполнены из несмачиваемого материала.Полость, образованная отверстием 12, представляет собой функционально отборную камеру.Устройство работает следующим образом,Для отбора пробы жидкости из вакуум- аппарата оператор переводит КВР 6 в положение "Дистанционное управление", после чего включает тумблер 7. При этом подается питание (Рп) на исполнительный механизм 5, который развивает усилие, передаваемое штоком 4, обеспечивающее перемещение пластины 3 во второе положение. За счет разницы между атмосферным давлением и разрежением в вакуум-аппарате, поток...

Номер патента: 1728901

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Дехтяр, Сагалович

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, кристалла, полупроводникового

...их становится больше, чем на уровнях вакансий, расположенных в запрещенной зоне, В этом случае ток из зоны проводимости, а не с уровней вакансий. В силу этого после достижения температуры Т ее поддерживают постоянной, и при этой температуре измеряют зависимость тока экзоэлектрон ной эмиссии от времени до тех пор, пока значение тока становится постоянным. Для того, чтобы отфильтровать вклад эмиссии электронов с глубоких локальных уровней разных дефектов (кроме вакансий), облучение ведут све 25 30 35 40 45 50 55 том с энергией фотона, необходимой для эмиссии электронов с вакансионных уровней.О концентрации вакансий судят по площади под кривой зависимости тока экзоэлектронной эмиссии от времени, ограниченной осями координат и...

Номер патента: 1758511

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Драгомерецкий, Кива, Ковалюк, Середюк

МПК: G01N 11/00

Метки: деформации, индия, исследовании, качестве, кристалла, полупроводникового, применение, селенида, слоистого, смеси, твердеющей, тензодатчика

...бетонной смеси в процессе непрерывного и неразрушающего контроля путем применения слоистого полупроводникового кристалла 1 пЯе. В ходе исследований получена временная зависимость сопротивления электрическому току моноселенида индия помещенного в бетонную массу, При этом высокая чувствительность при разделении фаэ замерзания и схватывания твердеющих смесей достигается за счет использования эффекта, возникающего в результате объемных деформаций ЧЭ, Поскольку, а отличие от прототипа, где сущность способа контроля заключалась в использовании классического тензоэффектг. для моноселенида индия,погруженного в твердеющую массу. существенным является всестороннее сжатие, чувствительность к которому в псе достигаег значений -10 Па что на...

Номер патента: 1772711

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Мигаль, Ульянов, Чугай

МПК: G01N 27/22

Метки: кристалла, неоднородностей, распределения, структуры

...поля для частоты, равной нулю, судят о распределении неоВ предложенном способе определения распределения неоднородностей структуры кристалла новыми, в сравнении с прототипом и другими известными решениями, существенными признаками являются: измерение напряженности электрического. поля, соответствующей началу диэлектрической нелинейности, в кристаллах неполярных классов, использование напряженности поля, соответствующей точке перегиба ветвей петли гистерезиса, экстраполяция указанных значений поля на нулевую частоту,На чертеже приведена блок-схема устройства, с помощью которого реализован предложенный способ. Устройство содер- жит соединенные электрически последовательно: генератор электрических колебаний 8, повышающий трансформатор...

Номер патента: 1781732

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Барановский, Лискин, Розинов, Фишель

МПК: H01L 21/58

Метки: корпусу, крепления, кристалла, полупроводникового

...с выступающими из фольги острыми вершинами алмазных зерен, При приложении к кристаллу давления вершины алмазных зерен ввиду своей высокой твердости внедряются в слой естественного окисла на обратной поверхности кристалла,и прикалывают ее с образованием трещин в слое, При колебательном движении кристалла пленка окисла разрушается на мелкие кусочки. В результате этого поверхность кристалла полностью очищается от окисла,э между посадочной площадкой корпуса и обратной поверхностью кристалла образуется равномерный по толщине и не имеющий разрывов и пустот слой эвтектики золото/кремний, Равномерность толщины эвтектичного слоя обеспечивается за счет кэлибрующего эффекта э 41 эзных зерен, В результате применение заявляемого способа...

Номер патента: 1122014

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Васецкий, Гавриш, Даниленко, Заславский, Соломаха, Стадник

МПК: C30B 15/00

Метки: вытягивания, кристалла, процессом, расплава

...Расплав при этом вытекает по трубке 9 вдозатор 5 да восстановления контакта щупрасплав,В момент касания поверхностью расплава кончика щупа клапан 11 закрываетсяи подпитка прекращается. Расплав из дозатора б через переточное отверстие перетекает в тигель 5, но контакт щуп - расплав приэтом сохраняется за счет образования нового предельно вытянутого мениска и т,д. Таким образом, величина дозы подпитки, аследовательно, и точность поддержанияуровня расплава, определяется диаметромдоэатора 6 (оптимал ьный диаметр 25-30 мм)и величиной предельно вытянутого мениска(порядка 1 - 1,5 мм), При регулированииуровня расплава в тигле 5 подпиткойпосигналу датчика уровня расплава, работаюьц го на предельно вытянутом мениске, легка дас гигае 1 ся...

Номер патента: 2003204

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Назаров

МПК: H01L 21/60

Метки: кремниевого, кристалла, монтажа, плате

...вышеуказанных материалов, в качестве лазера 10 могутиспользоваться лазер на СО (длина волны15 излучения 5 - б мкм, поглощение в монокристалле кремния - 1,610 см) или лазер наСО 2 длина волны излучения 10,4 мкм и 9,4мкм, поглощение в монокристалле кремния- 1,8 см). В обоих случаях кристалл 1 может20 считаться прозрачным для излучения 11 лазера 10, Коэффициент поглощения двуокисикремния намного больше коэффициента по-глощения монокристаллического кремниядля данных типов излучения,Излучение СО 2 - лазера с длиной волны9,4 мкм особенно эффективно поглощаетсяслоями двуокиси кремния, что может позволить производить сварку контактов с наи. меньшими энергетическими затратами.Общеизвестно свойство алюминия образовать на воздухе...